要是我的話，就選擇正激+同步整流。次級(jí)的電流應(yīng)力會(huì)小很多。

初級(jí)電壓尖峰高，是因?yàn)槁└刑?，而RCD吸收電路吸收能力不足所致。

謝謝版主回復(fù)，可是現(xiàn)在時(shí)間也緊，也來不及再大整了。

次極最好用銅皮，還有這個(gè)整流管的電流在高壓的時(shí)候應(yīng)該會(huì)超過150A，不改正激實(shí)在不是好主意。。。

低壓大電流選擇反激，本身就不太合適，輸出電容對(duì)ESR要求極高，否則紋波就會(huì)很大

聽好版主的，換正激+同步整流，應(yīng)該會(huì)更好整

謝謝兩位版主解答，我的負(fù)載是發(fā)熱片，對(duì)紋波要求不高，成本也沒有要求，主要是擔(dān)心這個(gè)電源的質(zhì)量和壽命，現(xiàn)在沒有時(shí)間允許我再去改方案了，而且我沒有做過電源，再改方案的話必定會(huì)花很多時(shí)間。

如果是你說的這樣的話，建議那你要注意三個(gè)方面

1、變壓器選長寬比大的，你選的這個(gè)EER28/34就符合要求，繞線用多股細(xì)線繞，盡量降低繞組的壓降，比如次級(jí)選用0.25*120根；繞法采用三明治，初級(jí)盡量分兩層繞完，增加耦合度，降低漏感

2、PCB布線的時(shí)候要特別注意大電流環(huán)路的走線，短粗直是原則，面積也要做到盡量小，以免產(chǎn)生不必要的干擾

3、成本沒有壓力的話，盡量選用好一點(diǎn)的器件，做好足夠的降額設(shè)計(jì)，并調(diào)整好吸收電路

注意了以上幾點(diǎn)的話，還是能設(shè)計(jì)出滿足你要求的電源

類似的案例能否用有源鉗位單端正激，然后次級(jí)同步整流。畢竟同步整流比反激容易。但是有什么IC方案來處理初級(jí)驅(qū)動(dòng)呢。DCDC里頭有經(jīng)典的lm5025.有沒有直接運(yùn)用于線電壓的IC呢？

謝謝冰版主和好版主的熱心回復(fù)，現(xiàn)在做的幾個(gè)變壓器的漏感確實(shí)是很大，試過幾種線的并繞，我下一步副邊再改一下用銅帶的方式，因?yàn)檫€有其它控制電路設(shè)計(jì)，等全套方案全做完了有時(shí)間了再看看要不要改正激的方案了。

買到了0。3mm厚的銅片，自己用剪刀剪成18mm寬，將原來的多股線改成銅皮后效果沒有一點(diǎn)改變。手上設(shè)備有限，沒有測電感量，不過記得在工廠改線圈沒有影響到電感量。郁悶呀，看樣子還真要改方案來試不成了。

謝謝，能不能推薦一種好實(shí)現(xiàn)的方案呢。

看了您的電路圖，畫得真是漂亮，象我這樣的新手是無論如何也達(dá)不到這種水平的。

電路好像不是反激的，倒像是正激的，但正激的好象也不像，它應(yīng)該有個(gè)續(xù)流管。

提點(diǎn)不成熟的建議，您的同步整流MOS，換個(gè)方向如何？同時(shí)修改一下這個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。我總覺得MOS的開啟需要時(shí)間，這個(gè)時(shí)間比二極管的導(dǎo)通時(shí)間要長一些吧，如果電路是反激的，這也許Q2超過700V的原因吧？

謝謝夸獎(jiǎng)，如果MOS管換個(gè)方向的話那反饋也要改一下吧，還有就是反激的芯片直接改正激行嗎？我是一直做單片機(jī)的，真的沒有做過電源。電路是能看明白，但變壓器還真搞不來。

