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【討論】期待大家討論：開機(jī)瞬間MOS的漏極之峰值電壓！

  首先聲明，發(fā)起此話題是受dragonlin朋友的啟發(fā)。在帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/642229有談到MOS的反峰。但是意識到開機(jī)瞬間MOS的反峰會更大，而且，此時(shí)的RCD吸收，幾乎起不到作用。

  就在剛才我也做過測試，不停的沖擊電源，MOS的反峰最高幾乎到了624V（反激、寬電壓輸入、12V/3A輸出，600V耐壓MOS）。當(dāng)然這個(gè)624V并不是確定的，是很多次的最大值。有的580V，有的602V等。

  這個(gè)問題比較嚴(yán)重。很容易在開機(jī)時(shí)，擊穿MOS。

  期待各路朋友進(jìn)來，共同探討！


關(guān)鍵詞：MOS

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jepsun
LV.9
2
2011-03-16 16:05

首先想到的，便是變壓器的漏感！似乎不盡然。先回去找找資料再來！

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hk2007
LV.8
3
2011-03-16 17:22
@jepsun
首先想到的，便是變壓器的漏感！似乎不盡然。先回去找找資料再來！

開機(jī)時(shí)，一次側(cè)電流峰值是比較大的，此時(shí)漏感儲存的能量也是相當(dāng)大，當(dāng)然疊加在ds上的電壓尖峰也大了。

比如正常工作mos反壓570v，開機(jī)瞬間可達(dá)到680v。好象IC有軟啟動功能可解決這個(gè)問題。


關(guān)鍵詞：mos

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2011-03-16 19:41

為什么說剛開始工作時(shí)，RCD吸收不起作用呢？？？

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jepsun
LV.9
5
2011-03-16 21:15
@on_the_way_li
為什么說剛開始工作時(shí)，RCD吸收不起作用呢？？？

這只是我的個(gè)人理解，不一定正確，或者起的作用比較小，不如工作一段時(shí)間后那么有效果。

這也反映在我的測試上。沖擊時(shí)是比較大的，待其工作一會后，會降下來的。沒有開機(jī)瞬間那么大。

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jepsun
LV.9
6
2011-03-16 21:18
@hk2007
開機(jī)時(shí)，一次側(cè)電流峰值是比較大的，此時(shí)漏感儲存的能量也是相當(dāng)大，當(dāng)然疊加在ds上的電壓尖峰也大了。比如正常工作mos反壓570v，開機(jī)瞬間可達(dá)到680v。好象IC有軟啟動功能可解決這個(gè)問題。關(guān)鍵詞：mos

的確。IC的緩啟動是可以解決的。這個(gè)可以從它的發(fā)生機(jī)理上看出。

啟機(jī)瞬間，反饋尚未建立，IC急于輸出電壓，驅(qū)動脈寬大，造成。不知理解準(zhǔn)確否？

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sangjuen
LV.8
7
2011-03-16 21:36
開機(jī)時(shí)，次級C電壓為0，相當(dāng)于輸出短路，輸出功率為最大值。R、C、D來不及吸收，所以此時(shí)反峰電壓最高。沒有軟啟動，電源立即掛了，呵呵。
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瞌睡蟲
LV.5
8
2011-03-17 08:09

1  對電路增加緩啟動電路，顆抑制開機(jī)過沖

2  在不影響過流點(diǎn)的前提下，盡量將初級電流檢測電阻放大，也可抑制過沖

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jepsun
LV.9
9
2011-03-17 08:22
@sangjuen
開機(jī)時(shí)，次級C電壓為0，相當(dāng)于輸出短路，輸出功率為最大值。R、C、D來不及吸收，所以此時(shí)反峰電壓最高。沒有軟啟動，電源立即掛了，呵呵。

