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IGBT并聯(lián)技術(shù)請找我351190579

請找我351190579
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董萬華
LV.8
2
2011-02-08 15:56
不要賣關(guān)子:你說說,還不定正確否?
0
回復(fù)
2011-02-08 20:01

生產(chǎn)IGBT廠家都解決不了?找你有用嗎?

0
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2011-02-10 12:26
0
回復(fù)
2011-02-10 19:01
@D92-02@psii.com.hk
傳說中的牛人?![快恢復(fù)二極管富士ESAD92-02][場效應(yīng)管富士FMH23N50E]

請問怎么篩選

 

0
回復(fù)
hw09527
LV.5
6
2011-02-10 21:40
@sanhua0086
請問怎么篩選 

買什么關(guān)和場管一樣的不就行了.,

 

0
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2011-02-11 10:04
拿出來講講呀!
0
回復(fù)
魯焊
LV.7
8
2011-02-12 07:16

又有牛人出來了,復(fù)雜程度高的沒人會用的,呵呵

0
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王國其
LV.5
9
2011-02-12 13:51
@魯焊
又有牛人出來了,復(fù)雜程度高的沒人會用的,呵呵

 

0
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sendejinshu
LV.7
10
2011-02-12 19:32
@王國其
 
0
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aikstech
LV.1
11
2013-09-06 15:02

IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

胡永宏博士(艾克思科技)

 IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

 IGBT 飽和壓降Vsat實測值和官方參數(shù)對比 

通過電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法,均可增大電力電子裝置的功率等級。采用這兩種方法設(shè)計的大功變流器,結(jié)構(gòu)相對簡單,加之控制策略與小功率變流器相兼容,功率提升主要靠電力電子器件串并聯(lián)數(shù)目的增加來實現(xiàn),因此具有成本較低,便于不同功率等級變流器進(jìn)行模塊化設(shè)計和生產(chǎn)等優(yōu)點。

通過串聯(lián)IGBT可以提高變流器的電壓等級,而通過并聯(lián)IGBT則可以提高變流器的電流等級,從而提升變流器的功率等級??紤]到前者功率密度相對較低,從性價比出發(fā),IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。

1  IGBT并聯(lián)運行分析

1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素

1)       IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)的影響IGBT的飽和壓降Vce(sat)、反并聯(lián)二極管的正向壓降Vf主要影響靜態(tài)均流效果;IGBT的跨導(dǎo)gfs和柵極-發(fā)射級閾值電壓Vge_th、反并聯(lián)二極管的反向恢復(fù)特性(反向恢復(fù)時間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr等)主要影響動態(tài)均流效果。

2)       IGBT驅(qū)動電路參數(shù)的影響并聯(lián)IGBT的門極驅(qū)動電壓Vge的大小主要影響并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流,而門極驅(qū)動信號的變化率、門極驅(qū)動電阻Rg、驅(qū)動線路的布局和感抗等參數(shù)則對并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流有很大的影響。

3)       IGBT安裝的散熱考慮,如果IGBT散熱出現(xiàn)熱量過于集中,IGBT溫度差別大,會影響的溫度特性,形成正反饋現(xiàn)象。

4)       主電路結(jié)構(gòu)的影響主電路的結(jié)構(gòu)會造成線路感抗差異,并對并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流產(chǎn)生影響,而線路的電阻則影響靜態(tài)均流。

1.2 并聯(lián)技術(shù)遵循的原則

1)      模塊的選擇:通過選擇具有正溫度系數(shù)并且最好是同一批次的IGBT單元,可以提高器件參數(shù)的一致性,實現(xiàn)最好的靜態(tài)均流。

2)      共用驅(qū)動電路通過IGBT驅(qū)動電路參數(shù)的合理設(shè)計和共用同一驅(qū)動電路,可以提高IGBT開關(guān)速度、減小器件參數(shù)分布性的影響,改善動態(tài)均流的效果

