先看看,Pin4腳的電壓是否有6V?如果無,要調(diào)整頻率,使其達(dá)到6V先

那為什么我用這種線路設(shè)計(jì)T8 一拖一怎么沒有這種現(xiàn)象.我會(huì)現(xiàn)在就做實(shí)驗(yàn)看.我現(xiàn)在的工作頻率在43K左右.是調(diào)大還是調(diào)小.

這個(gè)跟你的輸出功率有關(guān),,,還有你的管壓與管流!!!

1.啟動(dòng)一下就滅.
首先姑且認(rèn)為你的電感未出現(xiàn)飽和,單純從過流角度分析,Vs點(diǎn)可能超過了3V,你不妨測(cè)試一下Vs-Com半波峰值.由于你采用了串管,觸發(fā)電壓比單管高很多,這時(shí)觸發(fā)電流應(yīng)該是:Iign=fign*c*Vign*2*pi,這里C表示回路的諧振電容,不難看出Vign提高后,Iign會(huì)提高(在同頻時(shí))C越大,Iign也會(huì)大.由于VS點(diǎn)兼顧了電流采樣的功能,通過了下MOSFET的Rds(on),顯然這點(diǎn)取樣電壓會(huì)高,基于CF>5保護(hù)以及VCC=15V,不難推斷出保護(hù)點(diǎn)在3V左右,那么如果大于3V,不管是否電感飽和,IC應(yīng)進(jìn)入保護(hù).式中表達(dá)的fign其實(shí)與諧振電容的根號(hào)分之一成正比,所以Iign=K*C^1/2,為增函數(shù),減小C可以降低I.同時(shí)采用Rds(on)更小的MOSFET可以降低最終的采樣電壓I*Rds(on)*2^1/2.
2.開關(guān)時(shí)不啟動(dòng).建議先解決掉第一個(gè)問題,同時(shí)再檢查Vcc是否低過欠壓門檻
3.滾光.建議在隔直電容處并上電阻,這個(gè)可以借鑒你原來2166,2156的方法.

T8觸發(fā)電壓低,你不但用了T5,而且還用了串管.差好多了.具體解釋,見第5貼

并上電阻后,滾光還是很嚴(yán)重,可否還有其他的解決問題的方案??

個(gè)人認(rèn)為問題1與問題2是同一個(gè)問題,是2520的CF誤保護(hù).解決方案是增大諧振電感的磁芯面積,或者增加線匝數(shù),解決啟動(dòng)時(shí)的電感飽和問題.
問題3是你自身電路設(shè)計(jì)的問題.非2520的缺陷.

C9放到燈的另一邊試試

諧振電感我采用EF25/160Ts  1.2mH GAP:2.4mm
還要加大GAP嗎?氣隙已足夠大了.

我采用相同的電壓預(yù)熱燈絲接法+APFC設(shè)計(jì)T5,沒有出線滾光現(xiàn)象.

C9放的位置或容值有問題

PCB 可能有問題

似乎你沒有理解上面說的一大堆,對(duì)于IC的鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì),如果直停留在那種:試-看結(jié)果-再試 的模式下,即使調(diào)出來,意義也不大.搞得換了個(gè)管子就真成一個(gè)新項(xiàng)目了,哪那么痛苦?

幾乎可以肯定地說,沒搞清楚原理,一定設(shè)計(jì)不出什么好東西的.設(shè)計(jì)要基于理解的基礎(chǔ)之上.

小劉同志,另外建議你一點(diǎn).別人給了建議,最好要給出結(jié)果

要結(jié)合線路啟動(dòng)頻率計(jì)算電感在起動(dòng)時(shí)的飽和程度.你根據(jù)主回路參數(shù)計(jì)算一下把吧.光有電感量是無法計(jì)算的.

