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關(guān)于600V IGBT與1200V IGBT溫升區(qū)別的討論

我制作一臺五千瓦的電源原來用600V的IGBT，工作很好，由于要用三項電供電。準(zhǔn)備使用1200V的IGBT，只換IGBT和功率部分。發(fā)現(xiàn)工作參數(shù)基本沒變，但是IGBT的溫升明顯上升。工作幾分鐘即過溫保護。

或者將600V的IGBT直接換成1200V的用單項供電結(jié)果基本相同。實際測試飽和壓降為1.5v到1.7V，（小功率時）區(qū)別并不大。在3相供電時，滿功率1200v的IGBT飽和壓降為2.5V，峰值電流50A。輸出下降時間140nS，上升時間300nS

目前我正在測試用VMOS管代替IGBT，看溫升是否會更低。
請求有興趣的同仁共同討論。

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貼片機
LV.8
2
2010-10-27 18:22
不知你的電源用的什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后兩種功率管的門極電容大小也不同，對驅(qū)動功率的需求也不同，再然后，IGBT對頻率也有限制。。。
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2010-10-28 10:40

不知道你的門極驅(qū)動電阻變了沒有，如果沒變的話建議換一個試試。

飽和壓降上升說明導(dǎo)通損耗增大，IGBT沒有完全導(dǎo)通，所以發(fā)熱量增加。

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wcx_10
LV.1
4
2010-10-29 11:43
@貼片機
不知你的電源用的什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后兩種功率管的門極電容大小也不同，對驅(qū)動功率的需求也不同，再然后，IGBT對頻率也有限制。。。
電源為感性負(fù)載，變頻電源。IGBT的CE間接了202的電容。電容中串聯(lián)了10R的功率電阻。
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wcx_10
LV.1
5
2010-10-29 12:08
@貼片機
不知你的電源用的什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后兩種功率管的門極電容大小也不同，對驅(qū)動功率的需求也不同，再然后，IGBT對頻率也有限制。。。

工作頻率比較高測試時為30KHz左右。實際工作頻率為20~50KHz。

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wcx_10
LV.1
6
2010-10-29 12:10
@yhl200303041s
不知道你的門極驅(qū)動電阻變了沒有，如果沒變的話建議換一個試試。飽和壓降上升說明導(dǎo)通損耗增大，IGBT沒有完全導(dǎo)通，所以發(fā)熱量增加。
驅(qū)動用的是R RD方式，將電阻改為10R 1R測試基本相同。
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wcx_10
LV.1
7
2010-10-29 12:11
@yhl200303041s
不知道你的門極驅(qū)動電阻變了沒有，如果沒變的話建議換一個試試。飽和壓降上升說明導(dǎo)通損耗增大，IGBT沒有完全導(dǎo)通，所以發(fā)熱量增加。
飽和壓降2.5V，消耗功率100多瓦應(yīng)該不算大吧。
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happjsh
LV.7
8
2010-10-29 14:10

耐壓越高

管壓降越大


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wcx_10
LV.1
9
2010-10-29 16:26
@happjsh
耐壓越高管壓降越大
實際測試并非如此。600V IGBT飽和壓降為1.7V，1200V為1.5V。因為工作電流降低了一半。
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向輝軍
LV.6
10
2010-10-30 20:28
@wcx_10
實際測試并非如此。600VIGBT飽和壓降為1.7V，1200V為1.5V。因為工作電流降低了一半。
注意下IGBT的頻率特性，有很多IGBT上不了高頻，查下曲線吧。
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wcx_10
LV.1
11
2010-11-01 09:28
@向輝軍
注意下IGBT的頻率特性，有很多IGBT上不了高頻，查下曲線吧。

從能量角度看，下降時間兩種管子區(qū)別不大，所以導(dǎo)通損耗應(yīng)該接近。因為CE間有電容，所以上升時間越長應(yīng)該能量損耗越小。所以溫升好像不應(yīng)該有太大的區(qū)別。

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2010-11-01 09:30
@wcx_10
飽和壓降2.5V，消耗功率100多瓦應(yīng)該不算大吧。
你的頻率貌似有點太高了，一般IGBT工作頻率在20k以下，MOS管工作頻率可以做得比較高。
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wcx_10
LV.1
13
2010-11-01 17:54
@yhl200303041s
你的頻率貌似有點太高了，一般IGBT工作頻率在20k以下，MOS管工作頻率可以做得比較高。
參數(shù)表中，1200V的速度比600V的更高，所以溫升不應(yīng)該有太大的區(qū)別。
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