這個(gè)是不是也和MOS的雪崩量有關(guān)呢？

有的朋友說：這個(gè)反峰MOS的雪崩可以自己吸收，不會壞管。這樣是否靠譜？

確實(shí)，一直以來做沖擊測試也好，開機(jī)也好，都沒有壞管。不過感覺還是不好！


關(guān)鍵詞：MOS

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hk2007
LV.8
10
2011-03-17 08:28
@jepsun
的確。IC的緩啟動是可以解決的。這個(gè)可以從它的發(fā)生機(jī)理上看出。啟機(jī)瞬間，反饋尚未建立，IC急于輸出電壓，驅(qū)動脈寬大，造成。不知理解準(zhǔn)確否？
是這樣的
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jepsun
LV.9
11
2011-03-17 08:39
@瞌睡蟲
1 對電路增加緩啟動電路，顆抑制開機(jī)過沖2 在不影響過流點(diǎn)的前提下，盡量將初級電流檢測電阻放大，也可抑制過沖

你說，我把IC的啟動電阻增大，讓IC的啟動不那么快！

您說可行嗎？

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LV.1
12
2011-03-17 08:53
@sangjuen
開機(jī)時(shí)，次級C電壓為0，相當(dāng)于輸出短路，輸出功率為最大值。R、C、D來不及吸收，所以此時(shí)反峰電壓最高。沒有軟啟動，電源立即掛了，呵呵。

這個(gè)跟工作狀態(tài)DCM,CCM有關(guān)系嗎？

有什么關(guān)系？

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LV.1
13
2011-03-17 08:54
你是空載做的還是加載做的?。?/div>
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jepsun
LV.9
14
2011-03-17 09:09
@
你是空載做的還是加載做的?。?/span>

那自然是滿載?？蛰d，貌似沒有意義吧！

 

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jepsun
LV.9
15
2011-03-17 09:10
@hk2007
是這樣的

找到了你之前的帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/607565。呵呵！

我這顆IC本身具有軟啟動這個(gè)功能。

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瞌睡蟲
LV.5
16
2011-03-17 14:05
@jepsun
你說，我把IC的啟動電阻增大，讓IC的啟動不那么快！您說可行嗎？

不是啟動電阻，是將初級限流電阻增大

 

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瞌睡蟲
LV.5
17
2011-03-17 14:20
@jepsun
這個(gè)是不是也和MOS的雪崩量有關(guān)呢？有的朋友說：這個(gè)反峰MOS的雪崩可以自己吸收，不會壞管。這樣是否靠譜？確實(shí)，一直以來做沖擊測試也好，開機(jī)也好，都沒有壞管。不過感覺還是不好！關(guān)鍵詞：MOS

你現(xiàn)在沒有壞，只能說明你現(xiàn)在的這顆MOS可以承受620V的尖峰電壓。但是不等于顆顆都可以。不信，你就看批量生產(chǎn)中有沒有開機(jī)炸機(jī)的。

另外:600V的MOS，廠家晶圓在做的時(shí)候基本上都是按680V的承受指標(biāo)來做的。但是，由于差異性，有的可能可以承受680V，有的可能只能承受600多一點(diǎn)，而廠家的測試標(biāo)準(zhǔn)是按600V來測試的，這就是廠家為了批量生產(chǎn)的良品率而放的余量，所以，我們在使用的過程中，也應(yīng)該放置余量，不建議超負(fù)荷使用。

還有就是，MOS管的規(guī)格書中，確實(shí)有關(guān)于雪崩能量的數(shù)據(jù)，問題在于，他所給出的這個(gè)雪崩能量的數(shù)據(jù)是廠家在特定的溫度下，特定的頻率下，特定的占空比下測試給出的，那么，針對于我們實(shí)際使用中所超出的這部分尖峰電壓，

有誰能計(jì)算出這部分能量肯定沒有超出MOS規(guī)格書中所定義的雪崩能量，所以，MOS管在使用過程中的反峰電壓一定不能超過MOS管所規(guī)定的電壓，并應(yīng)該適當(dāng)放些余量。


