首先聲明，發(fā)起此話(huà)題是受dragonlin朋友的啟發(fā)。在帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/642229有談到MOS的反峰。但是意識(shí)到開(kāi)機(jī)瞬間MOS的反峰會(huì)更大，而且，此時(shí)的RCD吸收，幾乎起不到作用。
就在剛才我也做過(guò)測(cè)試，不停的沖擊電源，MOS的反峰最高幾乎到了624V（反激、寬電壓輸入、12V/3A輸出，600V耐壓MOS）。當(dāng)然這個(gè)624V并不是確定的，是很多次的最大值。有的580V，有的602V等。
這個(gè)問(wèn)題比較嚴(yán)重。很容易在開(kāi)機(jī)時(shí)，擊穿MOS。
期待各路朋友進(jìn)來(lái)，共同探討！
關(guān)鍵詞：MOS
的確。IC的緩啟動(dòng)是可以解決的。這個(gè)可以從它的發(fā)生機(jī)理上看出。
啟機(jī)瞬間，反饋尚未建立，IC急于輸出電壓，驅(qū)動(dòng)脈寬大，造成。不知理解準(zhǔn)確否？
這個(gè)是不是也和MOS的雪崩量有關(guān)呢？
有的朋友說(shuō)：這個(gè)反峰MOS的雪崩可以自己吸收，不會(huì)壞管。這樣是否靠譜？
確實(shí)，一直以來(lái)做沖擊測(cè)試也好，開(kāi)機(jī)也好，都沒(méi)有壞管。不過(guò)感覺(jué)還是不好！
關(guān)鍵詞：MOS
你現(xiàn)在沒(méi)有壞，只能說(shuō)明你現(xiàn)在的這顆MOS可以承受620V的尖峰電壓。但是不等于顆顆都可以。不信，你就看批量生產(chǎn)中有沒(méi)有開(kāi)機(jī)炸機(jī)的。
另外:600V的MOS，廠家晶圓在做的時(shí)候基本上都是按680V的承受指標(biāo)來(lái)做的。但是，由于差異性，有的可能可以承受680V，有的可能只能承受600多一點(diǎn)，而廠家的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是按600V來(lái)測(cè)試的，這就是廠家為了批量生產(chǎn)的良品率而放的余量，所以，我們?cè)谑褂玫倪^(guò)程中，也應(yīng)該放置余量，不建議超負(fù)荷使用。
還有就是，MOS管的規(guī)格書(shū)中，確實(shí)有關(guān)于雪崩能量的數(shù)據(jù)，問(wèn)題在于，他所給出的這個(gè)雪崩能量的數(shù)據(jù)是廠家在特定的溫度下，特定的頻率下，特定的占空比下測(cè)試給出的，那么，針對(duì)于我們實(shí)際使用中所超出的這部分尖峰電壓，
有誰(shuí)能計(jì)算出這部分能量肯定沒(méi)有超出MOS規(guī)格書(shū)中所定義的雪崩能量，所以，MOS管在使用過(guò)程中的反峰電壓一定不能超過(guò)MOS管所規(guī)定的電壓，并應(yīng)該適當(dāng)放些余量。
關(guān)鍵詞：MOS管
的確如此！我也有這方面考慮。單個(gè)并不能代表所有！
