我自己認(rèn)為也應(yīng)該不會達(dá)到那么多,但OB2202做的65W效率高壓的確有90%,我的就是達(dá)不到,只有88%,我認(rèn)為用準(zhǔn)諧振做無非就是EMI好過一點,其他的地方不比反擊站優(yōu)勢,但大家都說是會比反擊的高,而且我想開關(guān)損耗包括MOS和次級整流管,沒有實際測過,也不知道怎樣測,所以評估這些,我也不知道是不是真的會高2個百分點.

準(zhǔn)諧振的效率會比純反擊的高2個百分點?
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這你都相信?QR不帶PFC 在高壓輸入能提升1%算不錯了,低壓輸入基本是和普通反激是差不多的.你想想QR節(jié)省的就是那點開關(guān)損耗,這損耗究有占那么大比率嗎?何況QR滿載是的峰值電流比普通反激的CCM下的峰值電流都大,頻率又低,占空比開得又大,這在變壓器的損耗,和mosfet的導(dǎo)通損耗也可以比較一下.

其實你把QR里面用的19V/3A的mosfet和變壓器用在普通反激里面,把用QR加的錢用在普通反激里面選點好的器件你估計更郁悶.
我們客戶用我們的1043+10N60+RM10磁芯做的純反激的做19V/65W 板邊效率全電壓輸入都有89-90%了,成本比QR要低吧?.

你測他的低壓輸入嗎?你看一下他用的初級mosfet和變壓器還有次級整流管是什么型號?

當(dāng)然會高!兩部分損耗:初級mosfet開通的容性損耗,次級diode關(guān)斷的關(guān)斷損耗.高壓部分不太明顯是因為高壓時恰好工作在DCM模式,類似于準(zhǔn)諧振.要提高效率,在匝比選定的情況下,可以考慮選用導(dǎo)通電阻和輸出電容比較低的mosfet,并適當(dāng)增大變壓器電感(要考慮最低工作頻率哦),理由:由于在DCM模式工作,電流峰值大,選用小電阻mosfet可以減小這部份增加的導(dǎo)通損耗;由于準(zhǔn)諧振的主要作用是使開關(guān)在較低電壓下開通,故大電感和小電容可以使諧振峰的谷值更低,且大電感可以使工作頻率降低(相同輸入電壓輸出功率和匝比確定的情況下,兩者成反比,且電流峰值不變),降低開關(guān)損耗.澄清一下,人家可以做到89-90%的效率不是因為你們的IC,而是因為10N60對65W來說足夠,且最重要的是采用了RM10的變壓器,可以做到小size(磁芯小,匝數(shù)少,從而低磁損低銅損),小漏感(漏磁少,當(dāng)然這部分損耗小啦).

很簡單,如果變壓器都用RM10,  mosfet依然用10N60,19V/65W,QR究竟能夠能做多少效率呢?QR做到89-89%的效率是否要加錢或成本相等或更便宜,如果成本更低或者相等用QR是有價值的,如果增加成本,那如果把這增加的成本放到普通反激里面選用更好的mosfet,更好的整流二極管,是否同樣可以提高普通反激的效率呢?如果QR用了一個更大規(guī)格,更好的變壓器那這個變壓器用在普通反激里面,考慮早點進(jìn)入連續(xù)模式是否也同樣可提高效率呢?
19V3A用QR提升2%的效率能不能把這比較用的QR和普通反激做的原材料BOM來看一下就知道是不是在同等條件下的比較了.如果一個20塊錢做的 ,一個用30塊錢做的,這比較就價值很小了.同樣的30塊錢成本來比較效率才知道方案價值.
在頻率低的時候初級mosfet那么小的結(jié)電容和并不高的頻率能有多大的開關(guān)損耗?次級二極管能有多大的開關(guān)損耗?2%的效率提升可要減少大約1.3W的損耗,有那么大嗎?何況同樣的mosfet 和整流二極管QR的導(dǎo)通損耗還要大點.當(dāng)然一個假如用普通mosfet,另一個用coolmos這是沒有比較基礎(chǔ)的(極限推理,不要當(dāng)真,只是說明分析思路,因為不可能用coolmos的).

