SEPIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
Q1導(dǎo)通時(shí)的電流方向
Q1關(guān)斷時(shí)的電流方向
SEPIC開關(guān)波形
不過這也算原創(chuàng)嗎?那大家可以去抄文章去了,把楊波的LLC論文翻譯過來都比這強(qiáng)100倍。
占空比的計(jì)算
連續(xù)傳導(dǎo)工作模式的占空比計(jì)算公式如下:
VD是不二極管D1的正向壓降,其最大占空比計(jì)算公式如下:
電感的計(jì)算
確定電感的一個(gè)好規(guī)則就是,在最小輸入電壓下,使得紋波電流峰峰值大約等于最大輸入電流的40%,流入相同值電感L1和L2的紋波電流為:
電感量計(jì)算公式如下:
Fsw為開關(guān)頻率,Dmax為在Vin最小值時(shí)的占空比。
技術(shù)版面請(qǐng)注意文明用語,共同創(chuàng)造良好的交流環(huán)境,謝謝!
為了確保電感不會(huì)飽和,電感的峰值電流的計(jì)算公式如下:
如果L1和L2繞在同一個(gè)磁芯上,由于存在互感,那么13樓中的電感值就應(yīng)該替換為2L,具體電感值計(jì)算公式如下:
功率mos的選擇與計(jì)算
決定mos的參數(shù)有:最小閥值電壓Vth(min)、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵漏電荷Qgd、最大漏源電壓Vds(max)。
根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓,選擇邏輯電平或者亞邏輯電平閥值的mos。
峰值開關(guān)電壓等于Von+Vout,其峰值開關(guān)電流的計(jì)算公式如下:
流經(jīng)開關(guān)的平均電流(RMS)的計(jì)算公式如下:
mos的功率損耗PQ1約等于:
mos的整體功率損耗PQ1包括了傳導(dǎo)損耗(17樓)和開關(guān)損耗(18樓),Ig是柵驅(qū)動(dòng)電流。
Rds(on)應(yīng)該選取在最大工作結(jié)溫下的值,此值一般會(huì)在mos的數(shù)據(jù)手冊(cè)中能找到。
需要確保傳導(dǎo)損耗加上開關(guān)損耗不會(huì)超過封裝額定值或整體散熱預(yù)算。
這電路用的好少啊,對(duì)那個(gè)電容(CS)的要求是不是好高?
這個(gè)Dmax計(jì)算公式里是不是多寫了一個(gè)Vin??求解 ......
我也頂一把,明天交作業(yè),抓緊看看
講的不錯(cuò)啊,支持一下
有個(gè)疑問:L2的電流方向?yàn)槭裁床皇沁@樣的?
上圖中VQ1的電壓波形不對(duì)吧,TOFF期間,VQ1的電壓應(yīng)該為VIN+VO才對(duì)。
哪位大師能詳細(xì)的講解以下兩個(gè)問題:
1. SEPIC利用耦合電感實(shí)現(xiàn)輸入零紋波的原理。
2. SEPIC中實(shí)現(xiàn)輸入零紋波的耦合電感設(shè)計(jì)。