1134714815.doc
大家好,我現(xiàn)在采用這個(gè)電路設(shè)計(jì)Ballast.調(diào)試過程中遇到這樣一個(gè)問題:1:接通電源時(shí),有時(shí)候燈管啟動(dòng)一下就滅了.特別是采用菲利蒲燈管.
2:接通電源后,燈能正常點(diǎn)亮,點(diǎn)一段時(shí)間后,連續(xù)的開關(guān)電源,剛開始開關(guān)正常,五到十次連續(xù)的開關(guān)后會(huì)出現(xiàn)連燈管都不啟動(dòng)一下的現(xiàn)象,就象進(jìn)入了保護(hù)狀態(tài).
3:調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)滾光現(xiàn)象特別嚴(yán)重.
請(qǐng)幫忙分析這寫是什么原因造成.該如何改善這種情況.
小弟我先謝謝各位!!!
IR2520D 調(diào)試中遇到的問題
全部回復(fù)(35)
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1.啟動(dòng)一下就滅.
首先姑且認(rèn)為你的電感未出現(xiàn)飽和,單純從過流角度分析,Vs點(diǎn)可能超過了3V,你不妨測(cè)試一下Vs-Com半波峰值.由于你采用了串管,觸發(fā)電壓比單管高很多,這時(shí)觸發(fā)電流應(yīng)該是:Iign=fign*c*Vign*2*pi,這里C表示回路的諧振電容,不難看出Vign提高后,Iign會(huì)提高(在同頻時(shí))C越大,Iign也會(huì)大.由于VS點(diǎn)兼顧了電流采樣的功能,通過了下MOSFET的Rds(on),顯然這點(diǎn)取樣電壓會(huì)高,基于CF>5保護(hù)以及VCC=15V,不難推斷出保護(hù)點(diǎn)在3V左右,那么如果大于3V,不管是否電感飽和,IC應(yīng)進(jìn)入保護(hù).式中表達(dá)的fign其實(shí)與諧振電容的根號(hào)分之一成正比,所以Iign=K*C^1/2,為增函數(shù),減小C可以降低I.同時(shí)采用Rds(on)更小的MOSFET可以降低最終的采樣電壓I*Rds(on)*2^1/2.
2.開關(guān)時(shí)不啟動(dòng).建議先解決掉第一個(gè)問題,同時(shí)再檢查Vcc是否低過欠壓門檻
3.滾光.建議在隔直電容處并上電阻,這個(gè)可以借鑒你原來2166,2156的方法.
首先姑且認(rèn)為你的電感未出現(xiàn)飽和,單純從過流角度分析,Vs點(diǎn)可能超過了3V,你不妨測(cè)試一下Vs-Com半波峰值.由于你采用了串管,觸發(fā)電壓比單管高很多,這時(shí)觸發(fā)電流應(yīng)該是:Iign=fign*c*Vign*2*pi,這里C表示回路的諧振電容,不難看出Vign提高后,Iign會(huì)提高(在同頻時(shí))C越大,Iign也會(huì)大.由于VS點(diǎn)兼顧了電流采樣的功能,通過了下MOSFET的Rds(on),顯然這點(diǎn)取樣電壓會(huì)高,基于CF>5保護(hù)以及VCC=15V,不難推斷出保護(hù)點(diǎn)在3V左右,那么如果大于3V,不管是否電感飽和,IC應(yīng)進(jìn)入保護(hù).式中表達(dá)的fign其實(shí)與諧振電容的根號(hào)分之一成正比,所以Iign=K*C^1/2,為增函數(shù),減小C可以降低I.同時(shí)采用Rds(on)更小的MOSFET可以降低最終的采樣電壓I*Rds(on)*2^1/2.
2.開關(guān)時(shí)不啟動(dòng).建議先解決掉第一個(gè)問題,同時(shí)再檢查Vcc是否低過欠壓門檻
3.滾光.建議在隔直電容處并上電阻,這個(gè)可以借鑒你原來2166,2156的方法.
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@ken21cn
1.啟動(dòng)一下就滅.首先姑且認(rèn)為你的電感未出現(xiàn)飽和,單純從過流角度分析,Vs點(diǎn)可能超過了3V,你不妨測(cè)試一下Vs-Com半波峰值.由于你采用了串管,觸發(fā)電壓比單管高很多,這時(shí)觸發(fā)電流應(yīng)該是:Iign=fign*c*Vign*2*pi,這里C表示回路的諧振電容,不難看出Vign提高后,Iign會(huì)提高(在同頻時(shí))C越大,Iign也會(huì)大.由于VS點(diǎn)兼顧了電流采樣的功能,通過了下MOSFET的Rds(on),顯然這點(diǎn)取樣電壓會(huì)高,基于CF>5保護(hù)以及VCC=15V,不難推斷出保護(hù)點(diǎn)在3V左右,那么如果大于3V,不管是否電感飽和,IC應(yīng)進(jìn)入保護(hù).式中表達(dá)的fign其實(shí)與諧振電容的根號(hào)分之一成正比,所以Iign=K*C^1/2,為增函數(shù),減小C可以降低I.同時(shí)采用Rds(on)更小的MOSFET可以降低最終的采樣電壓I*Rds(on)*2^1/2.2.開關(guān)時(shí)不啟動(dòng).建議先解決掉第一個(gè)問題,同時(shí)再檢查Vcc是否低過欠壓門檻3.滾光.建議在隔直電容處并上電阻,這個(gè)可以借鑒你原來2166,2156的方法.
并上電阻后,滾光還是很嚴(yán)重,可否還有其他的解決問題的方案??