關(guān)鍵詞：MOS管

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sangjuen
LV.8
18
2011-03-17 14:25
@瞌睡蟲
你現(xiàn)在沒有壞，只能說明你現(xiàn)在的這顆MOS可以承受620V的尖峰電壓。但是不等于顆顆都可以。不信，你就看批量生產(chǎn)中有沒有開機(jī)炸機(jī)的。另外:600V的MOS，廠家晶圓在做的時(shí)候基本上都是按680V的承受指標(biāo)來做的。但是，由于差異性，有的可能可以承受680V，有的可能只能承受600多一點(diǎn)，而廠家的測試標(biāo)準(zhǔn)是按600V來測試的，這就是廠家為了批量生產(chǎn)的良品率而放的余量，所以，我們在使用的過程中，也應(yīng)該放置余量，不建議超負(fù)荷使用。還有就是，MOS管的規(guī)格書中，確實(shí)有關(guān)于雪崩能量的數(shù)據(jù)，問題在于，他所給出的這個(gè)雪崩能量的數(shù)據(jù)是廠家在特定的溫度下，特定的頻率下，特定的占空比下測試給出的，那么，針對于我們實(shí)際使用中所超出的這部分尖峰電壓，有誰能計(jì)算出這部分能量肯定沒有超出MOS規(guī)格書中所定義的雪崩能量，所以，MOS管在使用過程中的反峰電壓一定不能超過MOS管所規(guī)定的電壓，并應(yīng)該適當(dāng)放些余量。關(guān)鍵詞：MOS管
兄臺所言極是！
1
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jepsun
LV.9
19
2011-03-17 15:15
@瞌睡蟲
你現(xiàn)在沒有壞，只能說明你現(xiàn)在的這顆MOS可以承受620V的尖峰電壓。但是不等于顆顆都可以。不信，你就看批量生產(chǎn)中有沒有開機(jī)炸機(jī)的。另外:600V的MOS，廠家晶圓在做的時(shí)候基本上都是按680V的承受指標(biāo)來做的。但是，由于差異性，有的可能可以承受680V，有的可能只能承受600多一點(diǎn)，而廠家的測試標(biāo)準(zhǔn)是按600V來測試的，這就是廠家為了批量生產(chǎn)的良品率而放的余量，所以，我們在使用的過程中，也應(yīng)該放置余量，不建議超負(fù)荷使用。還有就是，MOS管的規(guī)格書中，確實(shí)有關(guān)于雪崩能量的數(shù)據(jù)，問題在于，他所給出的這個(gè)雪崩能量的數(shù)據(jù)是廠家在特定的溫度下，特定的頻率下，特定的占空比下測試給出的，那么，針對于我們實(shí)際使用中所超出的這部分尖峰電壓，有誰能計(jì)算出這部分能量肯定沒有超出MOS規(guī)格書中所定義的雪崩能量，所以，MOS管在使用過程中的反峰電壓一定不能超過MOS管所規(guī)定的電壓，并應(yīng)該適當(dāng)放些余量。關(guān)鍵詞：MOS管

的確如此！我也有這方面考慮。單個(gè)并不能代表所有！

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瞌睡蟲
LV.5
20
2011-03-17 15:54
@jepsun
的確如此！我也有這方面考慮。單個(gè)并不能代表所有！
你可以將初級的限流電阻加大，應(yīng)該可以抑制開機(jī)尖峰
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jepsun
LV.9
21
2011-03-17 15:57
@瞌睡蟲
你可以將初級的限流電阻加大，應(yīng)該可以抑制開機(jī)尖峰

限流電阻？是和MOS串聯(lián)的那個(gè)設(shè)置過流點(diǎn)的那個(gè)電阻吧？不能動了，以前調(diào)試反復(fù)很多次才確定下來比較合適的值。

很多東西回過頭來看，才發(fā)現(xiàn)有些細(xì)節(jié)做的不好！看來路還很長??！


關(guān)鍵詞：MOS

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jepsun
LV.9
22
2011-03-17 16:01
@瞌睡蟲
不是啟動電阻，是將初級限流電阻增大 

