只是發(fā)了個線路圖上來,不清楚詳細的規(guī)格.
按照我的通常看法,大致有幾點疑問:
1,IC供電方式有點奇怪,沒有這樣用過,加二極管D1有何好處?
2,snubber部分加D2有何好處?
3,你的IC工作頻率涉及的元件太多,大批量產(chǎn)工作頻率會有較大差別;
4,結(jié)合上面第3點,就是說你的OVP保護方向不太對頭;
5,+5V,+12V繞組有公用部分,OVP保護控制+12V就可以了;
6,光藕合IC3直接與IC第1腳連接,怎么又用R11電阻接到地呢?不懂!
7,R6和C8的阻容值配合是否得當?
8,D6,D7,D8不需要snubber電路嗎?
9,假負載電阻是否適當,請考慮一下!
10,R21,R22,R24阻值不對吧!太大了,你算一下電流多大,夠用嗎?
以上意見可能有不同見解,請各位DX批評指正!

這麼多人閱讀過,為何不提點建議呢?

非常感謝你的建議啊,我將仔細研究研究.

對于你的建議:
1.供電方式加了D1我也不太懂,師父說可以去掉的;
2.snubber部分加D2是防止mos管過壓;
3,4點.我是想加一過壓保護才搞得這么復雜,還沒實際調(diào)試呢,不過你說的有道理,我得再考慮考慮
6.光耦處的接法我是參考的一個電路,R11接到地我也不知什么意思
7.對于4腳處的頻率設置電阻電容值,我只知道用公式f＝1.8/R*C,不知還要考慮其他什么因素,請指教.
8.D6.D7,D8可能需snubber
9. 假負載的選取我也不知應該考慮什么因素,還請指導
我還是新手,好多參數(shù)并未仔細推敲,各位多多指導了,多謝!

橋堆畫錯了.
OVP可用更簡潔的方法.如用Q1拉低Pin4或Pin1.

我再建議:
1,對你的2:D2可以省略;C3耐壓足夠;再考慮C3,R3,R4的匹配.
2,對你的3:過壓保護一般不用反饋了,二次側(cè)面用SCR轉(zhuǎn)變成短路保護也可.
3,對你的6:我后來看過了,你的接法用了IC里面的OP,很多時候沒有這樣用了,用電阻拉到PIN8,PIN2直接接地.
4,對你的7:同一頻率可以通過不同的阻容值進行匹配,R大C小或R小C大,PIN4的振蕩波形上升和下降時間不一樣,所以產(chǎn)生不同的影響,你可以看看IC DATASHEET.
5,對你的9:假負載應該先是估計的,調(diào)試樣機時在進行二次選擇.
以上大致說這么多,詳細你自己摸索,要多問!

謝謝你的建議,我將仔細琢磨,多謝!

1.D1可以加,但要接在橋堆前,可以降低損耗.
2.R11取1K太小,將使電路不能工作.
3.OVP電路接法有問題,可能使電源不能啟動.(啟動時動作)

D5可以去掉 mos管不是晶體管

逍遙子說得對,你應將近R11和Q1去掉
電路應該有動作

請問2腳接地有何不妥?請賜教!

小弟初學,有一問題實在想不通,請教各位:3842既然有R1R2供電,為何還要用D4整流供電,是用雙電源嗎?謝謝!

D1可以這么接,是接在橋之前減少啟動功耗,但D1用4148就不行了,查查4148的參數(shù)吧,耐壓和峰值電流都不夠.

1.snapper中的P6KE200可以不和RC吸收共用,如果用P6KE200的話也可以取消RC,但要注意P6KE200所吸收的峰值電壓不可過高.
2.保護線路可取PIN1和2比較穩(wěn)當些.
3.第一腳和第八腳之間還可以增加軟啟動線路,避免啟動時的DUTY過大.
以上幾點僅供參考!

怎么說也要IN4004

減小MOS管關斷時間,提高效率

請大俠賜教snubber中RCD的計算方法.謝謝!!!

接橋之前也不需要D1.

r11應該和c10串聯(lián)
光歐一個就行了
采樣電阻太大了

好像是由R1R2提供啟動電壓,啟動后變壓器提供電壓

Viper系列應該可以代替UC3842產(chǎn)品.

一直用啟動電壓供電不行嗎?

供電不足,你的啟動電壓可以提供幾毫安的電流?