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【討論】開關(guān)電源主輸出RC吸收電路對開關(guān)管VDS波形狀況

  

電路如上圖1、圖2。

在圖1中有功率電阻R11

兩個電路的測試開關(guān)管的VDS波形  圖1 VDS=580-600V  圖2 VDS=520V左右，現(xiàn)在不知圖2的的吸收電路怎么消耗熱能，圖2的電路我是在一個成品上看別人這樣子用法。圖1確是很多開源的用法。

 

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2010-11-22 14:10

第一種對后級整流管的尖峰抑制優(yōu)于第二種.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.

有點像"蹺蹺板"

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hlp330
LV.9
3
2010-11-22 14:25
@冰上鴨子
第一種對后級整流管的尖峰抑制優(yōu)于第二種.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.有點像"蹺蹺板"

看樓主的測試報告，第二種吸收的效果明顯好于第一種。

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2010-11-22 14:31
@hlp330
看樓主的測試報告，第二種吸收的效果明顯好于第一種。

hlp330團長 這個要權(quán)衡了,前面低了 后面就高了啊

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2010-11-22 14:37
@冰上鴨子
第一種對后級整流管的尖峰抑制優(yōu)于第二種.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.有點像"蹺蹺板"
從VDS的波形上來看,第二種優(yōu)越于第一種,  從主輸出的波形看第二種峰值高了30V現(xiàn)在問題看,能否改為第二種用法.
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2010-11-22 14:42
@13551289398
從VDS的波形上來看,第二種優(yōu)越于第一種, 從主輸出的波形看第二種峰值高了30V現(xiàn)在問題看,能否改為第二種用法.

我沒用過第二種,耐壓夠了應(yīng)該可以吧.希望高手給你解答.

 

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hlp330
LV.9
7
2010-11-22 14:45
@冰上鴨子
我沒用過第二種,耐壓夠了應(yīng)該可以吧.希望高手給你解答. 
樓主說的主輸出指的是什么？
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2010-11-22 14:48
@冰上鴨子
hlp330團長這個要權(quán)衡了,前面低了后面就高了啊
后面高了.主要對什么有影響是續(xù)流二極管的耐壓及輸出電容的耐壓?
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2010-11-22 14:49
@hlp330
樓主說的主輸出指的是什么？

兩組輸出,就現(xiàn)在這組為主輸出

后面高了.主要對什么有影響是續(xù)流二極管的耐壓及輸出電容的耐壓?

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冰上鴨子
LV.10
10
2010-11-22 14:50
@13551289398
后面高了.主要對什么有影響是續(xù)流二極管的耐壓及輸出電容的耐壓?

后極一般是超快恢復(fù)或肖特基整流管.

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冰上鴨子
LV.10
11
2010-11-22 14:52
@13551289398
兩組輸出,就現(xiàn)在這組為主輸出后面高了.主要對什么有影響是續(xù)流二極管的耐壓及輸出電容的耐壓?

后極一般是超快恢復(fù)或肖特基整流管.

是指對整流關(guān)的耐壓,對輸出電容應(yīng)該也會有影響.

對鉛酸電池也許會有好處!

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13551289398
LV.4
12
2010-11-22 14:54
@冰上鴨子
后極一般是超快恢復(fù)或肖特基整流管.是指對整流關(guān)的耐壓,對輸出電容應(yīng)該也會有影響.對鉛酸電池也許會有好處!

那就應(yīng)該沒有什么問題我后級用400V耐壓的二極管

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hlp330
LV.9
13
2010-11-22 14:55
@冰上鴨子
后極一般是超快恢復(fù)或肖特基整流管.是指對整流關(guān)的耐壓,對輸出電容應(yīng)該也會有影響.對鉛酸電池也許會有好處!

主要是對效率以及EMI的影響了。

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冰上鴨子
LV.10
14
2010-11-22 14:55
@hlp330
主要是對效率以及EMI的影響了。
是的
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13551289398
LV.4
15
2010-11-22 15:06
@冰上鴨子
是的

充電器這玩意,效率要求不高,EMI也沒有特別明顯的要求,現(xiàn)在只求穩(wěn)定!!!

我前期炸開關(guān)管,有點怕這玩意了

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冰上鴨子
LV.10
16
2010-11-22 15:10
@13551289398
充電器這玩意,效率要求不高,EMI也沒有特別明顯的要求,現(xiàn)在只求穩(wěn)定!!!我前期炸開關(guān)管,有點怕這玩意了
效率低損耗就高啊,損耗高了發(fā)熱量就大,你說會不會穩(wěn)定?
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13551289398
LV.4
17
2010-11-22 16:09
@冰上鴨子
效率低損耗就高啊,損耗高了發(fā)熱量就大,你說會不會穩(wěn)定?
現(xiàn)在整機功率147 W 輸出電流2.35A輸出電壓59V  開關(guān)管溫度很低,溫升在30度左右
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冰上鴨子
LV.10
18
2010-11-22 16:21
@13551289398
現(xiàn)在整機功率147W輸出電流2.35A輸出電壓59V 開關(guān)管溫度很低,溫升在30度左右
???????你測錯了吧?效率94%?  是第二種圖嗎?
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2010-11-22 16:29
@冰上鴨子
我沒用過第二種,耐壓夠了應(yīng)該可以吧.希望高手給你解答. 

