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【幫助】MOSFET,IGBT選擇

   大家好，我接觸逆變還沒有多久，有很多知識還不了解，想在這個論壇和大家學(xué)習(xí)。

1。在什么情況下，選擇IGBT？在什么情況下，選擇MOSFET？

2。MOSFET一般能達到的最大輸出功率好大？

3?，F(xiàn)在比較“流行”的驅(qū)動芯片有哪些？

             簡單的幾個問題，希望大家?guī)托〉芙鉀Q一下，在此謝謝！

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2010-01-29 09:36
  大家?guī)臀医鉀Q一下疑問吧！
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2010-01-29 13:41
MOSEFT全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
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2010-02-01 17:04

幫忙啊！

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isotop
LV.4
5
2010-02-01 21:14

 

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2010-02-03 09:29
@isotop
 
如果電流是2A，電壓60V，功率100W左右呢？
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