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MOS管柵極懸空時(shí)為什么是開(kāi)通的？

最近在做buck電路和一個(gè)開(kāi)關(guān)控制電路，用到mos管，搭建電路測(cè)試時(shí)，柵極懸空，結(jié)果mos管處于開(kāi)通狀態(tài)（接上led指示燈，亮），請(qǐng)問(wèn)各位大俠，這是為什么呢？

先謝謝了


關(guān)鍵詞：mos管

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bode
LV.9
2
2011-01-23 21:43

這個(gè)是彌勒效應(yīng)導(dǎo)致的。

D的電壓，通過(guò)Cgd耦合到了G端。

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hlp330
LV.9
3
2011-01-23 22:22
@bode
這個(gè)是彌勒效應(yīng)導(dǎo)致的。D的電壓，通過(guò)Cgd耦合到了G端。

如果D端是高壓的話，MOSFET豈不是被直接擊穿了


關(guān)鍵詞：MOSFET

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bode
LV.9
4
2011-01-23 22:25
@hlp330
如果D端是高壓的話，MOSFET豈不是被直接擊穿了關(guān)鍵詞：MOSFET
如果D端的高壓，沒(méi)超過(guò)VDS，怎么會(huì)擊穿呢？
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st.you
LV.10
5
2011-01-24 08:30

MOS的柵極可以認(rèn)為是一個(gè)電容，很容易被外界電荷所充電。

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zvszcs
LV.12
6
2011-01-24 08:35
@st.you
MOS的柵極可以認(rèn)為是一個(gè)電容，很容易被外界電荷所充電。

GS之間接個(gè)電阻，看它還能導(dǎo)通

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11455355
LV.9
7
2011-01-24 08:50

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的 電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10--20K。


關(guān)鍵詞：MOS

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2011-01-24 08:59
@11455355
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10--20K。關(guān)鍵詞：MOS

這個(gè)電阻阻值如果是1K或者5K以下有什么不妥嗎？？

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zvszcs
LV.12
9
2011-01-24 09:02
@難得一見(jiàn)hj
這個(gè)電阻阻值如果是1K或者5K以下有什么不妥嗎？？

也可以的，但是不宜過(guò)小

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hk2007
LV.8
10
2011-01-24 09:13
@11455355
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10--20K。關(guān)鍵詞：MOS
對(duì)的，我們一般接10K或15K的下拉電阻。
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cheng111
LV.11
11
2011-01-24 10:14
@bode
如果D端的高壓，沒(méi)超過(guò)VDS，怎么會(huì)擊穿呢？

MOS管GS之間有電壓極限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然電壓會(huì)不會(huì)壞？


關(guān)鍵詞：MOS管

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zvszcs
LV.12
12
2011-01-24 10:15
@cheng111
MOS管GS之間有電壓極限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然電壓會(huì)不會(huì)壞？關(guān)鍵詞：MOS管

會(huì)，現(xiàn)在好多都是20V的哦

 

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bode
LV.9
13
2011-01-24 10:17
@cheng111
MOS管GS之間有電壓極限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然電壓會(huì)不會(huì)壞？關(guān)鍵詞：MOS管

一般都是在正負(fù)20吧，沒(méi)有超過(guò)正負(fù)30V的。

柵極電壓超過(guò)這個(gè)范圍，肯定會(huì)擊穿的。

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cheng111
LV.11
14
2011-01-24 10:24
@bode
一般都是在正負(fù)20吧，沒(méi)有超過(guò)正負(fù)30V的。柵極電壓超過(guò)這個(gè)范圍，肯定會(huì)擊穿的。
哦。我看到有很多30V的，我以前還特別關(guān)注了。呵呵
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hk2007
LV.8
15
2011-01-24 10:31
@cheng111
哦。我看到有很多30V的，我以前還特別關(guān)注了。呵呵

剛看了一下，東芝的規(guī)格書(shū)上是+/-30V的。有些加20V穩(wěn)壓管，應(yīng)該是為了安全裕量吧

 

