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IC針對MOSFET的電流感應(yīng)波形做了LEB,但這尖波形成原因??

請教各位有經(jīng)驗的大師


我看了看波形這股尖波電流應(yīng)該不是從MOSFET本體流入

那麼最有可能就是從極間電容這條路徑形成

所以才會反映在電阻身上

但我卻不知更深一層的原因或是動作程序

麻煩有能力的大師幫我起個頭,好讓我繼續(xù)思考下去

謝謝

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2010-12-05 10:29
看了有點暈。。。上圖吧,然后說明清楚問題。
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hk2007
LV.8
3
2010-12-05 17:56
這個尖峰個人認(rèn)為是變壓器一次側(cè)寄生電容瞬間電壓的變化,而產(chǎn)生的尖峰電流。IC的LEB只是保證在LEB時間內(nèi),不會因為出現(xiàn)了大電流而動作。假設(shè)這個大電流的持續(xù)時間超過了LEB時間,那么IC的OCP就動作了。
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2010-12-06 23:21
@高等數(shù)學(xué)
看了有點暈。。。上圖吧,然后說明清楚問題。

圖如附件

另想請教因為我換MOSFET(Ciss Coss Crss)都會改變該尖波時間的長度以及高度

換輸出二極體也會(trr)

所以我推測該股電流當(dāng)時不是流過MOSFET的通道,應(yīng)該是流過極間電容??

無奈實力不夠無法進(jìn)行進(jìn)一步推測

另外想問的是一般IC都有做LEB,那麼線路上的RC真正功能是??

我的理解是RC充電做延遲般的阻擋??

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