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吸收電容并聯(lián)可以提高du/dt值嗎？

 

通過計(jì)算吸收電容要有du/dt > 1000v/us。

手上的CDE 941C12W1K 的只有640V/us

想用2個(gè)或3個(gè)并聯(lián)可以提高這個(gè)速度嗎？ 謝謝。

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techcap
LV.2
2
2010-10-19 15:22
哥們肯定是用的1200vdc-1μF的吸收電容吧？
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joyeep
LV.2
3
2010-10-19 23:02

很納悶，不知道到底能不能并，這個(gè)值會(huì)提高嗎？

0
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bode
LV.9
4
2010-10-20 11:43
應(yīng)該可以，你試試看 不就知道了嗎？
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songxium
LV.7
5
2010-10-20 14:14
容值會(huì)升高，電壓變化率好像不變吧。
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2010-10-20 14:40

可以用！

是這樣子，就從電容本身來說，電壓上升速度沒有變。但容量大了，你實(shí)際電路的電壓上升速度降低了，所以可以用。但并不是提高了電容的du/dt。

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sl_power
LV.7
7
2010-10-20 22:59
@bode
應(yīng)該可以，你試試看不就知道了嗎？
計(jì)算上貌似可以，就是不知道實(shí)際應(yīng)用中能否可行
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joyeep
LV.2
8
2010-10-20 23:24
@讓你記得我的好
可以用！是這樣子，就從電容本身來說，電壓上升速度沒有變。但容量大了，你實(shí)際電路的電壓上升速度降低了，所以可以用。但并不是提高了電容的du/dt。

這樣子的啊，那么我防止IGBT 被尖峰擊穿，多用幾個(gè)電容并聯(lián)就可以了，對(duì)嗎？

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2010-10-21 09:59
@joyeep
這樣子的啊，那么我防止IGBT被尖峰擊穿，多用幾個(gè)電容并聯(lián)就可以了，對(duì)嗎？

要看你的吸收電路具體怎么做。并的電容太多了，開通損耗大，開通電流尖峰也大。

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joyeep
LV.2
10
2010-10-23 14:34
@讓你記得我的好
要看你的吸收電路具體怎么做。并的電容太多了，開通損耗大，開通電流尖峰也大。

 

我是用在半橋2端的吸收電容，起到橋電路在翻轉(zhuǎn)的時(shí)候由于布局產(chǎn)生的尖峰脈沖。這個(gè)是不是理論弄大一些好，還是必須采購(gòu)性能好的CDE 電容呢？

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