關(guān)于電解電容鋁箔問題
電解電容鋁箔我們在做拆解是發(fā)現(xiàn)有些電容負(fù)極箔多出一片,有些電容負(fù)箔劃痕較多,廠商回復(fù)說負(fù)極只要面積大小一樣就可以了,多出一片是生產(chǎn)工藝中難免的.但是我從來都沒見過這種的,而且上面留有打針腳的孔,這樣應(yīng)該會有影響吧,哪位能幫我分析一下呢,謝謝各位大俠了!
全部回復(fù)(39)
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@yesu
蓋住引線的還是卷尾多出來的?這都是相對應(yīng)的工藝要求.
是卷尾多出來的,而且有鉚引腳的鉚釘孔,我想這樣應(yīng)該會造成一定的影響,比如它的損耗時間長了是否會增大,是否會影響電容壽命之類的,還有腐蝕嚴(yán)重的損耗應(yīng)該也會變大吧,因為供方回復(fù)沒有問題,我很懷疑所以請各位大俠提示.我把圖片傳給你們看一下就知道了. 3597861253951880.doc
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@elaine80
是卷尾多出來的,而且有鉚引腳的鉚釘孔,我想這樣應(yīng)該會造成一定的影響,比如它的損耗時間長了是否會增大,是否會影響電容壽命之類的,還有腐蝕嚴(yán)重的損耗應(yīng)該也會變大吧,因為供方回復(fù)沒有問題,我很懷疑所以請各位大俠提示.我把圖片傳給你們看一下就知道了.3597861253951880.doc
你的資料我已經(jīng)看了,第一個圖片負(fù)箔多那點是有原因的,是為了減少電容的爆破而做的,爆破原理有機會和時間給您詳細(xì)解答,那是人為而做的.
第二個圖片,正箔不齊說名這個電容器質(zhì)量不是很好,爆的機率比較大.
第二個圖片,正箔不齊說名這個電容器質(zhì)量不是很好,爆的機率比較大.
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@yesu
容量虛長是因為電解電容其氧化膜上形成了水合氧化膜,只要對其施加一個電場,就可以破壞,再測量就是真實的數(shù)據(jù).再說了,目前高頻率低阻抗產(chǎn)品,不用水系電解液你用什么?用GBL?能達(dá)到20MS/CM就很了不起了,不過,有錢的話,固態(tài)不錯.
請教下怎么加電場破壞,對產(chǎn)品性能有沒有影響.也不是所有水系都會虛高的,跟配方有很大關(guān)系,最近我們用的一家就不存在這種情況,電導(dǎo)率有70MS/CM,水分含量在65%左右.使用的效果還比較好,我們逐步替換掉了強之光和自配的電解液,不過在材料成本上有所增加了,畢竟得把材料用足了.
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@pippo335
請教下怎么加電場破壞,對產(chǎn)品性能有沒有影響.也不是所有水系都會虛高的,跟配方有很大關(guān)系,最近我們用的一家就不存在這種情況,電導(dǎo)率有70MS/CM,水分含量在65%左右.使用的效果還比較好,我們逐步替換掉了強之光和自配的電解液,不過在材料成本上有所增加了,畢竟得把材料用足了.
當(dāng)然,如果共聚物(抗水合添加劑)用的好,這樣,氧化膜表面AL2O3就不會和水反應(yīng),當(dāng)然也就不會產(chǎn)生虛假容量,但也有有的共聚物添加后高溫貯存之后和水合反應(yīng)一樣的現(xiàn)象——假容量(但不沾紙).
所以,水系電解液最重要的就是找到新的抗水合添加劑,畢竟水那么便宜,而且電導(dǎo)又夠高.
深圳清華大學(xué)研究院研制的含水率65%左右,電導(dǎo)是99--110MS/CM.
一般抗水合的,磷酸系,硅酸系等等,添加一些高分子聚合物,效果更好!
所以,水系電解液最重要的就是找到新的抗水合添加劑,畢竟水那么便宜,而且電導(dǎo)又夠高.
深圳清華大學(xué)研究院研制的含水率65%左右,電導(dǎo)是99--110MS/CM.
一般抗水合的,磷酸系,硅酸系等等,添加一些高分子聚合物,效果更好!
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@yesu
當(dāng)然,如果共聚物(抗水合添加劑)用的好,這樣,氧化膜表面AL2O3就不會和水反應(yīng),當(dāng)然也就不會產(chǎn)生虛假容量,但也有有的共聚物添加后高溫貯存之后和水合反應(yīng)一樣的現(xiàn)象——假容量(但不沾紙).所以,水系電解液最重要的就是找到新的抗水合添加劑,畢竟水那么便宜,而且電導(dǎo)又夠高.深圳清華大學(xué)研究院研制的含水率65%左右,電導(dǎo)是99--110MS/CM.一般抗水合的,磷酸系,硅酸系等等,添加一些高分子聚合物,效果更好!
大家好!感謝大俠們勇于提出自己的觀點,讓本人受益非淺.祝大家 雙節(jié)愉快!
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