VDS圖中振鈴很強(qiáng)，說明漏抗大或者RCD阻尼特沒調(diào)好。而且你的Vor還是很高的，這個(gè)要看輸出繞組電壓對(duì)應(yīng)著看一下是什么原因。還有變壓器變比太大，不管用銅箔還是利茲線都不會(huì)有好效果的。您的設(shè)計(jì)方案里頭已經(jīng)有同步整流，30W反激絕對(duì)能處理了。

降低變比--降低Vor（但是反射電壓有Vor和振鈴電壓組成），拓寬副邊占空比降低電流有效值和峰值。但是也帶來了初級(jí)占空比損失，而且對(duì)副邊整流的耐壓也有更高的要求。

初級(jí)并聯(lián)RC串聯(lián)阻尼振鈴，這樣做會(huì)損失效率。不知道您的電源是否有效率要求。我當(dāng)時(shí)做5V1A的時(shí)候 效率才0.67，Top221次級(jí)肖特基.

還有就是降低頻率，進(jìn)一步減小漏抗帶來的影響。

謝謝解答的這么詳細(xì)，我的電源效率沒有要求，要求是全電壓工作，性能穩(wěn)定就可以。但是現(xiàn)在電路中高壓MOS管和低壓MOS管都熱，最不好的就是靠近整流出來的兩個(gè)大電容也有發(fā)熱。高壓的MOS管發(fā)熱不知道是不是VDS超過了MOS管的耐壓造成的，目前還沒有換更高壓的MOS管試。低壓的MOS管有熱應(yīng)該是正常的.

好版主說到用薄膜電容，可是我空間下只能放下貼片的電容了，板的正面已經(jīng)不好再裝零件了，不知道能不能用貼片電容代替。如0805的耐壓6。3V容量在10uF的X5R電容。

L2 串聯(lián)在輸出做啥用，這個(gè)會(huì)增加漏抗到初級(jí)。

既然是諧振方式 加大C15 可以減少振鈴峰值，然后變壓器初級(jí)用RC消去振鈴。當(dāng)然啦 這樣效率會(huì)降低。這種電路 Vbus就算375V 那么 Vor如果取值65V（由于是低壓輸出，為了拓寬副邊占空比。和降低變比。）用EER的磁芯中柱長漏抗可有改善。

還有我比較感興趣的是你這個(gè)電流互感器驅(qū)動(dòng)的同步整流是否有好的效果呢。因?yàn)槲乙蚕敫倪M(jìn)一下以前的幾個(gè)案子。

ESR造成電容發(fā)燙？你副邊的峰值電流會(huì)有百來個(gè)安培這點(diǎn)很是頭暈。發(fā)燙還是小事情。如果這些壓降反射到初級(jí)將是麻煩。實(shí)際電路饋入功率可能是50多瓦。

絕對(duì)不行的。0805的電容要是能這么用。那么做薄膜電容的廠商都去跳海吧。。。。。。

還有你看看電路中R18 燙不燙，因該燙的?？戳说谝粋€(gè)波形圖感覺這個(gè)圖和沒有接RCD是一樣的。

以前我調(diào)過FSCQ0765的電路 出6V4A 和300V0.1A。負(fù)載統(tǒng)統(tǒng)按比率加上由于300V繞組的關(guān)系效率還是很高的，反射電壓和波形都漂亮，只是交叉調(diào)整率一塌糊涂，只能穩(wěn)定6.3V燈絲電壓300V就不管了。

可是問題來了，電源只接6.3v單獨(dú)輸出效率只有0.65，振鈴大，反射電壓出現(xiàn)明顯斜坡，說明漏抗和ESR在作怪。最后沒辦法 只能是加大DS的電容，調(diào)整RCD，用RC阻尼，一道上。開關(guān)管道是不燙了，波形也可以接受了。只是效率進(jìn)一步下降。主要是變壓器和RCD發(fā)熱。還有副邊的肖特基必須散熱才行。

最后還測試了這種電路不過效果一般般 還不如用RCD。

上面的波形應(yīng)該是RCD的然后諧振電容加的大了一點(diǎn) 記得是471到102都試過