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反激電路中MOS的Vds波形若干問(wèn)題？

 

 

我們用示波器看反激電路中MOS的Vds波形實(shí)際往往是上圖所示的波形，而不是很多書(shū)上寫(xiě)的理想的平滑的波形；

上圖中(1)的尖峰是由于變壓器漏感導(dǎo)致的，那么上圖中(2)處的振鈴呢？是什么原因產(chǎn)生的，有人說(shuō)是能量...

歡迎大家說(shuō)出自己的理解．

 

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fandx
LV.2
2
2011-01-15 13:56

你換一下整流管，看看2處波形會(huì)不會(huì)變。

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oyangao
LV.2
3
2011-01-15 14:27
聽(tīng)聽(tīng)講！
0
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hk2007
LV.8
4
2011-01-15 15:29

出現(xiàn)2處的振蕩，說(shuō)明你的電源工作在DCM模式，很正常。

原因：MOS的結(jié)電容COSS與電感、漏感所產(chǎn)生的LC諧振。

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hk2007
LV.8
5
2011-01-15 15:32
liuhou
LV.9
6
2011-01-15 16:44
@hk2007
給你篇文章看一下：[圖片]01.RCDSNUBBER的學(xué)習(xí)資料DesignGuidelinesforRCDSnubberofFlyback 
不錯(cuò)，里面介紹的很清楚
0
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ccps
LV.7
7
2011-01-15 18:26
@liuhou
不錯(cuò)，里面介紹的很清楚
這篇文獻(xiàn)介紹的是反激的，請(qǐng)問(wèn)在其他拓?fù)渲谐霈F(xiàn)這種現(xiàn)象是不是也可以上述解釋呢？
0
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lulu2006
LV.2
8
2011-01-15 19:28
@ccps
這篇文獻(xiàn)介紹的是反激的，請(qǐng)問(wèn)在其他拓?fù)渲谐霈F(xiàn)這種現(xiàn)象是不是也可以上述解釋呢？
正激的是不是也這樣呢？
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hk2007
LV.8
9
2011-01-16 12:05
@lulu2006
正激的是不是也這樣呢？

沒(méi)做過(guò)正激的，不太了解……

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cheng111
LV.11
10
2011-01-16 21:35

這個(gè)時(shí)候你的電源是工作在DCM模式嗎？

冰版，說(shuō)過(guò)：反激工作在DCM模式下，都會(huì)這樣。我需要明天去證實(shí)...我以前也沒(méi)有關(guān)注過(guò)。

上面第四貼也說(shuō)了。

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cheng111
LV.11
11
2011-01-16 21:36
@hk2007
出現(xiàn)2處的振蕩，說(shuō)明你的電源工作在DCM模式，很正常。原因：MOS的結(jié)電容COSS與電感、漏感所產(chǎn)生的LC諧振。
頂一下....
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2011-01-16 22:22
@cheng111
這個(gè)時(shí)候你的電源是工作在DCM模式嗎？冰版，說(shuō)過(guò)：反激工作在DCM模式下，都會(huì)這樣。我需要明天去證實(shí)...我以前也沒(méi)有關(guān)注過(guò)。上面第四貼也說(shuō)了。

是的，第四貼說(shuō)的對(duì)，但振蕩還有變壓器的分布電容參與

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ccps
LV.7
13
2011-01-16 22:50
@心中有冰
是的，第四貼說(shuō)的對(duì)，但振蕩還有變壓器的分布電容參與

冰版，是不是在斷續(xù)模式下，有寄生電感或者寄生電容情況下都會(huì)出現(xiàn)這種情況？

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2011-01-16 22:55
@ccps
冰版，是不是在斷續(xù)模式下，有寄生電感或者寄生電容情況下都會(huì)出現(xiàn)這種情況？
你想想，DCM模式中，反激期間，初級(jí)繞組儲(chǔ)存的能力全部傳遞到次級(jí)了，如果都是理想情況不產(chǎn)生振蕩，那么這個(gè)電壓就等于直流母線電壓了
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bode
LV.9
15
2011-01-17 11:44
@cheng111
這個(gè)時(shí)候你的電源是工作在DCM模式嗎？冰版，說(shuō)過(guò)：反激工作在DCM模式下，都會(huì)這樣。我需要明天去證實(shí)...我以前也沒(méi)有關(guān)注過(guò)。上面第四貼也說(shuō)了。

第一個(gè)振蕩，主要是由漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生。

第二個(gè)振蕩，主要是由變壓器勵(lì)磁電感+漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生的。只是漏感一般遠(yuǎn)小于勵(lì)磁電感，所以振蕩頻率比第一個(gè)振蕩頻率低很多。

