首先說(shuō)一下輸入回路的電解電容，我們知道，逆變器的DC輸入電流通常很大，

一個(gè)12V  1000W 的逆變器輸入電流最大可達(dá)120A以上，此時(shí)輸入端的電解電容

的選擇就非常關(guān)鍵了，選擇不當(dāng)時(shí)，炸電解電容的故障就會(huì)變成‘家常便飯’了。

第二個(gè)要說(shuō)的就是對(duì)不同負(fù)載特性適應(yīng)性問(wèn)題。

這里又包含兩個(gè)問(wèn)題，1. 是逆變器自身的功率余量、允許最大帶載啟動(dòng)輸出電

流與過(guò)流保護(hù)措施；2. 是對(duì)不同特性如感性、容性、負(fù)阻性等負(fù)載的適應(yīng)性。

一般如果在技術(shù)上沒(méi)處理好這些問(wèn)題，產(chǎn)品在使用時(shí)就易出現(xiàn)各種問(wèn)題。

我剛來(lái)論壇不久，多謝版主的關(guān)注！

沒(méi)記錯(cuò)的話版主就是眾人仰慕的鐘工吧？

占位聽(tīng)課！

如果逆變器采用先升壓后逆變的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，那么怎么做過(guò)流保護(hù)才可靠？

自己觀點(diǎn)是過(guò)流后先關(guān)后級(jí)的逆變，再關(guān)前級(jí)。關(guān)掉前級(jí)晚點(diǎn)不會(huì)有問(wèn)題！

對(duì)于原器件的參數(shù)設(shè)定與選型一樣會(huì)影響到產(chǎn)品的可靠性，這個(gè)自不必多說(shuō)。但對(duì)MOS管、超快整流二極管來(lái)說(shuō)，不同的封裝形式對(duì)可靠性的影響有時(shí)差別十分明顯！不得不認(rèn)真重視之。

不同的封裝形式對(duì)可靠性的影響有時(shí)差別十分明顯

能講解上面那句話嗎？

ccps朋友你所說(shuō)到的“均流均壓” 這簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單四個(gè)字里不但包含平衡驅(qū)動(dòng)、PCB布

線均衡（布線的DC、AC電阻相等）、還包含了管體散熱均溫、MOS管的Ron動(dòng)

靜態(tài)匹配（選管）等問(wèn)題。

這個(gè)說(shuō)法不能說(shuō)不對(duì)，其實(shí)如已及時(shí)關(guān)掉了后級(jí)，一般前級(jí)的過(guò)流也就能自行解除了。

當(dāng)然實(shí)用時(shí)前級(jí)高頻大功率DC/DC與后級(jí)50Hz/60Hz逆變部分都應(yīng)具有性能良好的限流控制環(huán)路。

在談驅(qū)動(dòng)問(wèn)題前，先上一幅實(shí)測(cè)的推挽逆變電路的其中一邊MOS管的G極波形（1：1 藍(lán)）

與升壓變壓器的副邊電壓波（15：1 黃），這是電路處在滿載1000W  DC+24V輸入時(shí)的

實(shí)測(cè)波形，可以看到另一路MOS管導(dǎo)通時(shí)串入到截止MOS管的G極的干擾尖刺波形。

由于大部分逆變器的MOS管驅(qū)動(dòng)部分的供電與主振蕩IC一樣，都為單電源供電（用SG3525

輸出直驅(qū)管MOS的也不少見(jiàn)），因此驅(qū)動(dòng)波形以0V~+15V方波為多見(jiàn)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)波形如受

到干擾（見(jiàn)上圖尖刺部分），如接近達(dá)到MOS管的Vth值，則對(duì)系統(tǒng)的不良影響自不用多說(shuō)，

起碼也會(huì)影響效率與溫升。如采取一般的手段無(wú)法有效減低或避免這種干擾時(shí)，采用負(fù)壓

關(guān)斷也就很有必要了。這個(gè)問(wèn)題在專業(yè)的量產(chǎn)方案中，應(yīng)引起足夠的重視。

此圖為實(shí)測(cè)逆變器滿載時(shí)的推挽A相與B相MOS管的G極波形（1：10），由于采用了+15V開(kāi)通、-5V關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)方式，

同時(shí)精選低Qgs的功率MOS管，驅(qū)動(dòng)波形的“尖峰”干擾大為減少，也可看到由于采用了負(fù)壓關(guān)斷，滿載時(shí)從對(duì)方相位

串?dāng)_過(guò)來(lái)的“毛刺”被有效控制在0V線以內(nèi)（紅圈），確保截止時(shí)期的MOS管能絕對(duì)可靠地截止關(guān)斷。

負(fù)壓關(guān)斷方式可有效地把MOS管G極的“尖峰毛刺”壓制在0V以下的水平。

如采用0V關(guān)斷，任憑（如20樓的藍(lán)色波形）“干擾尖刺”的存在，則A相與B相存在著“瞬間共態(tài)導(dǎo)通”的危險(xiǎn)與可能性。

不知CCPS朋友是否已理解？

在說(shuō)環(huán)路反饋與過(guò)流保護(hù)前，接續(xù)4樓散熱話題，先來(lái)說(shuō)說(shuō)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與主功率管的散熱問(wèn)題。

舉一個(gè)實(shí)例：某山寨小企業(yè)抄板了某個(gè)已成熟的逆變電路，此電路在別人那里反映不錯(cuò)，而在自己這里的產(chǎn)品卻炸主功率MOS管的比例較高.....