第一幅圖是這樣的：題目要求模擬一個內(nèi)阻很大的光電池，因此原理圖中“電池”用的實驗室的直流電源（60v），然后串聯(lián)一個30歐姆的電阻。為了恒壓，并聯(lián)了5個2200uF的電容穩(wěn)壓。隨后的逆變橋加了反向的續(xù)流二極管和RCD保護(hù)電路，防止尖峰擊穿。具體參數(shù)我忘了，汗...
第二幅圖是逆變橋后面的濾波器，圖里面電容的參數(shù)不對...呵呵，而后經(jīng)過濾波之后接到一個變壓器上面。
以上是基本的東西，理論上講，我感覺這個電路應(yīng)該是沒有問題的，但是事實上MOSFET經(jīng)常損壞（MOSFET用的IRF3205，參數(shù)是VDSS=55V,Rds=8毫歐）。因此，我有以下幾個困惑：
1、電路本身的結(jié)構(gòu)（包括參數(shù)選擇等）有沒有問題呢？另外一個組采用的跟我們一樣的方案，只是電池后面的濾波電容沒有那么多（我們是5個2200uF的電容并聯(lián)，他們只用了一個電容），但是他們的電路很穩(wěn)定。因為時間原因，我們沒有嘗試減小電容的方案，所以想求教一下各位高手是否是這里的原因？如果是的話，MOSFET又是怎樣被擊穿的呢？
2、關(guān)于逆變器，到底應(yīng)該是先斷掉主回路，還是先斷掉控制回路呢？（我概念里面，先斷掉主回路就是圖1中“電池”先沒電，先斷控制回路就是圖1中的4個MOSFET先不受控制）。我總感覺應(yīng)該是先斷掉主回路，而后控制回路將主回路剩下的能量慢慢耗散掉，不知道這個理解對嗎？
因為實在是新手，對很多東西都不是很了解，網(wǎng)上也查不到相關(guān)的資料，所以只能發(fā)帖子問各位了~謝謝~
補(bǔ)充一下~驅(qū)動電路如圖，用的2130~
電容和電阻值都是按datasheet選的，應(yīng)該沒問題，然后信號接出去就給MOSFET的G極了。
另外，像這種情況，應(yīng)該選多少伏耐壓的管子呢？60V也不一定夠吧，我覺得得留一定余量，75V的可以嗎？
還有，下面是競賽的題目~感覺和本帖子沒多大關(guān)系， 呵呵，僅供參考~
設(shè)計并制作一個光伏并網(wǎng)發(fā)電模擬裝置，其結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。用直流穩(wěn)壓電源US和電阻RS模擬光伏電池，US=60V，RS=30Ω~36Ω；uREF為模擬電網(wǎng)電壓的正弦參考信號，其峰峰值為2V，頻率fREF為45Hz~55Hz；T為工頻隔離變壓器，變比為n2:n1=2:1、n3:n1=1:10，將uF作為輸出電流的反饋信號；負(fù)載電阻RL=30Ω~36Ω。
