EAS-單脈沖雪崩擊穿能量
如果電壓過(guò)沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過(guò)擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時(shí)過(guò)沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會(huì)定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
L 是電感值，iD為電感上流過(guò)的電流峰值，其會(huì)突然轉(zhuǎn)換為測(cè)量器件的漏極電流。電感上產(chǎn)生的電壓超過(guò)MOSFET擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)生時(shí)，即使 MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，電感上的電流同樣會(huì)流過(guò)MOSFET器件。電感上所儲(chǔ)存的能量與雜散電感上存儲(chǔ)，由MOSFET消散的能量類似。
MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個(gè)器件率先發(fā)生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過(guò)。
EAR -重復(fù)雪崩能量
重復(fù)雪崩能量已經(jīng)成為“工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)”，但是在沒(méi)有設(shè)定頻率，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數(shù)沒(méi)有任何意義。散熱(冷卻)狀況經(jīng)常制約著重復(fù)雪崩能量。對(duì)于雪崩擊穿所產(chǎn)生的能量高低也很難預(yù)測(cè)。
額定EAR的真實(shí)意義在于標(biāo)定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。該定義的前提條件是：不對(duì)頻率做任何限制，從而器件不會(huì)過(guò)熱，這對(duì)于任何可能發(fā)生雪崩擊穿的器件都是現(xiàn)實(shí)的。在驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)的過(guò)程中，最好可以測(cè)量處于工作狀態(tài)的器件或者熱沉的溫度，來(lái)觀察MOSFET器件是否存在過(guò)熱情況，特別是對(duì)于可能發(fā)生雪崩擊穿的器件。
以上部分是抄別人的.
以下是我自己的觀點(diǎn):
MOSFET在從截止到完全導(dǎo)通過(guò)程中,牽涉到MOSFET管的耐受力:
1,電壓
2,電流
3,MOSFET內(nèi)部消耗的總能量
當(dāng)然還有很多其它參數(shù),比如電壓上升率等.
A: MOSFET在從截止到完全導(dǎo)通過(guò)程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.
B: MOSFET在正常導(dǎo)通工作時(shí)所能承受的最大功耗小于或等于Ear.
理由:Eas 或Ear最后都是轉(zhuǎn)換成熱能,MOSFET的損壞是由于局部熱點(diǎn)而損壞,而導(dǎo)通或從截止到完全導(dǎo)通MOSFET內(nèi)部消耗的能量同樣轉(zhuǎn)換成熱能。
歡迎拍磚!
只要討論A和B兩個(gè)觀點(diǎn)。
姓名:唐云雄
Email: tang01@yeah.net
2010年1月6日
根據(jù)拍磚情況加以說(shuō)明:
Eas 是能量單位,它是功率與時(shí)間的積分,如果時(shí)間很長(zhǎng),這個(gè)能量對(duì)MOSFET就沒(méi)有問(wèn)題.
Ear也是能量單位,它也是功率與時(shí)間的積分.所以說(shuō)在沒(méi)有頻率限制情況下無(wú)多大意義.
同時(shí),Eas和Ear都是外部的能量,而問(wèn)題卻是內(nèi)部所能承受的能量.如何把兩者聯(lián)系起來(lái)是該兩個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵,所以得給出時(shí)間或頻率限制.
修正如下:
A: MOSFET在從截止到完全導(dǎo)通過(guò)程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.
注A:時(shí)間在較短時(shí)間內(nèi)(MOSFET內(nèi)部熱量來(lái)不及傳到外部),比如說(shuō)t小于200uS.時(shí)間太長(zhǎng)失去單次開(kāi)關(guān)討論的意義.
B: MOSFET在正常導(dǎo)通工作時(shí)所能承受的最大功耗小于或等于Ear.
注B:開(kāi)關(guān)頻率與MOSFET廠家給出的頻率一樣.
謝謝拍磚!
