看電感電流，CCM是梯形波、DCM是三角波、BCM是剛好從梯形波變?yōu)槿遣ǎü潭ㄝ斎腚妷?，減小負(fù)載來看整個(gè)過程）

又想到一個(gè)，觀察MOS的DS波形，再次開通之前無震蕩的為CCM，有震蕩的為DCM，介于兩者之間的為BCM。以下是一張示意圖，樓主自己測試一下就知道了……

DCM的振蕩是能量傳遞完成之后，變壓器初級電感跟漏感還有變壓器分布電容以及MOSFET的漏源極電容振蕩

CCM不振蕩是因?yàn)?，?dāng)變壓器還在干活（向次級傳遞能量的時(shí)候），MOSFET已經(jīng)開通了，沒有振蕩的機(jī)會

能從那個(gè)電阻上的波形區(qū)分，疊加直流分量肯定是處在CCM狀態(tài)

你說的“ccM沒理由不震蕩呀”的原因是什么？

你觀察一下實(shí)際的波形看該處是否有震蕩？

也就是說在ccm時(shí)，只有在MOS關(guān)斷時(shí)有一個(gè)震蕩，而在再次開通之前沒有震蕩。

呵呵，大家都沒有說到一塊兒去了

我上面說的振蕩指的是MOSFET關(guān)斷到開通之前的那一段的后沿振蕩，而你說的是MOSFET剛關(guān)斷時(shí)刻的漏感振蕩

觀望。

上面的那個(gè)圖講的很清楚，建議樓主將這個(gè)文檔下下來，仔細(xì)看看。

FAIRCHILD的，文檔是關(guān)于RCD介紹和計(jì)算的。

我這里剛好有這篇文章：

Design Guidelines for RCD Snubber of Flyback 

VDS關(guān)斷都有震蕩，因?yàn)槁└泻虲OSS，而對于再次導(dǎo)通時(shí)，CCM模式，當(dāng)次級還在續(xù)流釋放能量中，一次折射電壓（Vor）依然會保持coss中處于先前的充電狀態(tài)，故再次導(dǎo)通，不會產(chǎn)生震蕩，而DCM，由于次級能量釋放完，一次折算電壓消失，從圖中看到，當(dāng)次級電流剛剛下降到0開始，這時(shí)候，加載coss和LM的電壓突然變化（只有輸入電壓了），必然震蕩。對于IDS，關(guān)斷都有震蕩，這很好理解，導(dǎo)通時(shí)候在LM儲能，突然關(guān)斷，必然會有感應(yīng)電壓產(chǎn)生，這個(gè)電壓在coss，lm產(chǎn)生震蕩。導(dǎo)通時(shí)，對于ccm，由于之前次級一直在續(xù)流釋放能量，故二極管本身的電容處于儲能狀態(tài)，初級一導(dǎo)通，這個(gè)二極管電容電流反向放電，在初級感應(yīng)一個(gè)尖峰電流出來，而DCM，由于次級釋放能量完全，當(dāng)次級續(xù)流電流降到0的時(shí)候，二極管的ci開始放電，故，再次導(dǎo)通，不會有這個(gè)恢復(fù)電流存在，所以一次沒有感應(yīng)尖峰。正如圖中看到的。

謝謝您的細(xì)心解釋，后面的一段將電感電流波形的尖峰成因說明的很詳細(xì)。

學(xué)習(xí)了！

過路，學(xué)習(xí)，謝謝了

請教各位大佬：

CCM與DCM、一般哪種方式效率高一些 ？所依據(jù)的原理是神馬呢 ？

謝謝！

謝謝分享

不錯(cuò)，值得學(xué)習(xí)