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反激電路中MOS的Vds波形若干問(wèn)題?

 

 

我們用示波器看反激電路中MOS的Vds波形實(shí)際往往是上圖所示的波形,而不是很多書(shū)上寫(xiě)的理想的平滑的波形;

上圖中(1)的尖峰是由于變壓器漏感導(dǎo)致的,那么上圖中(2)處的振鈴呢?是什么原因產(chǎn)生的,有人說(shuō)是能量...

歡迎大家說(shuō)出自己的理解.

 

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fandx
LV.2
2
2011-01-15 13:56

你換一下整流管,看看2處波形會(huì)不會(huì)變。

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oyangao
LV.2
3
2011-01-15 14:27
聽(tīng)聽(tīng)講!
0
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hk2007
LV.8
4
2011-01-15 15:29

出現(xiàn)2處的振蕩,說(shuō)明你的電源工作在DCM模式,很正常。

原因:MOS的結(jié)電容COSS與電感、漏感所產(chǎn)生的LC諧振。

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hk2007
LV.8
5
2011-01-15 15:32
liuhou
LV.9
6
2011-01-15 16:44
@hk2007
給你篇文章看一下:[圖片]01.RCDSNUBBER的學(xué)習(xí)資料DesignGuidelinesforRCDSnubberofFlyback 
不錯(cuò),里面介紹的很清楚
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ccps
LV.7
7
2011-01-15 18:26
@liuhou
不錯(cuò),里面介紹的很清楚
這篇文獻(xiàn)介紹的是反激的,請(qǐng)問(wèn)在其他拓?fù)渲谐霈F(xiàn)這種現(xiàn)象是不是也可以上述解釋呢?
0
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lulu2006
LV.2
8
2011-01-15 19:28
@ccps
這篇文獻(xiàn)介紹的是反激的,請(qǐng)問(wèn)在其他拓?fù)渲谐霈F(xiàn)這種現(xiàn)象是不是也可以上述解釋呢?
正激的是不是也這樣呢?
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hk2007
LV.8
9
2011-01-16 12:05
@lulu2006
正激的是不是也這樣呢?

沒(méi)做過(guò)正激的,不太了解……

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cheng111
LV.11
10
2011-01-16 21:35

這個(gè)時(shí)候你的電源是工作在DCM模式嗎?

冰版,說(shuō)過(guò):反激工作在DCM模式下,都會(huì)這樣。我需要明天去證實(shí)...我以前也沒(méi)有關(guān)注過(guò)。

上面第四貼也說(shuō)了。

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cheng111
LV.11
11
2011-01-16 21:36
@hk2007
出現(xiàn)2處的振蕩,說(shuō)明你的電源工作在DCM模式,很正常。原因:MOS的結(jié)電容COSS與電感、漏感所產(chǎn)生的LC諧振。
頂一下....
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2011-01-16 22:22
@cheng111
這個(gè)時(shí)候你的電源是工作在DCM模式嗎?冰版,說(shuō)過(guò):反激工作在DCM模式下,都會(huì)這樣。我需要明天去證實(shí)...我以前也沒(méi)有關(guān)注過(guò)。上面第四貼也說(shuō)了。

是的,第四貼說(shuō)的對(duì),但振蕩還有變壓器的分布電容參與

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ccps
LV.7
13
2011-01-16 22:50
@心中有冰
是的,第四貼說(shuō)的對(duì),但振蕩還有變壓器的分布電容參與

冰版,是不是在斷續(xù)模式下,有寄生電感或者寄生電容情況下都會(huì)出現(xiàn)這種情況?

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2011-01-16 22:55
@ccps
冰版,是不是在斷續(xù)模式下,有寄生電感或者寄生電容情況下都會(huì)出現(xiàn)這種情況?
你想想,DCM模式中,反激期間,初級(jí)繞組儲(chǔ)存的能力全部傳遞到次級(jí)了,如果都是理想情況不產(chǎn)生振蕩,那么這個(gè)電壓就等于直流母線電壓了
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bode
LV.9
15
2011-01-17 11:44
@cheng111
這個(gè)時(shí)候你的電源是工作在DCM模式嗎?冰版,說(shuō)過(guò):反激工作在DCM模式下,都會(huì)這樣。我需要明天去證實(shí)...我以前也沒(méi)有關(guān)注過(guò)。上面第四貼也說(shuō)了。

第一個(gè)振蕩,主要是由漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生。

第二個(gè)振蕩,主要是由變壓器勵(lì)磁電感+漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生的。只是漏感一般遠(yuǎn)小于勵(lì)磁電感,所以振蕩頻率比第一個(gè)振蕩頻率低很多。

