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2010-10-27 13:46
用的28070？交錯？
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zvszcs
LV.12
3
2010-10-27 13:57
@高等數(shù)學(xué)
用的28070？交錯？
不是，剛才拆開看一下，考，兩個MOS并聯(lián)，再并聯(lián)三個IGBT
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zvszcs
LV.12
4
2010-10-27 13:57
@zvszcs
不是，剛才拆開看一下，考，兩個MOS并聯(lián)，再并聯(lián)三個IGBT

pfc二極管4個并聯(lián)，

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2010-10-27 14:19
@zvszcs
pfc二極管4個并聯(lián)，

采樣的是什么芯片？

說的是5個管子并聯(lián)？2MOS+3IGBT?

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zvszcs
LV.12
6
2010-10-27 14:30
@高等數(shù)學(xué)
采樣的是什么芯片？說的是5個管子并聯(lián)？2MOS+3IGBT?

是的

 

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zvszcs
LV.12
7
2010-10-27 14:31
@zvszcs
是的 
UC2854
0
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2010-10-27 14:38
@zvszcs
UC2854

這芯片不了解，在UC3854后面出的？

這么并聯(lián)的話，驅(qū)動是不是有什么特別設(shè)計？

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zvszcs
LV.12
9
2010-10-27 15:02
@高等數(shù)學(xué)
這芯片不了解，在UC3854后面出的？這么并聯(lián)的話，驅(qū)動是不是有什么特別設(shè)計？

有的，驅(qū)動蠻多器件的

 

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2010-10-27 15:14
@zvszcs
有的，驅(qū)動蠻多器件的 

能否說說開關(guān)管這么并的理由？

如何實現(xiàn)之間的均流？

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zvszcs
LV.12
11
2010-10-27 15:35
@高等數(shù)學(xué)
能否說說開關(guān)管這么并的理由？如何實現(xiàn)之間的均流？
正在研究
0
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zvszcs
LV.12
12
2010-10-27 15:37
@zvszcs
pfc二極管4個并聯(lián)，
4個二極管還不一樣，3個一樣的，一個30A/600V，三個12A/600V并聯(lián)
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2010-10-27 15:44
@zvszcs
4個二極管還不一樣，3個一樣的，一個30A/600V，三個12A/600V并聯(lián)

成本的控制？？

又有均流的問題，疑惑中。。。

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2010-10-27 16:53

關(guān)注。。

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yacasu119
LV.2
15
2010-10-27 18:37
@高等數(shù)學(xué)
這芯片不了解，在UC3854后面出的？這么并聯(lián)的話，驅(qū)動是不是有什么特別設(shè)計？
2854和3854是同一個芯片，工業(yè)和民用的區(qū)別
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showgold
LV.2
16
2010-10-27 20:31
@zvszcs
正在研究
這怎么實現(xiàn)均流啊，，持續(xù)關(guān)注！  
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2010-10-27 21:03
@zvszcs
4個二極管還不一樣，3個一樣的，一個30A/600V，三個12A/600V并聯(lián)
奇怪的用法，關(guān)注中。。。
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liuhou
LV.9
18
2010-10-28 08:55
@on_the_way_li
關(guān)注。。
MOS和IGBT并聯(lián)，這個還是頭回聽說，那驅(qū)動怎么弄
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2010-10-28 09:20
@liuhou
MOS和IGBT并聯(lián)，這個還是頭回聽說，那驅(qū)動怎么弄

估計驅(qū)動還是分開的，讓IGBT先導(dǎo)通先關(guān)斷，MOS后導(dǎo)通后關(guān)斷。這樣可以利用IGBT導(dǎo)通損耗低的優(yōu)點，同時，因為IGBT先關(guān)斷，關(guān)斷時MOS還開著，這樣IGBT的電流拖尾問題就不是問題了。而MOS關(guān)斷快，關(guān)斷時結(jié)電容還能起著緩沖作用，關(guān)斷損耗低。

所以這么用可以利用兩個元件的優(yōu)勢互補(bǔ)，把缺點改善。

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zvszcs
LV.12
20
2010-10-28 09:23
@讓你記得我的好
估計驅(qū)動還是分開的，讓IGBT先導(dǎo)通先關(guān)斷，MOS后導(dǎo)通后關(guān)斷。這樣可以利用IGBT導(dǎo)通損耗低的優(yōu)點，同時，因為IGBT先關(guān)斷，關(guān)斷時MOS還開著，這樣IGBT的電流拖尾問題就不是問題了。而MOS關(guān)斷快，關(guān)斷時結(jié)電容還能起著緩沖作用，關(guān)斷損耗低。所以這么用可以利用兩個元件的優(yōu)勢互補(bǔ)，把缺點改善。