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hk2007
LV.8
16
2011-01-17 13:52
@bode
第一個(gè)振蕩，主要是由漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生。第二個(gè)振蕩，主要是由變壓器勵(lì)磁電感+漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生的。只是漏感一般遠(yuǎn)小于勵(lì)磁電感，所以振蕩頻率比第一個(gè)振蕩頻率低很多。
這個(gè)解釋的很全面。但二次側(cè)的相關(guān)電容、電感，如二極管寄生電容、輸出二極管并聯(lián)的RC電路，這些電容也會(huì)影向到振蕩頻率。
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perterlong
LV.6
17
2011-01-17 17:40
@hk2007
這個(gè)解釋的很全面。但二次側(cè)的相關(guān)電容、電感，如二極管寄生電容、輸出二極管并聯(lián)的RC電路，這些電容也會(huì)影向到振蕩頻率。
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jackson_19
LV.4
18
2011-01-22 14:16
@bode
第一個(gè)振蕩，主要是由漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生。第二個(gè)振蕩，主要是由變壓器勵(lì)磁電感+漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生的。只是漏感一般遠(yuǎn)小于勵(lì)磁電感，所以振蕩頻率比第一個(gè)振蕩頻率低很多。
如果工作是CCM模式，第二個(gè)振蕩就不會(huì)產(chǎn)生嗎？
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hk2007
LV.8
19
2011-01-22 16:14
@jackson_19
如果工作是CCM模式，第二個(gè)振蕩就不會(huì)產(chǎn)生嗎？

是的

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5846162
LV.5
20
2011-08-20 20:37
@心中有冰
你想想，DCM模式中，反激期間，初級(jí)繞組儲(chǔ)存的能力全部傳遞到次級(jí)了，如果都是理想情況不產(chǎn)生振蕩，那么這個(gè)電壓就等于直流母線電壓了
請(qǐng)問(wèn)冰版主，VDS我們知道是由輸入電壓，漏感產(chǎn)生的電壓，還有鉗位電壓組成，但從VDS波形上面來(lái)看，要如何判斷是如何組成的呢，能發(fā)圖講解一下嗎？
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2011-08-22 09:40
@5846162
請(qǐng)問(wèn)冰版主，VDS我們知道是由輸入電壓，漏感產(chǎn)生的電壓，還有鉗位電壓組成，但從VDS波形上面來(lái)看，要如何判斷是如何組成的呢，能發(fā)圖講解一下嗎？

鉗位電壓？是次級(jí)反射到初級(jí)的電壓吧。

圖紙1樓就有呀，你把反激的能量傳遞過(guò)程仔細(xì)的去研究一番，就會(huì)明白了

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zq2007
LV.11
22
2011-12-04 13:07
@hk2007
給你篇文章看一下：[圖片]01.RCDSNUBBER的學(xué)習(xí)資料DesignGuidelinesforRCDSnubberofFlyback 
下載啦，還不錯(cuò)。
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2012-10-31 11:11
@hk2007
沒(méi)做過(guò)正激的，不太了解……

支持你無(wú)私貢獻(xiàn).

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2013-05-24 15:25
@hk2007
是的
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zhxhui
LV.5
25
2013-05-24 23:15
@fandx
你換一下整流管，看看2處波形會(huì)不會(huì)變。
不會(huì)變，LZ看到的是DCM模式的，書(shū)上介紹的是CCM模式的
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chrisjiang
LV.1
26
2013-06-01 22:16
@hk2007
給你篇文章看一下：[圖片]01.RCDSNUBBER的學(xué)習(xí)資料DesignGuidelinesforRCDSnubberofFlyback 

從圖中波形看，DCM模式下，在VDS第二個(gè)振蕩時(shí)，id怎么沒(méi)有電流？

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2015-05-14 19:25
@心中有冰
鉗位電壓？是次級(jí)反射到初級(jí)的電壓吧。圖紙1樓就有呀，你把反激的能量傳遞過(guò)程仔細(xì)的去研究一番，就會(huì)明白了
請(qǐng)問(wèn)冰版主,反激大功率100-150W 工作在 那個(gè)模式好些，DCM好些嗎？還是?
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andy6
LV.6
28
2015-10-24 20:18
@lanqiquan122
[圖片]
測(cè)量MOS管DS波形，在MOS管關(guān)斷的時(shí)候，如果DS波形在關(guān)斷后期是直線沒(méi)有震蕩可以簡(jiǎn)單認(rèn)為是CCM，如果出現(xiàn)了震蕩，就是進(jìn)入了DCM了
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