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bode
LV.9
16
2011-01-24 10:33
@hk2007
剛看了一下，東芝的規(guī)格書(shū)上是+/-30V的。有些加20V穩(wěn)壓管，應(yīng)該是為了安全裕量吧[圖片] 
這也是目前市面上GS耐壓的上限了，我還沒(méi)見(jiàn)過(guò)超過(guò)正負(fù)30V的。
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cheng111
LV.11
17
2011-01-24 10:35
@hk2007
剛看了一下，東芝的規(guī)格書(shū)上是+/-30V的。有些加20V穩(wěn)壓管，應(yīng)該是為了安全裕量吧[圖片] 
其實(shí)我們一般使用最多也就十幾V...不過(guò)有一些超寬壓 的高一點(diǎn)。
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hk2007
LV.8
18
2011-01-24 10:47
@cheng111
其實(shí)我們一般使用最多也就十幾V...不過(guò)有一些超寬壓的高一點(diǎn)。
是啊，IC的VCC電壓正常使用時(shí)，也才20V左右，所以驅(qū)動(dòng)電壓也不會(huì)太高了，一般都沒(méi)事……
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bode
LV.9
19
2011-01-24 10:49
@hk2007
是啊，IC的VCC電壓正常使用時(shí)，也才20V左右，所以驅(qū)動(dòng)電壓也不會(huì)太高了，一般都沒(méi)事……

Vth一般都是在2V左右，一些TTL MOS更低。米勒平臺(tái)在4V左右，過(guò)了8V，MOS一般都會(huì)飽和導(dǎo)通了。

 

關(guān)鍵詞：MOS

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MYLAPLACE
LV.5
20
2011-01-24 11:21
@zvszcs
GS之間接個(gè)電阻，看它還能導(dǎo)通[圖片]

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acbelpe
LV.6
21
2011-01-24 11:35

那是因?yàn)榇嬖诩纳?參數(shù)，G極開(kāi)路，只要VDS存在一定電壓，G極與S極之間也會(huì)存在壓差，所以會(huì)導(dǎo)通，如果VDS電壓過(guò)高，MOS會(huì)SHORT


關(guān)鍵詞：MOS

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hlp330
LV.9
22
2011-01-24 13:38
@acbelpe
那是因?yàn)榇嬖诩纳鷧?shù)，G極開(kāi)路，只要VDS存在一定電壓，G極與S極之間也會(huì)存在壓差，所以會(huì)導(dǎo)通，如果VDS電壓過(guò)高，MOS會(huì)SHORT關(guān)鍵詞：MOS
如果這個(gè)電阻用小了的話，會(huì)有什么問(wèn)題嗎？
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zvszcs
LV.12
23
2011-01-24 13:53
@hlp330
如果這個(gè)電阻用小了的話，會(huì)有什么問(wèn)題嗎？

小到一定的程度，驅(qū)受收到影響，芯片驅(qū)動(dòng)不了MOS

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hlp330
LV.9
24
2011-01-24 14:30
@zvszcs
小到一定的程度，驅(qū)受收到影響，芯片驅(qū)動(dòng)不了MOS
電阻小一點(diǎn)的話，保證驅(qū)動(dòng)足夠，效果是不是好一些呢？
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bode
LV.9
25
2011-01-24 15:04
@hlp330
電阻小一點(diǎn)的話，保證驅(qū)動(dòng)足夠，效果是不是好一些呢？

23樓說(shuō)的應(yīng)該是GS間的電阻太小，驅(qū)動(dòng)不了MOS。


關(guān)鍵詞：MOS

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liweisdut
LV.3
26
2011-01-25 14:12
@bode
這個(gè)是彌勒效應(yīng)導(dǎo)致的。D的電壓，通過(guò)Cgd耦合到了G端。

米勒效應(yīng)？暈暈的

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liweisdut
LV.3
27
2011-01-28 12:41

什么是彌勒效應(yīng)呢？從網(wǎng)上查了查，還不是很明白，有沒(méi)有人解釋一下？

謝謝了

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hlp330
LV.9
28
2011-01-28 16:12
@liweisdut
什么是彌勒效應(yīng)呢？從網(wǎng)上查了查，還不是很明白，有沒(méi)有人解釋一下？謝謝了

可以自己測(cè)試一下，MOSFET的驅(qū)動(dòng)的波形，看看有什么奇怪的地方，你就明白了


關(guān)鍵詞：MOSFET

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ccps
LV.7
29
2011-01-30 21:05
@zvszcs
GS之間接個(gè)電阻，看它還能導(dǎo)通[圖片]
這個(gè)方法不錯(cuò)，加個(gè)小電阻
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2011-02-15 15:52
@11455355
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10--20K。關(guān)鍵詞：MOS

我也覺(jué)得是 這個(gè) 原因!  彌勒效應(yīng) 有點(diǎn)牽強(qiáng)!

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nk6108
LV.8
31
2011-02-16 14:06
因 FET 的強(qiáng)電通道在結(jié)區(qū)外！
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