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,講詳細(xì),方便研究研究@馮答
講解下原理，讓我學(xué)學(xué)
由于單向可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1
表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件
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狀態(tài) |
條件 |
說明 |
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從關(guān)斷到導(dǎo)通 |
1、陽極電位高于陰極電位 2、控制極有足夠的正向電壓和電流 |
兩者缺一不可 |
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維持導(dǎo)通 |
1、陽極電位高于陰極電位 2、陽極電流大于維持電流 |
兩者缺一不可 |
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從導(dǎo)通到關(guān)斷 |
1、陽極電位低于陰極電位 2、陽極電流小于維持電流 |
任一條件即可 |
就是這個(gè)關(guān)斷不好搞啊，優(yōu)點(diǎn)太多了它能在高電壓、大電流條件下工作，體積?。灰孕」β士刂拼蠊β?，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
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@kgdwang
頂一個(gè)!!!看不太懂，麻煩樓主解說一下。
呵呵，原理嘛，sangjuen前輩的貼子里講得很明白啦，我復(fù)制過來吧——輸出級高壓場管的源極接有0.1歐姆過流保護(hù)取樣電阻R19，當(dāng)過流時(shí)，R19上的電壓不經(jīng)任何L，C延遲，只經(jīng)R20和D5直達(dá)可控硅觸發(fā)端，使可控硅在幾個(gè)納秒內(nèi)導(dǎo)通（時(shí)間取決于可控硅反應(yīng)速度）。從而立即短路驅(qū)動(dòng)高壓場管的光耦的供電電源，使高壓輸出管9N90立即截止。整過保護(hù)過程不超過10納秒。R20電阻上的電壓加可控硅觸發(fā)電壓和D5上的電壓，加在一起要1.3V以上才能觸發(fā)導(dǎo)通，也就是說，脈沖電流大于13A才開始保護(hù)。
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@路人丙
請理解下可控硅關(guān)斷的條件，另竄場管可以關(guān)斷還用可控硅做什么。
呵呵，問得好。硅機(jī)的短路保護(hù)方式，多數(shù)是關(guān)斷前級驅(qū)動(dòng)輸出，其不足就是，雖然沒驅(qū)動(dòng)輸出了，但后級濾波電容較大，短路時(shí)電容中的電能足夠把硅爆掉。所以，最好的辦法是關(guān)斷后級輸出。但要使或控硅關(guān)斷，就較難做到，使場管關(guān)斷就容易多了。
還有，用了場管，為什么還用可控硅呀？就是因?yàn)橛每煽毓枳鞲邏狠敵鲭娐泛唵巍獑喂钑r(shí)，不用另設(shè)驅(qū)動(dòng)電路，而四硅輸出的呢，用場管很級代替四個(gè)可控硅的作用了。
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@路人丙
由于單向可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流 兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極電流小于維持電流任一條件即可 就是這個(gè)關(guān)斷不好搞啊，優(yōu)點(diǎn)太多了它能在高電壓、大電流條件下工作，體積??；以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
就是因?yàn)樗挥每刂?，所以才用場管作短路保護(hù)呀。
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