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電容降壓碰到的問題,請(qǐng)大家提供幫助(急急急急急急急)

電容降壓碰到的問題,問題在圖片上做了標(biāo)注,請(qǐng)大家?guī)兔?提供好的解決辦法
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zjqjl
LV.6
2
2009-10-10 11:10
可控硅接錯(cuò)了,要反過來接.
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lail247
LV.2
3
2009-10-10 12:16
@zjqjl
可控硅接錯(cuò)了,要反過來接.
圖畫得有點(diǎn)問題,現(xiàn)在該過來了,實(shí)際使用的時(shí)候是按照現(xiàn)在的這個(gè)圖來做的.也就是按照上面的這個(gè)新圖發(fā)現(xiàn)很多問題,請(qǐng)大家?guī)兔?謝謝
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xxinglei
LV.4
4
2009-10-10 17:40
C1容量過大,導(dǎo)致D2發(fā)熱,D1發(fā)熱的原因應(yīng)該是IC耗電量過大引起的
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lail247
LV.2
5
2009-10-10 20:05
@xxinglei
C1容量過大,導(dǎo)致D2發(fā)熱,D1發(fā)熱的原因應(yīng)該是IC耗電量過大引起的
如果把C1的容量變小,我也試過,也有發(fā)熱,但是如果變小的話,從穩(wěn)壓管出來的電壓加上負(fù)載電路,電壓到不了12V,,有時(shí)候是9V
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lail247
LV.2
6
2009-10-12 08:37
請(qǐng)大家指點(diǎn),謝謝
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power_qiu
LV.4
7
2009-10-12 09:59
@lail247
請(qǐng)大家指點(diǎn),謝謝
可以D2放在D1后面,還有C1換一般的更小陶瓷電容看看?
個(gè)人看法,不知有沒有效果
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lail247
LV.2
8
2009-10-13 08:33
@power_qiu
可以D2放在D1后面,還有C1換一般的更小陶瓷電容看看?個(gè)人看法,不知有沒有效果
如果C1換小的話,可控硅根本驅(qū)動(dòng)不起來,

現(xiàn)在的問題還有就是可控硅上的電壓只有200V,怎么樣能全導(dǎo)通,讓輸出的電壓是220V
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lail247
LV.2
9
2009-10-14 08:42
@lail247
如果C1換小的話,可控硅根本驅(qū)動(dòng)不起來,現(xiàn)在的問題還有就是可控硅上的電壓只有200V,怎么樣能全導(dǎo)通,讓輸出的電壓是220V
找高手解答
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zhong721123
LV.5
10
2009-10-14 08:58
@lail247
找高手解答
C1 R1組成rc降壓電路,只要C1的電容值和D1的穩(wěn)壓值確定,那么支路電流也就是個(gè)定值了.也就是說不管負(fù)載如何變化,流過D1和D2的電流總和不變.
  D1功率確定: 首先計(jì)算出總的電流值,當(dāng)電源空載時(shí)大部分電流都流向D1,確定D1的功率,要想不燙可以并聯(lián)幾個(gè)穩(wěn)壓管.D2同理計(jì)算
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2009-10-14 09:39
@lail247
找高手解答
問題1:D1,D2發(fā)熱是由于負(fù)載太重引起的.
問題2:負(fù)載R3 2端電壓只有200V說明可控硅沒有完全導(dǎo)通.
問題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC
因?yàn)锳C220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,
所以建議應(yīng)該選擇7D471K,或者10D471K.
問題4:用Q2的方式驅(qū)動(dòng)是可以的.
問題5:雙向可控硅上的壓降太大說明你可控硅沒有完全導(dǎo)通.
雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現(xiàn)在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時(shí)候,容易損壞.
所以有條件最好能更改驅(qū)動(dòng)方式,用低電平驅(qū)動(dòng)雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網(wǎng)上去看看可控硅應(yīng)用10大準(zhǔn)則.

你可以仔細(xì)看一下你的可控硅資料B136,當(dāng)T2+ G+,T2-,G+的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流需要多少.
驅(qū)動(dòng)電流T2+ G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+ G+,30MA,T2-,G+,30MA.
在加上你的IC和,Q2的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.
然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).
所以也就可以解釋,為什么你電壓會(huì)下降,D1,D2為什么會(huì)發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒有完全導(dǎo)通.
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2009-10-14 09:40
@lail247
找高手解答
問題1:D1,D2發(fā)熱是由于負(fù)載太重引起的.
問題2:負(fù)載R3 2端電壓只有200V說明可控硅沒有完全導(dǎo)通.
問題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC
因?yàn)锳C220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,
所以建議應(yīng)該選擇7D471K,或者10D471K.
問題4:用Q2的方式驅(qū)動(dòng)是可以的.
問題5:雙向可控硅上的壓降太大說明你可控硅沒有完全導(dǎo)通.
雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現(xiàn)在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時(shí)候,容易損壞.
所以有條件最好能更改驅(qū)動(dòng)方式,用低電平驅(qū)動(dòng)雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網(wǎng)上去看看可控硅應(yīng)用10大準(zhǔn)則.

你可以仔細(xì)看一下你的可控硅資料B136,當(dāng)T2+ G+,T2-,G+的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流需要多少.
驅(qū)動(dòng)電流T2+ G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+ G+,30MA,T2-,G+,30MA.
在加上你的IC和,Q2的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.
然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).
所以也就可以解釋,為什么你電壓會(huì)下降,D1,D2為什么會(huì)發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒有完全導(dǎo)通.
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lail247
LV.2
13
2009-10-14 13:52
@太陽の光
問題1:D1,D2發(fā)熱是由于負(fù)載太重引起的.問題2:負(fù)載R32端電壓只有200V說明可控硅沒有完全導(dǎo)通.問題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC因?yàn)锳C220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,所以建議應(yīng)該選擇7D471K,或者10D471K.問題4:用Q2的方式驅(qū)動(dòng)是可以的.問題5:雙向可控硅上的壓降太大說明你可控硅沒有完全導(dǎo)通.雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現(xiàn)在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時(shí)候,容易損壞.所以有條件最好能更改驅(qū)動(dòng)方式,用低電平驅(qū)動(dòng)雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網(wǎng)上去看看可控硅應(yīng)用10大準(zhǔn)則.你可以仔細(xì)看一下你的可控硅資料B136,當(dāng)T2+G+,T2-,G+的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流需要多少.驅(qū)動(dòng)電流T2+G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+G+,30MA,T2-,G+,30MA.在加上你的IC和,Q2的驅(qū)動(dòng)電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).所以也就可以解釋,為什么你電壓會(huì)下降,D1,D2為什么會(huì)發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒有完全導(dǎo)通.
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