假如線圈電流在IGBT的允許范圍內(nèi)的話,半橋電路燒IGBT是不是只在兩管同時導通時才有可能會發(fā)生。提鍋、檢鍋都不可能使其出現(xiàn)擊穿?
假如這樣的話,那提鍋、檢鍋的話就可以按照正常條件下驅(qū)動IGBT。在這種情況下就可以進行檢鍋啦?
假如線圈電流在IGBT的允許范圍內(nèi)的話,半橋電路燒IGBT是不是只在兩管同時導通時才有可能會發(fā)生。提鍋、檢鍋都不可能使其出現(xiàn)擊穿?
假如這樣的話,那提鍋、檢鍋的話就可以按照正常條件下驅(qū)動IGBT。在這種情況下就可以進行檢鍋啦?
曾經(jīng)有過兩次半橋電路裝的H20T120管子,就是1200V單管電磁爐用的IGBT,最后都爆機了,現(xiàn)在還不知道什么原因,換600V的就都好了。
感覺也不是因為管子電流規(guī)格小,因為當時功率加的不大,我的電路是用2110驅(qū)動的,剛加熱一下,2110輸出波幅度就降到10 V了,所以分析可能是驅(qū)動不夠。
做單相3.5KW半橋電磁爐,遇到最難的問題是:1、結(jié)構沒做好,導致IGBT經(jīng)常過熱 ,整流橋橋采用800V 25A扁橋兩兩并聯(lián),為解決單管IGBT(600V/75A)上下橋散熱問題,上下橋IGBT的散熱器分開(如放一塊散熱器上,IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱),上橋散熱器上面還有兩整流橋。 2、單相電壓低,理論上整流濾波后直流DC為310V左右,但在實際應用中,不可能使用大容量電解電容,在3500W滿載的時候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負荷狀態(tài)。電流大,管壓降高是IGBT發(fā)熱的主要原因。3、IGBT共通的問題,硬件電路中結(jié)構選擇好,是可以避免的。
4、實際使用中,在絕大多數(shù)炸毀IGBT一般是在開機的瞬間損壞為最多。采用CE檢測電路進行檢測,雖然能報警停機,但IGBT損壞還是不能幸免,最后項目終止。
要想把感應加熱產(chǎn)品做好,軟件工程師,硬件工程師,結(jié)構工程師,缺一不可.
1 散熱,本身就是一個課程.要做好,真的不容易,需要大量的理論知識,再加上實驗數(shù)據(jù).風冷,水冷,熱管...... IGBT掂絕緣片,散熱效果當然打折扣了.風量,風速,風道,散熱片高度,厚度,鱗片密度,間距,IGBT及整流橋的安裝位置等等,都有很大的關系.
2 教科書的220V橋式整流后電容濾波,電壓311V.空載的時候是的,滿負載,只有210V左右.
3 共通問題,可以通過適當延長死區(qū)時間來避免,還有其它的方法.
4 檢測過流,有幾種方式,都有各自的優(yōu)缺點.電流互感器,錳銅絲,霍爾,CE壓降,串聯(lián)電阻讀壓降等.最好就能幾個檢測手段互補.
我不是做電磁加熱的,我不懂多少,各位見諒.