我想這就是性價比的簡單比較.
我并不討論我們方案怎么樣,這誤會了,我知識比較QR和普通反激的差異,比如普通反激如果用的是10N60,QR用比10N60更差的mosfet來做能更高效率,那QR更有價值;如果普通反激用RM10,QR用比RM10更差的變壓器能做出更高效率,那也是QR更有價值.呵呵,是不是這樣的?

另外高壓時工作與DCM不太懂,因為這可能上好早以前的設(shè)計方法,現(xiàn)在我看見的客戶是高低壓都進(jìn)入CCM 的,唯一不同的是進(jìn)入的深度不同而已.

謝謝2位的解答,我改天有時間再去調(diào)試一下,然后告訴2位結(jié)果,對于"七公",我想說你說現(xiàn)在高壓低壓都進(jìn)入連續(xù)模式,但是如果進(jìn)入連續(xù)模式,保證低壓不飽和,那摸磁心相對DCM模式的務(wù)必要大一號吧,這樣才能保證溫度再高,BMAX仍有余量,也就是相當(dāng)于用大一號的磁心來減少IPEAK值,從而提高工作效率了吧?

現(xiàn)在很多都是很早就進(jìn)入CCM,占空比開得比原來大了.至于是否要大一號,看情況.你綜合評估一下總體成本就選擇就可以了.這個世界又要馬兒跑得好,又要馬兒不吃草的事情是沒有的,唯一能做的是,馬兒跑得好,盡量讓他少吃草.

如果覺得原來的老方式都能做好,那盡量用.但通常來說現(xiàn)在的工程師做技術(shù)久了都快成人精了,如果老方法能用,他們一般不會輕易改新方法的.就象原來做12V/5A很多都用7N60,現(xiàn)在很多都開始用10N60了,但還是沒有用coolmos,因為估計是評估下來換個10N60馬兒跑得比原來好,但草吃得較少的緣故.在可接受的范圍內(nèi)增加合適成本,而不是增加過高成本.

我們那客戶65W的adaptor裝在40多W的殼子里,安規(guī)依然過,一是因為效率比原來高點,而是因為他頻率取的是100KHz,這樣變壓器出功率足點,但頻率高可能帶來開關(guān)損耗的增加,但其實初級mosfet的結(jié)電容很小的,一般就幾百PF,開關(guān)損耗并沒有多大,估計0.3W就頂撐了,估計的啊,自己可以計算一下,因為我們也做同步整流的,如果客戶頻率低于150KHz,我們估算開關(guān)損耗是不大的,所以都在他選擇mosfet的時候讓他不要考慮開關(guān)損耗的影響,主要考慮導(dǎo)通損耗的影響,這樣選個一般的mosfet就可以了,不用搞個天價mosfet,省點錢.同步整流的mosfet的結(jié)電容可動不動就是4000PF以上,有的10000PF了,是初級mosfet的結(jié)電容的N倍了.所以自己可以考慮下在增加的開關(guān)損耗和減少的其他損耗之間做出一個平衡來看究竟是否劃算.

洪生，說得很對，請教一下，我現(xiàn)在想讓我的馬不要一直在吃草，怎么辦才好

我現(xiàn)在在做65W的也放在40WCASE里，用的是OB2202現(xiàn)在變壓器（PQ2620）溫度好高，在低壓輸入時，有130度了，在環(huán)溫的時候，

有可能是因為低壓輸入的時候頻率太低，現(xiàn)在在INPUT 90VAC時，頻率才40幾K。

洪生，你們用的是哪個方案，有什么好點子讓我的適配器溫度低下來。

板主好，我現(xiàn)在也在用OB2202，能否請教一下，我現(xiàn)在做的65W在INPUT低壓轉(zhuǎn)高壓時，輸出電壓，會下降個0。1V左右。，，不知道是哪出現(xiàn)了問題，2）現(xiàn)在變壓器溫度好高，我的也是PQ2620的，改什么地方可以提高頻率，我想提高頻率試一下（因為我現(xiàn)在90V輸入時，頻率才40多K，還有什么地方可以改的嗎，這顆IC，還有些什么要注意的，兄臺是用OB2202的前輩，小弟特在這請教，謝謝，