你把它當(dāng)成一個(gè)無(wú)極性的開(kāi)關(guān)就行了.

從他的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)講, 完全可以.

我自己理解, 當(dāng)然沒(méi)問(wèn)題; 不理解它也成. 問(wèn)題是我現(xiàn)在某電子維修培訓(xùn)班里講課, 想到了這個(gè)問(wèn)題, 萬(wàn)一那天有個(gè)厲害點(diǎn)的學(xué)生讓我解釋, 我得讓他滿意, 更不至于跟電路基礎(chǔ)的老師產(chǎn)生解釋上的沖突.

你說(shuō)的從它的"結(jié)構(gòu)"上來(lái)講, 這個(gè)"結(jié)構(gòu)"是指純粹的一個(gè)N-MOSFET就有這種雙向?qū)щ娦詥? 我現(xiàn)在想深刻地了解其中的MOSFET起了哪些作用, 畢竟很多電路只用Zener.

很多資料將它稱作同步整流器(Synchronous Rectifier), 整流在西方電子的意義似乎是單向?qū)щ娭? 這個(gè)整流器是指它們倆還是只指MOSFET一個(gè).

可以,導(dǎo)通后是無(wú)極性的.

一個(gè)典型的NMOSFET結(jié)構(gòu)在所附的圖里, 你看他的source和drain完全是一樣的, 在做模擬集成電路的時(shí)候, 這兩端都可以用作source或drain, 只取決于你的連接方法. 比如, 你將其中的一端接地, 他就是source, 另一端連到其它地方, 他就是就是drain.

同步整流就是這么用的

LS-MOS的DS之間不是穩(wěn)壓,就是MOS的寄生二極管,國(guó)外很多二極管畫法像我們常見(jiàn)的穩(wěn)壓管畫法,MOS寄生二極管在MOS截止?fàn)顟B(tài)的特性就是快恢復(fù)二極管,在MOS導(dǎo)通時(shí)DS之間是對(duì)稱的電阻特性

高手如云...
上網(wǎng)這么多年, 訪問(wèn)過(guò)成千上萬(wàn)的網(wǎng)站了. 但是像電源網(wǎng)這么好的網(wǎng)站實(shí)在是少: 高手多, 大家也都親和, 而且網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性也相當(dāng)好. 更不會(huì)有亂七八糟的黃貼.

經(jīng)過(guò)眾位的解釋, 尤其是lijunkof先生一語(yǔ)道破先機(jī),我現(xiàn)在可以說(shuō), 明白了這個(gè)LS-MOSFET了:
1. 在HS-MOSFET截止時(shí)的死區(qū)時(shí)間里, 由寄生二極管先導(dǎo)通. 過(guò)了死區(qū), 這個(gè)N-MOSFET已具備了對(duì)稱特性; 這時(shí)在LS-MOSFET G極加了電壓, 那個(gè)N-MOSFET就導(dǎo)通, 并且電流從S->D.

在Leoken等先生的解釋下, 我還產(chǎn)生了如此見(jiàn)解:
2. 對(duì)于傳統(tǒng)的N-MOS(書本上講的), 它區(qū)別于P-MOS只是其G極用什么樣的電平來(lái)控制其是否導(dǎo)通或截止(放大區(qū)暫且不說(shuō)),而不是電流必須是D->S 或S-D中二選一. D和S的關(guān)鍵區(qū)別是在具體電路/電路理論書籍中, 一般共識(shí)地將電子流入的稱S, 流出的是D, D和S首先是邏輯上的意義; 物理上的意義是: 在生產(chǎn)過(guò)程中, 喜歡把中間的帶箭頭的那根線預(yù)先接到其中一端, 并且設(shè)計(jì)電路的人都約定俗成地把這端用做電子流入端, 也就我們的S端. 至于電流真正的流向, 它當(dāng)然既可以正著流, 也可以反著流.

完全可以那樣用,但有一點(diǎn)點(diǎn)不一樣.正常的用法,管子通過(guò)的電流在管內(nèi)形成的壓降是阻礙電流通過(guò)的,但反接剛好相反.對(duì)于大電流來(lái)說(shuō),不能不管著問(wèn)題.一般MOSFET管的G-S耐壓只有+—20V.如果驅(qū)動(dòng)用18V,再加上管子內(nèi)部形成的壓降,可能會(huì)大于20V.