3)      對稱布局并聯(lián)回路中所有的功率回路和驅(qū)動回路須保持最小回路漏感及嚴(yán)格的對稱布局,模塊應(yīng)盡量靠近,并優(yōu)化均衡散熱,以提高并聯(lián)IGBT的均流效果。

4)      串聯(lián)均流電感:交流輸出端串聯(lián)的電感可以抑制IGBT和二極管在開關(guān)過程中的電流變化率,可以大大減小由于開關(guān)過程的差異造成的電流不均衡,通過均流電感的合理設(shè)計可以確保并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流效果滿足設(shè)計要求。

5)      降額使用:即使IGBT模塊的選擇、共用驅(qū)動電路和優(yōu)化布局已達(dá)到最優(yōu),但其靜態(tài)和動態(tài)性能仍然不可能達(dá)到理想的均衡。更為重要的是,IGBT模塊內(nèi)部的反并聯(lián)續(xù)流二極管是雙極性器件,其正向通態(tài)壓降呈負(fù)溫度系數(shù),因此最好對IGBT進(jìn)行15%~20%的降額使用。

3 并聯(lián)技術(shù)整體設(shè)計

根據(jù)上述設(shè)計原則,本文設(shè)計了一個額定容量為250kVA的電路,三相交流輸出線電壓為380V,交流輸出相電流為380A,為滿足三相變流器在380V交流電壓下PWM整流器工作模式的需要,直流環(huán)節(jié)電壓設(shè)計為700V,整體設(shè)計結(jié)構(gòu)如圖1所示。


1 電路整體結(jié)構(gòu)電氣圖

電路IGBT模塊、控制單元、驅(qū)動單元、直流支撐電容(C10)、均流電感(L1L9)、吸收電容(C1C9)、兩個交流電流傳感器(x1x2)、兩個交流電壓傳感器(LV-2、LV-3)、一個直流電壓傳感器(LV-1)、共模磁環(huán)等變流器所需的重要零部件集成在一起,組成一個功能相對比較完整和獨立的模塊。

電路的每相半橋電路由3個并聯(lián)的IGBT半橋電路組成,每個IGBT半橋電路的中間引出端通過均流電感并聯(lián)在一起,以提高每個IGBT半橋單元的動態(tài)均流效果。

IGBT模塊的正負(fù)端通過復(fù)合母排連接到直流支撐電容的兩極上。選用復(fù)合母排不但有助于減小IGBT開關(guān)過程產(chǎn)生的過電壓,而且還可以降低電磁干擾,提高電路的電磁兼容(EMC)性能。

下面簡單介紹并聯(lián)設(shè)計中的IGBT管子參數(shù)選擇方法,因為IGBT是最為重要的器件,成功與否在與這個管子是否好使。

3.1 所有IGBT飽和壓降測試

工欲善其事,必先利其器!手頭上最好要有IGBT參數(shù)測試,測試IGBT的飽和壓降Vsat


2 IGBT的飽和壓降曲線

由于IGBT的特性,如果飽和壓降差別過大,會出現(xiàn)正反饋現(xiàn)象。這里需要將IGBT的不一致參數(shù)盡量壓縮小,上圖的參數(shù)中,測試精度要求為mV級別,最好選擇參數(shù)一致達(dá)到100mV內(nèi)的管子。

測試過程中,需要注意的事情:

第一:測試環(huán)境溫度保持恒定。

第二:測試使用脈沖電流,減小IGBT自身熱量,減小IGBT自身的溫度提高。

第三:測試使用自動模式測試,使用測試點頻率一致的測試調(diào)節(jié)。

參考儀器:IGBT-1200A。

3.2 所有IGBT內(nèi)建二極管飽和壓降測試

在使用同樣的方法,測試內(nèi)建二極管飽和壓降,他的壓降不同會導(dǎo)致靜態(tài)電流時,出現(xiàn)溫度升高不一致的情況。首先將IGBT的控制端GE短路,保證IGBT斷開,測試方式在使用測試IGBT飽和壓降的方法測試內(nèi)建二極管的飽和壓降。賽選的閾值設(shè)定依舊需要控制在100mV