他的電感多半不是飽和,可能是過流.實(shí)際當(dāng)中IR2520D的電感需要在諧振點(diǎn)的位置設(shè)計(jì)成飽和或者此時(shí)過流.否則,漏氣不保護(hù).

ass

諧振時(shí)當(dāng)然會(huì)飽和,當(dāng)2520檢測(cè)到CF到設(shè)定值時(shí),2520進(jìn)入保護(hù)態(tài).而LZ出現(xiàn)誤保護(hù)我懷疑就是這種保護(hù).所以建議調(diào)節(jié)電感避免這種誤保護(hù),而又不影響正常保護(hù).

誰說諧振時(shí)電感就一定會(huì)飽和?

除非是超級(jí)電感,磁芯特性決定的.如果串聯(lián)諧振回路中沒有阻性元件,諧振時(shí)電流是無窮大的.

兄弟,諧振和飽和是不同的東西.實(shí)際當(dāng)中也不可能是無窮大.
實(shí)際當(dāng)中IR2520D需要使電感至少在諧振點(diǎn)處達(dá)到飽和,以其滿足IR2520D的CF保護(hù)的功能.CF本身的計(jì)算是PEAK/RMS,本身并不表示實(shí)際電流的大小.

你的理解基本正確.在CF計(jì)算上有問題:你可以用一個(gè)實(shí)際例子計(jì)算一下.是達(dá)不到5的(用實(shí)際測(cè)量波形計(jì)算).
那么就回到什么時(shí)候CF飽和問題了.LZ調(diào)試中出現(xiàn)誤保護(hù)我認(rèn)為是CF保護(hù)的問題.并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù).在沒有達(dá)到諧振點(diǎn)處就保護(hù)了,所以燈沒有打亮.
可能是我沒有解釋清楚,你再好好考慮一下.

如果你看了我上面第5帖的回復(fù)應(yīng)該可以理解我在說什么.
2520內(nèi)部的5倍波峰比檢測(cè)原理,我已經(jīng)涉及到了.
這里面包含了過流還是飽和的概念.如果你堅(jiān)持一定出現(xiàn)飽和,你不妨看看把氣隙加大,看是不是一樣出現(xiàn)這個(gè)情況?
Crest Factor的定義就是如此,如果你有什么,不妨說說.
“...并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù)...”
你理解錯(cuò)了.

IR公司的CF定義絕對(duì)不是這樣的,不信你測(cè)試一下看看.差很多的.你可與IR的技術(shù)人員溝通一下.

到底你要想表達(dá)什么呢?
是CF的定義還是討論上面問題?
IR哪個(gè)人跟你說CF的定義的?

算了,你自己不測(cè)測(cè)看,你不會(huì)發(fā)現(xiàn)這個(gè)問題的.我不想再和你討論這個(gè)問題了.不能只看看資料就設(shè)計(jì)電路的.要根據(jù)自己的測(cè)試結(jié)果設(shè)計(jì)的.
IR提到的CF達(dá)到5,芯片保護(hù).你可以只把CF當(dāng)作一個(gè)代碼.它在這里決對(duì)不是一個(gè)周波內(nèi)峰值與有效值的比值的.

不是這,不是那,那是啥你可以說說?IC設(shè)計(jì)的鎮(zhèn)流器本來就是以機(jī)理為依據(jù)的,整個(gè)是嚴(yán)格的數(shù)學(xué)過程.機(jī)理如果不去仔細(xì)閱讀DATASHEET,你能測(cè)出啥.我確實(shí)不想討論這個(gè)了;如果你有新發(fā)現(xiàn),不妨直接給出你的CF新發(fā)現(xiàn)即可.是對(duì)是錯(cuò),都沒關(guān)系.

go on

啟動(dòng)后燈滅,由于樓主采用了T5管串聯(lián),我認(rèn)為多半還是觸發(fā)電壓不夠造成,CF誤保護(hù)的可能性很小,

就著個(gè)方案,有沒有做成功的?
我想只有自己動(dòng)手作了.發(fā)言才比較心得.

這根本就不是個(gè)什么新鮮玩意,很普通的現(xiàn)象.只是由于很多人對(duì)現(xiàn)象缺乏足夠的認(rèn)識(shí),導(dǎo)致出了問題不知道如何分析而已.不信過段讓上面的小劉回個(gè)結(jié)果就知道了.