高，好像有個延時電路在驅(qū)動電路內(nèi)

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zvszcs
LV.12
21
2010-11-01 09:30
@讓你記得我的好
估計驅(qū)動還是分開的，讓IGBT先導(dǎo)通先關(guān)斷，MOS后導(dǎo)通后關(guān)斷。這樣可以利用IGBT導(dǎo)通損耗低的優(yōu)點，同時，因為IGBT先關(guān)斷，關(guān)斷時MOS還開著，這樣IGBT的電流拖尾問題就不是問題了。而MOS關(guān)斷快，關(guān)斷時結(jié)電容還能起著緩沖作用，關(guān)斷損耗低。所以這么用可以利用兩個元件的優(yōu)勢互補(bǔ)，把缺點改善。
 
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zvszcs
LV.12
22
2010-11-01 09:31
@zvszcs
[圖片] 
IGBT先導(dǎo)通，先關(guān)閉，時間約為600nS
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showgold
LV.2
23
2010-11-05 16:38
@讓你記得我的好
估計驅(qū)動還是分開的，讓IGBT先導(dǎo)通先關(guān)斷，MOS后導(dǎo)通后關(guān)斷。這樣可以利用IGBT導(dǎo)通損耗低的優(yōu)點，同時，因為IGBT先關(guān)斷，關(guān)斷時MOS還開著，這樣IGBT的電流拖尾問題就不是問題了。而MOS關(guān)斷快，關(guān)斷時結(jié)電容還能起著緩沖作用，關(guān)斷損耗低。所以這么用可以利用兩個元件的優(yōu)勢互補(bǔ)，把缺點改善。
高高??！震撼教育
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2010-11-05 21:37
@讓你記得我的好
估計驅(qū)動還是分開的，讓IGBT先導(dǎo)通先關(guān)斷，MOS后導(dǎo)通后關(guān)斷。這樣可以利用IGBT導(dǎo)通損耗低的優(yōu)點，同時，因為IGBT先關(guān)斷，關(guān)斷時MOS還開著，這樣IGBT的電流拖尾問題就不是問題了。而MOS關(guān)斷快，關(guān)斷時結(jié)電容還能起著緩沖作用，關(guān)斷損耗低。所以這么用可以利用兩個元件的優(yōu)勢互補(bǔ)，把缺點改善。
厲害，
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2010-11-05 21:38
@讓你記得我的好
估計驅(qū)動還是分開的，讓IGBT先導(dǎo)通先關(guān)斷，MOS后導(dǎo)通后關(guān)斷。這樣可以利用IGBT導(dǎo)通損耗低的優(yōu)點，同時，因為IGBT先關(guān)斷，關(guān)斷時MOS還開著，這樣IGBT的電流拖尾問題就不是問題了。而MOS關(guān)斷快，關(guān)斷時結(jié)電容還能起著緩沖作用，關(guān)斷損耗低。所以這么用可以利用兩個元件的優(yōu)勢互補(bǔ)，把缺點改善。
好版分析的很精辟，頂！
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2010-11-05 22:06
@zvszcs
IGBT先導(dǎo)通，先關(guān)閉，時間約為600nS
驅(qū)動問題解決了，均流方面再詳細(xì)說說。
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xmullp
LV.4
27
2010-11-06 09:41
@shenyang0628
好版分析的很精辟，頂！[圖片]
，學(xué)習(xí)下
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2010-11-06 10:20

仔細(xì)看了圖片，3KW,輸入用兩只整流橋，散熱片好像也不大，不知可靠性如何呢？

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he29
LV.4
29
2010-11-06 10:39
@xmullp
[圖片]，學(xué)習(xí)下
樓主能否告知一下這個PFC電路的體積有多大？頻率是多少K？電感是EE55的嗎？學(xué)習(xí)中請賜教！
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he29
LV.4
30
2010-11-06 10:42
@貼片機(jī)
仔細(xì)看了圖片，3KW,輸入用兩只整流橋，散熱片好像也不大，不知可靠性如何呢？
這個也是3KW的電源，有PFC電路，整機(jī)的體積很小，（300*75*130）MM
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he29
LV.4
31
2010-11-06 10:43
@he29
這個也是3KW的電源，有PFC電路，整機(jī)的體積很小，（300*75*130）MM
 
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