參考儀器:IGBT-1200A。

3.3 所有IGBT內(nèi)建二極管反向恢復(fù)時間測試

內(nèi)建二極管的速度也是困擾并聯(lián)的一個重要因素。這個內(nèi)建二極管或者寄生二極管的速度如何,如果速度快,那就相當(dāng)beauty了,但是如果速度慢,那就悲哀了,還需要外接一個大容量,高速的二極管,麻煩呀,官方給定的資料不夠,看不出內(nèi)建二極管的速度。

參考儀器:DI-100二極管反向恢復(fù)測試儀,測試這個IGBT的內(nèi)建二極管速度。

測試結(jié)果給大家分享一下,如下圖。


7二極管反向恢復(fù)電流斜率         8 二極管反向恢復(fù)時間      

綜上可以看出        

實測數(shù)據(jù)

器件標(biāo)稱參數(shù)

測試反向電壓:300V

二極管正向?qū)娏鳎?/span>1.18*10=11.8A

二極管反向恢復(fù)電流:0.48*10=4.8A

二極管反向恢復(fù)電流斜率:12A/480nS=25A/uS

二極管反向恢復(fù)時間:280nS

官方數(shù)據(jù)手冊并未給出反相恢復(fù)時間曲線和數(shù)值。

4.試驗結(jié)果及分析

為測試硬件電路設(shè)計的正確性和控制系統(tǒng)工作的可靠性及電路在大容量工作下的穩(wěn)定性,作者搭建了無功并網(wǎng)實驗平臺,實驗電路如圖9所示。


9無功并網(wǎng)實驗電路圖

電路三相電流(Ia、Ib、Ic)BC相電壓(Ubc)如圖10所示,三相電流相位互差120°,電流峰值535A,諧波含量少、波形呈明顯的正弦曲線;Ib相位超前Ubc相位60°,由相電壓與線電壓相位關(guān)系得,Ib相位超前Ub相位90°,為無功并網(wǎng)實驗,運行容量250kVA。


10無功并網(wǎng)實驗波形

無功并網(wǎng)實驗表明,電路硬件系統(tǒng)設(shè)計合理、控制系統(tǒng)運行正常、系統(tǒng)重要部件溫升均符合工作要求,電路可以長期穩(wěn)定地運行在250kVA容量下。

5.結(jié)語

本文在理論研究的基礎(chǔ)上,研制出一個額定容量為250kVA的電路。它將中間支撐電容、傳感器、IGBT、驅(qū)動單元、散熱裝置和控制系統(tǒng)等變流器所需的重要器件集為一體,具有功能獨立、結(jié)構(gòu)緊湊、性價比高、功率等級便于進(jìn)一步提高等優(yōu)點。實驗結(jié)果表明該電路設(shè)計合理、運行可靠、滿足各項設(shè)計指標(biāo)、具有很高的應(yīng)用和推廣價值。

本文作者創(chuàng)新點:本文在電路設(shè)計過程中,引入了數(shù)項創(chuàng)新技術(shù)。例如,采用均流電感法提高并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流效果,且均流電感采用套磁環(huán)的方法設(shè)計;正負(fù)母排采用復(fù)合母排法設(shè)計,大大降低了電路中的雜散電感;實驗方法采用無功并網(wǎng)法,在保證實驗可靠、有效的情況,大大簡化了實驗平臺,節(jié)約了實驗費用。

參考文獻(xiàn):

[1] 王寶歸 曾國宏. 基于IGBT并聯(lián)技術(shù)的PEBB設(shè)計[J].

 IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

 IGBT 飽和壓降Vsat實測值和官方參數(shù)對比 

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