那就是等長更重要了。

現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)線（包括驅(qū)動(dòng)+回流地線）長度300mm，如果從計(jì)算延時(shí)的角度考慮，即便兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)線路長度差也是300mm，延時(shí)也只是ns級(jí)。而ns級(jí)的延時(shí)，對50us的開關(guān)周期的功率管來說，重要嗎？

不重要。

但是我很擔(dān)心線路太長會(huì)有振蕩。

其實(shí).如果擔(dān)心此問題,

1.線夠粗,就不必?fù)?dān)心了.

2.干擾問題,旁邊再鋪上地.相信干擾會(huì)好很多.

謝謝，振蕩的問題之前確實(shí)沒有考慮到。

驅(qū)動(dòng)線比較粗，電路板是四層板，驅(qū)動(dòng)線下方有回流地線層。

以個(gè)人經(jīng)驗(yàn)來說

主功率電路盡量等長，以避免主MOS管的發(fā)熱不均

驅(qū)動(dòng)電路線長點(diǎn)倒不是什么大問題，關(guān)鍵是驅(qū)動(dòng)電阻要盡量靠近MOS管，以將線路的驅(qū)動(dòng)振蕩衰減

大電流電路的路徑拐彎時(shí)的角度不要太小，否則會(huì)有比較麻煩的EMI問題

關(guān)鍵是要讓MOS同步，不然的放，先開通的就發(fā)熱，很快就壞了。再可以GE之間加個(gè)小電容，不能太大

老兄您好。

請問這樣的電路板功率管怎么散熱比較合適？ 我們現(xiàn)在是MOS管下邊加絕緣墊片，然后用螺釘固定，但這樣工藝性太差。有沒有比較好的散熱的方式推薦？

謝謝。

才20K50A60V！居然搞的如此復(fù)雜！簡直不知在秀還是挑戰(zhàn)自我！

現(xiàn)在單個(gè)TO-220的FET就能搞定了！

看看這個(gè)：irfs4010-7ppbf 

直接貼在PCB上；PCB下墊些軟橡膠絕緣墊到散熱器就可以了！

50A 是當(dāng)前的使用需求，受限于功率端子等因素，將來希望擴(kuò)展到150Arms。

我考慮過 IPB027N10N3 G，英飛凌的管子，2.7mohm的導(dǎo)通電阻，封裝跟您推薦的一樣。

但他們推薦做成鋁基板，暫時(shí)沒想動(dòng)。

不是CoolMOS，CoolMOS是英飛凌的高壓產(chǎn)品。

100V的是OptiMOS

兄弟您可IR的大功率MOS管做過并聯(lián)設(shè)計(jì)，是采用鋁基板嗎？困擾我的是如何進(jìn)行功率部分的連接。

兄弟，請看120A以上電流的布線

老兄，能不能給我一個(gè)實(shí)物看看，看圖看不太清楚。

我的郵箱：c166.org@gmail.com, 謝謝了。

只是這個(gè)圖不清楚。

我倒沒覺得這些東西是核心技術(shù)，我們自己的圖片就發(fā)了一些。我們核心的還是控制參數(shù)和軟件算法。

這個(gè)不是和50us來比的，對于導(dǎo)通損耗來說，先導(dǎo)通，后導(dǎo)通，差的就是那么一點(diǎn)點(diǎn)，微不足道。關(guān)鍵是開關(guān)損耗，先開通的管子要承受開通損耗，后關(guān)斷的管子要承受關(guān)斷損耗。

老兄，您的120A是有效值嗎？

郁悶了，50A剛剛好，現(xiàn)在客戶又要求搞個(gè)1000Arms的MOSFET并聯(lián)方案。

接插件部分就找不到北了。