我來說幾句吧

這是個老生常談的問題了，RC吸收VS 單個C吸收。

RC吸收是個阻尼吸收，怎么設(shè)定RC的參數(shù)，論壇里面做過很多的討論，我以前的帖子里有，你可以去看看，注意出現(xiàn)欠阻尼與過阻尼的情況，因為EMI與效率都會影響這個參數(shù)的設(shè)定。

C吸收應(yīng)該可以看成一個單純的儲能元件，利用電容兩端的電壓不能突變的特性來抑制突變的尖峰電壓。

至于那種吸收對VDS的影響大小，你可以在同一個電源上抓次級整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對比，就明白怎么回事了

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hlp330
LV.9
20
2010-11-22 16:59
@心中有冰
我來說幾句吧這是個老生常談的問題了，RC吸收VS單個C吸收。RC吸收是個阻尼吸收，怎么設(shè)定RC的參數(shù)，論壇里面做過很多的討論，我以前的帖子里有，你可以去看看，注意出現(xiàn)欠阻尼與過阻尼的情況，因為EMI與效率都會影響這個參數(shù)的設(shè)定。C吸收應(yīng)該可以看成一個單純的儲能元件，利用電容兩端的電壓不能突變的特性來抑制突變的尖峰電壓。至于那種吸收對VDS的影響大小，你可以在同一個電源上抓次級整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對比，就明白怎么回事了

樓主就測試一下這兩種吸收時，整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對比

把圖貼上來看看啊。

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power99se
LV.1
21
2010-11-22 19:54
**此帖已被管理員刪除**
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XXKGDY
LV.6
22
2010-11-23 09:50
@hlp330
樓主就測試一下這兩種吸收時，整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對比把圖貼上來看看啊。
學(xué)習(xí)中。
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chendelei
LV.8
23
2010-11-26 19:06
@power99se
**此帖已被管理員刪除**
學(xué)習(xí).
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holyfaith
LV.8
24
2010-11-26 21:08
@冰上鴨子
hlp330團長這個要權(quán)衡了,前面低了后面就高了啊

我們還是很關(guān)注VDS的，這么看好像只要電容效果還好些？

大家唱說的都是用RC

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holyfaith
LV.8
25
2010-11-26 21:09
@心中有冰
我來說幾句吧這是個老生常談的問題了，RC吸收VS單個C吸收。RC吸收是個阻尼吸收，怎么設(shè)定RC的參數(shù)，論壇里面做過很多的討論，我以前的帖子里有，你可以去看看，注意出現(xiàn)欠阻尼與過阻尼的情況，因為EMI與效率都會影響這個參數(shù)的設(shè)定。C吸收應(yīng)該可以看成一個單純的儲能元件，利用電容兩端的電壓不能突變的特性來抑制突變的尖峰電壓。至于那種吸收對VDS的影響大小，你可以在同一個電源上抓次級整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對比，就明白怎么回事了

單單從功耗上看，加了R，消耗能量是不是效率也低了

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2010-11-27 09:57
@holyfaith
單單從功耗上看，加了R，消耗能量是不是效率也低了

單從理論上來說，這個電阻起阻尼的作用，是需要消耗能量的

但從整個電源系統(tǒng)上來說，卻是不一定降低效率，因為它抑制了振蕩，其他的元件的損耗小了，所以大多數(shù)的情況下都加RC吸收

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jepsun
LV.9
27
2010-11-27 16:09
@13551289398
后面高了.主要對什么有影響是續(xù)流二極管的耐壓及輸出電容的耐壓?
應(yīng)該影響整流管的反壓！
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jepsun
LV.9
28
2010-11-27 16:12
@hlp330
樓主就測試一下這兩種吸收時，整流二極管的波形跟前面MOSFET的VDS波形對比把圖貼上來看看啊。

我周一去測試下!然后把圖貼上來，有點興趣！

問題在于整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。VDS參數(shù)，整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。也不能單純的追求一個參數(shù)。

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冰上鴨子
LV.10
29
2010-11-27 16:16
@jepsun
我周一去測試下!然后把圖貼上來，有點興趣！問題在于整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。VDS參數(shù)，整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。也不能單純的追求一個參數(shù)。

好的 等你的參數(shù)

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835041560
LV.5
30
2010-11-27 19:40
@jepsun
我周一去測試下!然后把圖貼上來，有點興趣！問題在于整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。VDS參數(shù)，整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。也不能單純的追求一個參數(shù)。

我用的是第二種，用第二種時MOS管的VDS降到540V左右，用第一種，VDS降不下來，且電阻很燙。

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2010-11-28 10:15
@835041560
我用的是第二種，用第二種時MOS管的VDS降到540V左右，用第一種，VDS降不下來，且電阻很燙。
這說明你的RC參數(shù)設(shè)計不到位
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