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@ammi
我采用相同的電壓預(yù)熱燈絲接法+APFC設(shè)計(jì)T5,沒有出線滾光現(xiàn)象.
似乎你沒有理解上面說的一大堆,對(duì)于IC的鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì),如果直停留在那種:試-看結(jié)果-再試 的模式下,即使調(diào)出來,意義也不大.搞得換了個(gè)管子就真成一個(gè)新項(xiàng)目了,哪那么痛苦?
幾乎可以肯定地說,沒搞清楚原理,一定設(shè)計(jì)不出什么好東西的.設(shè)計(jì)要基于理解的基礎(chǔ)之上.
小劉同志,另外建議你一點(diǎn).別人給了建議,最好要給出結(jié)果
幾乎可以肯定地說,沒搞清楚原理,一定設(shè)計(jì)不出什么好東西的.設(shè)計(jì)要基于理解的基礎(chǔ)之上.
小劉同志,另外建議你一點(diǎn).別人給了建議,最好要給出結(jié)果
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@ken21cn
兄弟,諧振和飽和是不同的東西.實(shí)際當(dāng)中也不可能是無窮大.實(shí)際當(dāng)中IR2520D需要使電感至少在諧振點(diǎn)處達(dá)到飽和,以其滿足IR2520D的CF保護(hù)的功能.CF本身的計(jì)算是PEAK/RMS,本身并不表示實(shí)際電流的大小.
你的理解基本正確.在CF計(jì)算上有問題:你可以用一個(gè)實(shí)際例子計(jì)算一下.是達(dá)不到5的(用實(shí)際測(cè)量波形計(jì)算).
那么就回到什么時(shí)候CF飽和問題了.LZ調(diào)試中出現(xiàn)誤保護(hù)我認(rèn)為是CF保護(hù)的問題.并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù).在沒有達(dá)到諧振點(diǎn)處就保護(hù)了,所以燈沒有打亮.
可能是我沒有解釋清楚,你再好好考慮一下.
那么就回到什么時(shí)候CF飽和問題了.LZ調(diào)試中出現(xiàn)誤保護(hù)我認(rèn)為是CF保護(hù)的問題.并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù).在沒有達(dá)到諧振點(diǎn)處就保護(hù)了,所以燈沒有打亮.
可能是我沒有解釋清楚,你再好好考慮一下.
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@諧振器
你的理解基本正確.在CF計(jì)算上有問題:你可以用一個(gè)實(shí)際例子計(jì)算一下.是達(dá)不到5的(用實(shí)際測(cè)量波形計(jì)算).那么就回到什么時(shí)候CF飽和問題了.LZ調(diào)試中出現(xiàn)誤保護(hù)我認(rèn)為是CF保護(hù)的問題.并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù).在沒有達(dá)到諧振點(diǎn)處就保護(hù)了,所以燈沒有打亮.可能是我沒有解釋清楚,你再好好考慮一下.
如果你看了我上面第5帖的回復(fù)應(yīng)該可以理解我在說什么.
2520內(nèi)部的5倍波峰比檢測(cè)原理,我已經(jīng)涉及到了.
這里面包含了過流還是飽和的概念.如果你堅(jiān)持一定出現(xiàn)飽和,你不妨看看把氣隙加大,看是不是一樣出現(xiàn)這個(gè)情況?
Crest Factor的定義就是如此,如果你有什么,不妨說說.
“...并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù)...”
你理解錯(cuò)了.
2520內(nèi)部的5倍波峰比檢測(cè)原理,我已經(jīng)涉及到了.
這里面包含了過流還是飽和的概念.如果你堅(jiān)持一定出現(xiàn)飽和,你不妨看看把氣隙加大,看是不是一樣出現(xiàn)這個(gè)情況?
Crest Factor的定義就是如此,如果你有什么,不妨說說.
“...并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù)...”
你理解錯(cuò)了.
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@ken21cn
如果你看了我上面第5帖的回復(fù)應(yīng)該可以理解我在說什么.2520內(nèi)部的5倍波峰比檢測(cè)原理,我已經(jīng)涉及到了.這里面包含了過流還是飽和的概念.如果你堅(jiān)持一定出現(xiàn)飽和,你不妨看看把氣隙加大,看是不是一樣出現(xiàn)這個(gè)情況?CrestFactor的定義就是如此,如果你有什么,不妨說說.“...并不是在諧振點(diǎn)處保護(hù).否則就不能稱為誤保護(hù)...”你理解錯(cuò)了.
IR公司的CF定義絕對(duì)不是這樣的,不信你測(cè)試一下看看.差很多的.你可與IR的技術(shù)人員溝通一下.
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@諧振器
算了,你自己不測(cè)測(cè)看,你不會(huì)發(fā)現(xiàn)這個(gè)問題的.我不想再和你討論這個(gè)問題了.不能只看看資料就設(shè)計(jì)電路的.要根據(jù)自己的測(cè)試結(jié)果設(shè)計(jì)的.IR提到的CF達(dá)到5,芯片保護(hù).你可以只把CF當(dāng)作一個(gè)代碼.它在這里決對(duì)不是一個(gè)周波內(nèi)峰值與有效值的比值的.
不是這,不是那,那是啥你可以說說?IC設(shè)計(jì)的鎮(zhèn)流器本來就是以機(jī)理為依據(jù)的,整個(gè)是嚴(yán)格的數(shù)學(xué)過程.機(jī)理如果不去仔細(xì)閱讀DATASHEET,你能測(cè)出啥.我確實(shí)不想討論這個(gè)了;如果你有新發(fā)現(xiàn),不妨直接給出你的CF新發(fā)現(xiàn)即可.是對(duì)是錯(cuò),都沒關(guān)系.
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