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【討論】常規(guī)驅(qū)動與保護電路

常規(guī)驅(qū)動與保護電路

    通常設計的驅(qū)動電路,多為采用脈沖變壓器耦合,優(yōu)點是:結(jié)構(gòu)簡單,適用中小變換設備上.缺點是:不適用大型設備上的大功率M0SFET或IGBT器件,而且存在波形失真,容易振蕩,尤其是脈沖變壓器耦合不良漏感偏大時更為嚴重,抗**與抑制誤觸能力低.這是一種無源驅(qū)動器,而高頻大功率器件M0SFET與IGBT,宜采用有源驅(qū)動器.

    通常保護電路,利用互感器實現(xiàn)電流--電壓的比值轉(zhuǎn)換,信號的電平高于穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值輸入PWM芯片的保護腳截止振蕩工作的保護方式.這種電路的缺點是:響應速度慢,動作遲緩,對短路性電流增長過快下,可能來不及動作.

    而采用電子高速檢測保護電路,則過流動作響應速度極快,可靠性高,效果好,是一種理想的保護電路,克服了利用互感器的一些不足.

    驅(qū)動電路(電壓型):

    如圖1所示:圖1(a)適合于低頻小電流驅(qū)動.當控制信號Vi為高電平時,V1導通,輸出Vo對應控制的開關(guān)管(IGBT)導通;當控制信號Vi為低電平時,V2導通,輸出Vo對應控制的開關(guān)管(IGBT)被關(guān)斷.

    圖1 驅(qū)動線路(電壓型)

    圖1(b)采用場效應管組成推挽電路,其工作原理同圖1(a),這種電路高頻峰值驅(qū)動電流可達10A以上,適用于大功率M0SFET或IGBT.

    電子高速檢測保護電路:

    如圖2所示:在正常工作時,V2導通VDS處于低電平,A點電位通過D2回流至D點,因為漏極處于低電位,所以A點也處于低電位狀態(tài),不對V1產(chǎn)生偏置構(gòu)成對V2的影響.

    圖2 電子高速檢測保護電路

    當M0SFET過流時,漏極電壓VDS迅速上升, D2承受反向電壓截止,由R1 、C1的充電作用,A點電位開始升高,直到使V1導通,將G極電位下拉接近0V,從而使M0SFET可靠關(guān)斷而處于截止狀態(tài),限制了過電流.R1 、C1有兩個作用,其一是當FET的柵極加速向偏置信號使其導通瞬間,C1瞬間短路,保持V1的截止狀態(tài),以至不影響FET的開通,當C1充電電壓上升時,還沒到V1開通,FET已經(jīng)開通,由D2的作用,使A點箝位, V1始終不開通,FET正常工作.其二是當FET過流時,VDS迅速上升,D2立即反向截止,A點電位開始積分延時,當積分到V1開通時,FET截止,這段時間為保護動作時間,是由R1和C1的參數(shù)決定的.這種過電流保護電路可以在0.1μS級的時間內(nèi)將過電流FET關(guān)斷.圖中D2選用高壓超快恢復型二極管, D3選低壓超快恢復型肖特基二植管,可消除D4穩(wěn)壓管存在較大結(jié)電容形成電荷位移電流對V1的影響.

    3.驅(qū)動保護二合一電路

    將上述的驅(qū)動電路與保護電路結(jié)合起來,兩者功能將一體化,是本線路的獨到之處.實用電路如圖3所示:

    3.1實用驅(qū)動保護二合一電路

    圖3 驅(qū)動保護二合一電路

    圖3適用于低頻小功率驅(qū)動,如果將雙極型NPN與PNP三極管換成N溝道與P溝道大功率場管后就可形成高頻大電流驅(qū)動器.

    圖中不采用光電耦合器作信號隔離而用磁環(huán)變壓器耦合方波信號,簡單而且不存在光電耦合器的上升下降波沿,光電管速度不可能過快,變壓器傳輸可獲得陡直上升下降波沿,幾乎沒有傳輸延時.使用高頻大功率的MOSFET驅(qū)動器,無論使用何種器件(VMOS或IGBT),都能獲得很好的效果.

    本電路驅(qū)動速度快,過流保護動作關(guān)斷快,是比較理想的驅(qū)動保護二合一實用電路.

    采用肖特基管的驅(qū)動保護電路

    圖4 肖特基管的驅(qū)動保護電路

    如圖4所示:圖中D4選用高頻低壓降肖特基管,用于V1的抗過飽,減小存儲時間提高關(guān)斷速度.D2用超快恢復二極管.其工作原理:C1對開通瞬間不能突變,有兩個作用:一是方波高于ZW穩(wěn)壓值使V1基極偏置而導通,經(jīng)R5與D3對FET驅(qū)動導通后漏極處低電平D2導通箝位,V1的偏置回路維持導通,電容C1始終處于低電平.當發(fā)生過流時,VDS迅速上升,ZW低于穩(wěn)壓值將失去導通回路V1將截止.二是R3與C1形成積分延時,并且C1可通過R3在負半周的負電位而更加可靠地開通V1.

