但這樣MOS管應(yīng)力平臺有700V，再加上尖峰，就達到1000V甚至更高，這個不好選吧？謝謝。

輸出是多少？1200V的MOS可以，1000V的小了點。用單端反激的話變比取好就沒問題。單端反激在MOS管截止時次級電壓會返回感應(yīng)到初級，與母線電壓相加后加到MOS管上，再加上漏感尖峰，因此MOS的電壓要選高。比如說輸出是15V，那么在MOS管截止時次級感應(yīng)到次級的電壓只能取到250V左右，加上母線電壓700V就達到了950V，為漏感尖峰放200V的余量，還有50V余量。這樣變比就出來了，250/15=16.7，取16。再通過變比算出最大導(dǎo)通時間，再算出初級電感量、初級匝數(shù)及次級匝數(shù)。

MOS管1200V小電流的很多，我用過一種IXYS的，IXTA 3N120，1200V/3A，TO220封裝。

QQ：458897

三相輸入，經(jīng)過整流，最高可到700V，所以。。。不過選市壓MOS管，這個損耗比較可觀吧。有沒有別的好一點的拓撲。。。

初級電流很小，平均也就100mA，如果使用最大占空比為30%，脈沖電流也就300mA，4.5的導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通損耗也就0.1W左右，很小。開關(guān)頻率到100k開關(guān)損耗充其量也就1W，這還算大嗎？

單端反激是最簡單、用的器件最少的拓樸了。

單相的，輸入輸出共中線，3000W的。