IR的管子,用著確實(shí)是牛!但是作為一個(gè)中國人,作為一個(gè)具有悠久歷史,有著源遠(yuǎn)流長文明的民族,多希望有自己的牛管??!這次重整方波逆變器的管子,據(jù)說就是國內(nèi)首家在海外自主研發(fā)的大功率MOS管。老壽先生曾用過RU190N08就是這一RU系列中的一種。這次我選用的是RU3205,參數(shù)為:60V,90A,7.5MR
各有優(yōu)點(diǎn),MOS的壓降小很多,不需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng),耐短路的時(shí)間長,對(duì)電壓的上升率不敏感,缺點(diǎn)是結(jié)電容比較大,需要的驅(qū)動(dòng)電流比較大,單管的MOS功率比較小。
IGBT的優(yōu)點(diǎn)是功率大,結(jié)電容小,缺點(diǎn)是壓降大,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)(IR的除外),耐短路的時(shí)間短,對(duì)電壓的快速上升率敏感,需要降柵壓短路保護(hù)。