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hk2007
LV.8
16
2011-01-17 13:52
@bode
第一個(gè)振蕩,主要是由漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生。第二個(gè)振蕩,主要是由變壓器勵(lì)磁電感+漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生的。只是漏感一般遠(yuǎn)小于勵(lì)磁電感,所以振蕩頻率比第一個(gè)振蕩頻率低很多。
這個(gè)解釋的很全面。但二次側(cè)的相關(guān)電容、電感,如二極管寄生電容、輸出二極管并聯(lián)的RC電路,這些電容也會(huì)影向到振蕩頻率。
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perterlong
LV.6
17
2011-01-17 17:40
@hk2007
這個(gè)解釋的很全面。但二次側(cè)的相關(guān)電容、電感,如二極管寄生電容、輸出二極管并聯(lián)的RC電路,這些電容也會(huì)影向到振蕩頻率。
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jackson_19
LV.4
18
2011-01-22 14:16
@bode
第一個(gè)振蕩,主要是由漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生。第二個(gè)振蕩,主要是由變壓器勵(lì)磁電感+漏感和MOS的coss和變壓器分布電容產(chǎn)生的。只是漏感一般遠(yuǎn)小于勵(lì)磁電感,所以振蕩頻率比第一個(gè)振蕩頻率低很多。
如果工作是CCM模式,第二個(gè)振蕩就不會(huì)產(chǎn)生嗎?
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hk2007
LV.8
19
2011-01-22 16:14
@jackson_19
如果工作是CCM模式,第二個(gè)振蕩就不會(huì)產(chǎn)生嗎?

是的

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5846162
LV.5
20
2011-08-20 20:37
@心中有冰
你想想,DCM模式中,反激期間,初級(jí)繞組儲(chǔ)存的能力全部傳遞到次級(jí)了,如果都是理想情況不產(chǎn)生振蕩,那么這個(gè)電壓就等于直流母線電壓了
請(qǐng)問(wèn)冰版主,VDS我們知道是由輸入電壓,漏感產(chǎn)生的電壓,還有鉗位電壓組成,但從VDS波形上面來(lái)看,要如何判斷是如何組成的呢,能發(fā)圖講解一下嗎?
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2011-08-22 09:40
@5846162
請(qǐng)問(wèn)冰版主,VDS我們知道是由輸入電壓,漏感產(chǎn)生的電壓,還有鉗位電壓組成,但從VDS波形上面來(lái)看,要如何判斷是如何組成的呢,能發(fā)圖講解一下嗎?

鉗位電壓?是次級(jí)反射到初級(jí)的電壓吧。

圖紙1樓就有呀,你把反激的能量傳遞過(guò)程仔細(xì)的去研究一番,就會(huì)明白了

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zq2007
LV.11
22
2011-12-04 13:07
@hk2007
給你篇文章看一下:[圖片]01.RCDSNUBBER的學(xué)習(xí)資料DesignGuidelinesforRCDSnubberofFlyback 
下載啦,還不錯(cuò)。
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2012-10-31 11:11
@hk2007
沒(méi)做過(guò)正激的,不太了解……

支持你無(wú)私貢獻(xiàn).

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2013-05-24 15:25
@hk2007
是的
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zhxhui
LV.5
25
2013-05-24 23:15
@fandx
你換一下整流管,看看2處波形會(huì)不會(huì)變。
不會(huì)變,LZ看到的是DCM模式的,書(shū)上介紹的是CCM模式的
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chrisjiang
LV.1
26
2013-06-01 22:16
@hk2007
給你篇文章看一下:[圖片]01.RCDSNUBBER的學(xué)習(xí)資料DesignGuidelinesforRCDSnubberofFlyback 

從圖中波形看,DCM模式下,在VDS第二個(gè)振蕩時(shí),id怎么沒(méi)有電流?

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2015-05-14 19:25
@心中有冰
鉗位電壓?是次級(jí)反射到初級(jí)的電壓吧。圖紙1樓就有呀,你把反激的能量傳遞過(guò)程仔細(xì)的去研究一番,就會(huì)明白了
請(qǐng)問(wèn)冰版主,反激大功率100-150W 工作在 那個(gè)模式好些,DCM好些嗎?還是?
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andy6
LV.6
28
2015-10-24 20:18
@lanqiquan122
[圖片]
測(cè)量MOS管DS波形,在MOS管關(guān)斷的時(shí)候,如果DS波形在關(guān)斷后期是直線沒(méi)有震蕩可以簡(jiǎn)單認(rèn)為是CCM,如果出現(xiàn)了震蕩,就是進(jìn)入了DCM了
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