你的回復(fù)中所說(shuō)的"過(guò)了死區(qū),這個(gè)N-MOSFET已具備了對(duì)稱特性"不對(duì),要開(kāi)通后DS之間才是對(duì)稱的電阻特性,還有LS-MOS的寄生二極管不會(huì)在死區(qū)里導(dǎo)通,因?yàn)镸OS的死區(qū)時(shí)間很短,遠(yuǎn)小于寄生二極管的恢復(fù)時(shí)間,實(shí)際上是反向恢復(fù)完之前就給LS-MOS的G加上高電平,當(dāng)LS-MOS作為續(xù)流二極管反向?qū)〞r(shí)LS-MOS就已經(jīng)開(kāi)通,是電阻特性,管壓降是導(dǎo)通電阻乘以電流,遠(yuǎn)小于寄生二極管的正向壓降,所以才能減少損耗,不然寄生二極管的特性比肖特基差遠(yuǎn)了

這樣用是可以的,不過(guò)得注意驅(qū)動(dòng)的方向不都是G-S哦?我用的半橋就出現(xiàn)過(guò)的,后來(lái)改過(guò)來(lái)了

以前誤區(qū):
1. 因?yàn)槲矣∠笾兴绤^(qū)時(shí)間大概是50ns左右, 原本以為那個(gè)穩(wěn)壓管(即寄生二極管)反應(yīng)速度應(yīng)該在ns極, 先行導(dǎo)通了, 以防止電感連續(xù)電流造成交叉點(diǎn)負(fù)壓過(guò)高, 損壞芯片;
2. 同時(shí), 導(dǎo)通的二極管因管壓降為0.3V左右, 這樣可以保障在LS-MOS開(kāi)啟時(shí)S-D間低壓差, 保護(hù)LS-MOSFET.
3. 以前對(duì)安全負(fù)壓(可被接受的,電感連接點(diǎn)瞬間負(fù)壓)產(chǎn)生原因的理解是: 因?yàn)榉€(wěn)壓管(即那個(gè)寄生二極管)導(dǎo)電性能不夠好, 否則就不會(huì)有負(fù)壓, 而且多并幾個(gè)LS-MOSFET就可分流, 可以降低安全負(fù)壓的絕對(duì)值.

現(xiàn)在新解:
1. 死區(qū)設(shè)計(jì)從現(xiàn)象上看是為防止HS-MOS和LS-MOS同時(shí)導(dǎo)通而造成交叉導(dǎo)通; 本質(zhì)上這段時(shí)間是讓電感來(lái)幫助LS-MOS-D極及其寄生二極管完成反向恢復(fù), 何況LS-MOS啟動(dòng)本身也需要一定的時(shí)間.
2. 死區(qū)就是死區(qū), 死區(qū)期間誰(shuí)也沒(méi)有完全導(dǎo)通. 穩(wěn)壓管(即寄生二極管)反應(yīng)速度即使確實(shí)在ns極, 它也不足以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通. 原因就在于該電路中它反向恢復(fù)的時(shí)間必然大于等于死區(qū)時(shí)間. 再快的二極管也需要在完全恢復(fù)完后才可能導(dǎo)通, 而未等它完全恢復(fù)時(shí), LS-MOS也已經(jīng)完全開(kāi)啟了. 又因LS-MOS飽和導(dǎo)通時(shí)管壓降低于PN結(jié)導(dǎo)通的最低壓降0.3V, 故這個(gè)寄生二極管自始至終并未導(dǎo)通.
3. 寄生二極管只是在LS-MOSFET截止時(shí)呈現(xiàn)的一個(gè)類似穩(wěn)壓二極管的特性, 而不是真得有那么一個(gè)二極管. 良好的設(shè)計(jì)可以保證, 死區(qū)期間在電感交叉點(diǎn)形成的負(fù)壓并不會(huì)太高, 不足以摧毀芯片. 不僅在電感交叉點(diǎn)會(huì)有負(fù)壓, 而且LS-MOSFET導(dǎo)通后, 在PGND處也可能有負(fù)壓(相對(duì)于AGND).