    3.3增加軟關(guān)斷技術(shù)的驅(qū)動保護電路

    對于IGBT器件增加軟關(guān)斷技術(shù)的電路如圖5所示:

本文是轉(zhuǎn)帖,目的是拋磚引玉。在以SG3525為核心的逆變驅(qū)動小板上增加此保護電路,可不用取樣電阻。正弦芯大師也成功運用,只可惜沒有電路圖。希望大家能設計出應用電路圖,共同探討,分享!

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2011-04-07 18:07

 

先頂 再看。。

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ccps
LV.7
3
2011-04-07 19:32
學習一下
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2011-04-07 22:56
學習了
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清風819
LV.4
5
2011-04-10 01:38
@tvro
學習了
繼續(xù)關(guān)注!
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2011-04-10 06:01
@清風819
繼續(xù)關(guān)注!
繼續(xù)
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川野
LV.7
7
2011-04-19 07:50

這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感??!

這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。

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Haleliu
LV.4
8
2011-04-19 09:02
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感?。∵@種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
LZ,學習下!
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test88
LV.1
9
2011-04-19 11:51
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感??!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
關(guān)注中,LS可以上來電路嗎
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610860616
LV.5
10
2011-04-19 12:06
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感!!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
關(guān)注,繼續(xù)關(guān)注  這個方法確實不錯...學習了
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HGG1890
LV.5
11
2011-04-19 12:24
學習了
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2011-04-19 12:47
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感!!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
繼續(xù)關(guān)注
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gaohq
LV.8
13
2011-04-19 13:34
圖3 里的D2是不是反了?
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610860616
LV.5
14
2011-04-19 14:34
@gaohq
圖3里的D2是不是反了?
我也感覺是不是圖3里的D2是不是反了
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2011-04-19 14:47
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感??!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
能不能在擴充,詳解一下啊
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2011-04-19 15:39
學習了!
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luojun
LV.8
17
2011-04-19 17:20
@高新電子
學習了!
好貼,幫樓主頂一下!
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2011-04-19 20:51
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感??!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
學習下!
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LV.1
19
2011-04-19 23:55
@luojun
好貼,幫樓主頂一下!
支持下!
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2011-04-20 05:28
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感!!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
關(guān)注
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1270825997
LV.4
21
2011-04-20 11:40
@
支持下!
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2011-04-20 19:17
@1270825997
[圖片]

學習了

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1308658
LV.3
23
2011-04-20 22:23
@liangxuan6637
學習了

誤動作的電路,靠

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2011-04-20 22:43
@1308658
誤動作的電路,靠[圖片]
因為什么
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hope_wait
LV.3
25
2011-04-20 23:29
@在路上.
 先頂再看。。

記得有個網(wǎng)友叫on_the _way_li什么什么的....

 

mark

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2011-04-20 23:35
希望樓主陸續(xù)上圖
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2011-04-21 10:57
@川野
這個就是檢測電壓的保護電路。優(yōu)點就是保護速度極快。由于電路在工作的時候并不是理想的狀態(tài),所以還要加其他抗干擾的措施。應用電路我想樓主就不要講出來了吧。還是希望大家能夠自己琢磨研究,這樣才有意思。等你自己弄出來了,才有成就感??!這種電路是在犧牲成堆的MOSFET管的基礎(chǔ)上面,才研究出來的。所以真正做出來的人,一般不會把電路公布出來的。這個電路也可以用于前級。做好了這個電路,可保證前級的MOSFET管一個也不會燒。
 這個電路有啥問題呀,
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2011-04-21 21:16
@不明外星生物
[圖片] 這個電路有啥問題呀,
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zhijian1024
LV.6
29
2011-04-22 14:25
@不明外星生物
[圖片] 這個電路有啥問題呀,

沒啥問題吧?

只不過電磁鐵的驅(qū)動不需要加圖騰柱吧,它不需要這么的強的驅(qū)動能力,又不是高頻率的開關(guān)變壓器。

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2011-04-22 14:28
@hope_wait
記得有個網(wǎng)友叫on_the_way_li什么什么的.... mark
各位兄臺,誰有07版 saber補丁啊,麻煩給我發(fā)份,小弟在此謝謝了啊。541438803@qq.com
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zhijian1024
LV.6
31
2011-04-22 14:32
@610860616
我也感覺是不是圖3里的D2是不是反了

同感!

不光是D2反了,V3的應當是PNP類型的。

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