通過計(jì)算吸收電容要有du/dt > 1000v/us。
手上的CDE 941C12W1K 的只有640V/us
想用2個(gè)或3個(gè)并聯(lián)可以提高這個(gè)速度嗎? 謝謝。
很納悶,不知道到底能不能并,這個(gè)值會(huì)提高嗎?
可以用!
是這樣子,就從電容本身來說,電壓上升速度沒有變。但容量大了,你實(shí)際電路的電壓上升速度降低了,所以可以用。但并不是提高了電容的du/dt。
這樣子的啊,那么我防止IGBT 被尖峰擊穿,多用幾個(gè)電容并聯(lián)就可以了,對(duì)嗎?
要看你的吸收電路具體怎么做。并的電容太多了,開通損耗大,開通電流尖峰也大。
我是用在半橋2端的吸收電容,起到橋電路在翻轉(zhuǎn)的時(shí)候由于布局產(chǎn)生的尖峰脈沖。這個(gè)是不是理論弄大一些好,還是必須采購(gòu)性能好的CDE 電容呢?