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MOSFET總損壞柵源極是什么原因!

 

用的是仙童(飛兆)SSS7N06或SSS8N06型號(hào)的mosfet-n , 容易出現(xiàn)柵源損壞的現(xiàn)象,而且僅僅只損這個(gè)極,有時(shí)候損壞為0歐,有時(shí)為幾十百來(lái)歐,弄不明白是什么原因。 我們猜想是否為R5阻值小了造成的。 但只要D和T,即二極管和單向可控硅為20A以下就從沒(méi)出現(xiàn)過(guò), 我們裝50A的就會(huì)出現(xiàn)這種情況。而且二年時(shí)間內(nèi)己以出現(xiàn)了8塊板了,使用時(shí)間長(zhǎng)則2-3個(gè)月,短則幾十小時(shí),請(qǐng)大家?guī)臀曳治龇治觥?/p>

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jldq633
LV.6
2
2010-01-09 21:58

我也想知。

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hjhlql
LV.7
3
2010-12-04 20:10
裝50A的可控硅時(shí),把22R電阻改成66R就再也沒(méi)損壞了。而裝25A或以下可控硅用22R從來(lái)沒(méi)損壞過(guò)。 測(cè)25A和50A可控硅的電阻也只相差5R-10R.
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