對(duì)于新解中的幾點(diǎn)說(shuō)法
死區(qū)是指HS-MOS G拉低到LS-MOS G拉高之間的時(shí)間,是為了避免HS-MOS未完全關(guān)斷前與LS-MOS直通,只不過(guò)死區(qū)時(shí)間很短,LS-MOS G拉高后直到開(kāi)通寄生二極管仍未完成恢復(fù),LS-MOS一旦開(kāi)通就已經(jīng)流過(guò)S->D的電流,寄生二極管恢復(fù)完成但不會(huì)開(kāi)通.
寄生二極管是確實(shí)存在的,是N-MOS P型體區(qū)與N型漂移層之間形成的一個(gè)寄生NPN型三極管的BC結(jié),反向恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)長(zhǎng),在幾十ns到幾百ns之間,與MOS電流容量成正比,與耐壓成指數(shù)關(guān)系增長(zhǎng).
電感交叉點(diǎn)形成的負(fù)壓在LS-MOS開(kāi)通前會(huì)被寄生二極管的反向恢復(fù)電流鉗位,直到LS-MOS開(kāi)通

反向恢復(fù)是因?yàn)樵趯?dǎo)通期間存儲(chǔ)了少數(shù)載流子而在導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止的時(shí)候發(fā)生的,導(dǎo)通的二極管要先完成恢復(fù)才能截止.由截止到導(dǎo)通基本不要時(shí)間.

實(shí)際的過(guò)程應(yīng)該是:輸出由高切換到低的時(shí)候,HS截止,在死區(qū)期間LS寄生二極管導(dǎo)通,然后LS導(dǎo)通.

輸出由低切換到高的時(shí)候,LS截止,在死區(qū)期間LS寄生二極管導(dǎo)通,然后在HS導(dǎo)通.這時(shí)候寄生二極管要經(jīng)過(guò)反向恢復(fù)才能截止,因此有很大的直通電流.當(dāng)反向恢復(fù)結(jié)束的時(shí)候這個(gè)電流很快的降低到0,產(chǎn)生很高的di/dt和dv/dt.這是產(chǎn)生EMI的重要原因,如果dv/dt太高還會(huì)燒管.

對(duì)了, 我們忘記討論高端輸出由低轉(zhuǎn)換到高這個(gè)過(guò)程了, 那時(shí)LS寄生二極管才真得派上用場(chǎng)了. 謝謝你的補(bǔ)充.

在此由我來(lái)做總結(jié)吧!

真誠(chéng)感謝諸位的解釋. 尤其感謝Leonken, Lijunkof 和 劍心等網(wǎng)友的精確闡述, 幾次三番. 真是辛苦了!

等我慢慢消化完這些解釋, 應(yīng)該能確切講述這個(gè)LS-MOSFET了. 我想如果我哪天將這些知識(shí)傳給了我的學(xué)生們, 將是對(duì)眾位最好的謝意!

All my best wishes and best regards to you all,
Chong-Ming WEI

功率器件里的工藝跟一般常用的集成電路里結(jié)構(gòu)還有些不一樣, 我提到只是針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝的結(jié)構(gòu). 功率器件用到的工藝跟標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝有些不一樣.

沒(méi)問(wèn)題, 我以標(biāo)準(zhǔn)工藝去理解它即可. 真碰到無(wú)法解釋的現(xiàn)象, 我再向你或其他網(wǎng)友們請(qǐng)教. 謝謝!

你好:你是weichongming ?豐縣二中畢業(yè)?我是shizhiwei 知道不?

請(qǐng)問(wèn)各位，這里的LS-MOSFET常用的型號(hào)有哪些？是不是一般的N-MOS都可以放在這里當(dāng)LS-MOSFET用呢？ 

支持。本來(lái)就是一個(gè)無(wú)極性的開(kāi)關(guān)。只是體內(nèi)有一個(gè)寄生二極管。

MOSFET由于它的結(jié)構(gòu)所致，對(duì)N-MOSFET,SOURCE-DRAIN就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)等效的PN結(jié)，實(shí)際也就是一個(gè)二極體了，當(dāng)MOSFET沒(méi)有導(dǎo)通時(shí)，這個(gè)二極體是客觀存在的，但當(dāng)MOSFET導(dǎo)通后，由于MOSFET的RDSON比較小，就相當(dāng)于把這個(gè)二極體短路了，也就不起作用了。此等效二極體在不同的場(chǎng)合，有不同的用途。

比如同步整流的應(yīng)用，在開(kāi)機(jī)或關(guān)機(jī)時(shí)，就要利用這個(gè)二極體來(lái)完成的。

 

可以。

反著流的話驅(qū)動(dòng)不太好接。要么就要用PMOS？