承蒙大家厚愛(ài)，原來(lái)那個(gè)帖子有點(diǎn)亂，因?yàn)橛行┗貜?fù)在前面，所以經(jīng)?？床坏竭z漏了，所以在這新開(kāi)一個(gè)，歡迎大家一起探討電源相關(guān)問(wèn)題，謝謝
系列二：電源行業(yè),你想問(wèn)什么,我?guī)湍愦?每天回答一次,有興趣的可以試試)
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@charlievictory
謝謝回答。我的電路中需要兩路輸出來(lái)控制兩個(gè)管子，當(dāng)輸入為50V，輸出為30V時(shí)，占空比就是60%，這個(gè)時(shí)候芯片輸出的控制信號(hào)占空比只有達(dá)到0.6才可以啊
噢，明白你的意思了，但是你這樣兩個(gè)BUCK的并聯(lián)，就相當(dāng)于完全獨(dú)立的兩個(gè)拓?fù)?，關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，我上一個(gè)帖子里說(shuō)了一下。兩個(gè)獨(dú)立的芯片控制兩個(gè)獨(dú)立的拓?fù)洚?dāng)然就可以大于50％了。但是這樣兩個(gè)拓?fù)涞闹苯硬⒙?lián)不僅僅是控制芯片的問(wèn)題了，還有關(guān)于穩(wěn)壓，環(huán)流和均流等一系列問(wèn)題。
我也不知道是否有直接把兩個(gè)芯片封裝到一起的集成芯片，正常應(yīng)該有吧。
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@charlievictory
謝謝回答。我的電路中需要兩路輸出來(lái)控制兩個(gè)管子，當(dāng)輸入為50V，輸出為30V時(shí)，占空比就是60%，這個(gè)時(shí)候芯片輸出的控制信號(hào)占空比只有達(dá)到0.6才可以啊
假定, 你是用2個(gè)推動(dòng)管, 共一個(gè)CHOKE和續(xù)流電路. 2個(gè)推動(dòng)管錯(cuò)開(kāi)180度.
TL494可以有2路反相的推動(dòng)模式輸出, 你如果用2路并聯(lián), 就不需要每路超過(guò)50% DUTY了, 用494可行.
當(dāng)然你也可以用一個(gè)控制芯片 加 CD4013方案.
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@lq3698
你好！我想問(wèn)一下MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻如何選用，有什么公式可以套用嗎？IGBT的驅(qū)動(dòng)電阻又該如何選用，謝謝！
MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻，我不知道哦有沒(méi)有人總結(jié)成型的公式，即使總結(jié)了這個(gè)也很簡(jiǎn)單。驅(qū)動(dòng)電阻，實(shí)際就是一個(gè)限制充電時(shí)間的電阻。根據(jù)你的驅(qū)動(dòng)電壓，根據(jù)管子的門極Qg值，以及驅(qū)動(dòng)電阻積分就可以算出管子的開(kāi)通上升沿時(shí)間。驅(qū)動(dòng)電阻大小的選取，是根據(jù)你要調(diào)整的開(kāi)關(guān)速度決定的。
IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)際跟MOSFET相差不大，但是由于IGBT從原理上存在電流拖尾現(xiàn)象，所以關(guān)斷的時(shí)候驅(qū)動(dòng)下降的速度一般要求比較高，都會(huì)反抽，而IGBT驅(qū)動(dòng)的難點(diǎn)在于在電流拖尾過(guò)程中一旦出現(xiàn)直通，怎么能夠有效的保護(hù)管子，而這部分保護(hù)電路往往被跟驅(qū)動(dòng)做在一起，所以看起來(lái)比較復(fù)雜。
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我覺(jué)得有必要給 jefferson363 開(kāi)個(gè)專版了-。-~