我理解你的意思！

你指的是：和MOS串聯(lián)的、設(shè)置過流點(diǎn)的那個(gè)電阻。對吧？

我說啟動電阻，是想延遲IC工作時(shí)間。這是我自己考慮的。今天試了下，感覺沒有效果·。


關(guān)鍵詞：MOS

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jepsun
LV.9
23
2011-03-17 16:02
@
這個(gè)跟工作狀態(tài)DCM,CCM有關(guān)系嗎？有什么關(guān)系？[圖片]
我覺得沒有關(guān)系！
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tonyan99
LV.2
24
2011-03-18 09:52

 請高手來幫我看看這個(gè)問題！

藍(lán)色是Vds，綠色是驅(qū)動。

在264V輸入，開機(jī)瞬間，過沖電壓，但此時(shí)，IC還沒有啟動，尚未工作，此能量是否會造成MOS損壞？能否解決？不可再加大電容！


關(guān)鍵詞：MOS

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jepsun
LV.9
25
2011-03-18 12:05
@tonyan99
[圖片] 請高手來幫我看看這個(gè)問題！藍(lán)色是Vds，綠色是驅(qū)動。在264V輸入，開機(jī)瞬間，過沖電壓，但此時(shí)，IC還沒有啟動，尚未工作，此能量是否會造成MOS損壞？能否解決？不可再加大電容！關(guān)鍵詞：MOS
是608V那個(gè)吧。MOS 的耐壓是600的嗎。IC啟動，有輸出時(shí)的過沖是多少。。
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atangatang
LV.2
26
2011-03-21 10:48
遇到過此問題，如果是反激，可以增加芯片軟啟動，同時(shí)在啟動電容并聯(lián)一個(gè)電阻跟啟動電阻串聯(lián)分壓，可解決此問題。
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2011-03-21 10:57

遇到過這樣的問題.

1.減少輸出電容的容量有效減少M(fèi)OS的反峰

2.增加了瞬變抑制二極管,參數(shù)選擇正常工作時(shí)不導(dǎo)通.


關(guān)鍵詞：MOS  二極管

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MYLAPLACE
LV.5
28
2011-03-22 08:52
@易揚(yáng)電子
遇到過這樣的問題.1.減少輸出電容的容量有效減少M(fèi)OS的反峰2.增加了瞬變抑制二極管,參數(shù)選擇正常工作時(shí)不導(dǎo)通.關(guān)鍵詞：MOS 二極管
留個(gè)記號~
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tonyan99
LV.2
29
2011-03-22 10:53
@atangatang
遇到過此問題，如果是反激，可以增加芯片軟啟動，同時(shí)在啟動電容并聯(lián)一個(gè)電阻跟啟動電阻串聯(lián)分壓，可解決此問題。

這是反激的 單級PFC，由于沒有大電容。造成的。 此時(shí)離IC啟動還遠(yuǎn)著呢，跟任何IC沒有關(guān)系。是AC電壓在峰值90度或270度的時(shí)候產(chǎn)生。

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fkuepfq
LV.4
30
2011-03-22 11:07
@易揚(yáng)電子
遇到過這樣的問題.1.減少輸出電容的容量有效減少M(fèi)OS的反峰2.增加了瞬變抑制二極管,參數(shù)選擇正常工作時(shí)不導(dǎo)通.關(guān)鍵詞：MOS 二極管
記號個(gè)
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lvyuanpu
LV.5
31
2011-03-22 14:05
@jepsun
限流電阻？是和MOS串聯(lián)的那個(gè)設(shè)置過流點(diǎn)的那個(gè)電阻吧？不能動了，以前調(diào)試反復(fù)很多次才確定下來比較合適的值。很多東西回過頭來看，才發(fā)現(xiàn)有些細(xì)節(jié)做的不好！看來路還很長??！關(guān)鍵詞：MOS

我想他說的應(yīng)該是NTC。

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