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9910的MOSFET問題

我使用HV9910做了一個40V/270mA的LED驅(qū)動,MOSFET選用的4N60,測試一段時間之后MOSFET的D和S短路。換了之后正常,但是留了一個心眼,發(fā)現(xiàn)MOSFET比較熱,因此懷疑是熱擊穿,是不是熱擊穿之后D和S會短路???
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kevin2010
LV.5
2
2011-03-01 11:42

會的`````

怎么才10W就熱成這樣吖?我以前做20W```MOS才不到50度

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picpk
LV.3
3
2011-04-11 17:59
@kevin2010
會的`````怎么才10W就熱成這樣吖?我以前做20W```MOS才不到50度

輸入110V/220V,50Hz;輸出規(guī)格40V/300mA;系統(tǒng)頻率選用50kHz,變壓器選用EE13繞制,4.2mH;MOS選用2N60 TO-251封裝。最終測試效率110V—80%,220V-75%,效率感覺有點(diǎn)低,且MOS和變壓器發(fā)熱嚴(yán)重。

電感選用EC2510的繞制之后,效率可以提高5%,看來跟變壓器選用有很大關(guān)系,如果MOS選用4N60 TO-252封裝且在電路板上印制散熱銅皮,效果應(yīng)該會好些。

但是關(guān)鍵是模具腔體所限,只能使用EE13的磁心繞制電感,所以郁悶當(dāng)中,不知道有沒有大蝦給點(diǎn)好的建議。

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picpk
LV.3
4
2011-04-11 18:00
@picpk
輸入110V/220V,50Hz;輸出規(guī)格40V/300mA;系統(tǒng)頻率選用50kHz,變壓器選用EE13繞制,4.2mH;MOS選用2N60TO-251封裝。最終測試效率110V—80%,220V-75%,效率感覺有點(diǎn)低,且MOS和變壓器發(fā)熱嚴(yán)重。電感選用EC2510的繞制之后,效率可以提高5%,看來跟變壓器選用有很大關(guān)系,如果MOS選用4N60TO-252封裝且在電路板上印制散熱銅皮,效果應(yīng)該會好些。但是關(guān)鍵是模具腔體所限,只能使用EE13的磁心繞制電感,所以郁悶當(dāng)中,不知道有沒有大蝦給點(diǎn)好的建議。
 
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winsemi
LV.3
5
2011-04-11 23:00
@picpk
[圖片] 

不清楚什么原因,幫頂一下

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kalar
LV.1
6
2011-04-14 12:34
@picpk
輸入110V/220V,50Hz;輸出規(guī)格40V/300mA;系統(tǒng)頻率選用50kHz,變壓器選用EE13繞制,4.2mH;MOS選用2N60TO-251封裝。最終測試效率110V—80%,220V-75%,效率感覺有點(diǎn)低,且MOS和變壓器發(fā)熱嚴(yán)重。電感選用EC2510的繞制之后,效率可以提高5%,看來跟變壓器選用有很大關(guān)系,如果MOS選用4N60TO-252封裝且在電路板上印制散熱銅皮,效果應(yīng)該會好些。但是關(guān)鍵是模具腔體所限,只能使用EE13的磁心繞制電感,所以郁悶當(dāng)中,不知道有沒有大蝦給點(diǎn)好的建議。

D4改反向恢復(fù)時間快一點(diǎn)的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c

可以把電感改小,也能適量調(diào)高頻率 ,我試過參數(shù)66k時3.3mH,130K時1mH都還穩(wěn)定

mosfet如果質(zhì)量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試

如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本


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kalar
LV.1
7
2011-04-14 12:35
@kalar
D4改反向恢復(fù)時間快一點(diǎn)的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c可以把電感改小,也能適量調(diào)高頻率,我試過參數(shù)66k時3.3mH,130K時1mH都還穩(wěn)定mosfet如果質(zhì)量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本

D4改反向恢復(fù)時間快一點(diǎn)的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c

可以把電感改小,也能適量調(diào)高頻率,我試過參數(shù)66k3.3mH,130K1mH都還穩(wěn)定

mosfet如果質(zhì)量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試

如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本


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2011-04-15 21:51
我做18w的手感溫溫的 沒有遇到你說的現(xiàn)象啊 就像2貼說的 把你的圖貼出來 看看
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