SM802 VIN輸入求助

各位老大,有沒有哪個高手用過SM802的,220交流電經(jīng)整流后,能直接接入它的第一腳VIN嗎?會不會把芯片炸了啊

全部回復(fù)(21)

只看樓主

正序查看

倒序查看

banma2001

LV.7

2009-06-24 11:31

看IC資料啊

回復(fù)

swbmoy

LV.1

2009-06-24 14:50

@longbinhui

可以,承受8v~450VDC,QQ:455228350755-82502978、13510458690Long.3331651245814638.pdf3331651245814765.pdf[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/3331651245909866.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

MARK

回復(fù)

xuexue1000

LV.3

2009-06-25 11:06

我試過咯會咋的,而且是一拉電.

回復(fù)

longbinhui

LV.5

2009-06-25 14:04

可以,承受8v~450VDC,QQ:45522835 0755-82502978 、 13510458690 Long.
3331651245814638.pdf
3331651245814765.pdf

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/3331651245909866.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

回復(fù)

banma2001

LV.7

2009-06-26 15:24

@xuexue1000

我試過咯會咋的,而且是一拉電.

那是上電給VDD電容充電沒有限流的原因

回復(fù)

boyd2856100

LV.4

2009-06-30 10:12

@banma2001

那是上電給VDD電容充電沒有限流的原因

一、LED大功率恒流驅(qū)動IC:

點(diǎn)晶:DD311、DD312、DD313、

廣鵬:AMC7135、AMC7140、AMC7150、AMC3202等

        華潤矽威:PT4115

        國半: LM3404HV

        臺晶:T6335,T6322,T6316等

二、8位恒流驅(qū)動IC:

    點(diǎn)晶:DM114、DM115、DM11C

三、16位恒流驅(qū)動IC:

點(diǎn)晶:DM134/135 (點(diǎn)晶科技經(jīng)典產(chǎn)品,性能穩(wěn)定)

         DM13C   (開路檢測,過溫保護(hù)而且具備分時使能,有效降低EMI)

         DM13A    (超高性價比16位恒流驅(qū)動,兼容性強(qiáng),永恒穩(wěn)定)

      DM 631/DM632/ DM633/DM634

東芝:TB62726AFG(日本東芝原廠16位恒流驅(qū)動IC)

聚積: MBI5026/5024

臺晶:T6505

四、高級LED燈飾恒流驅(qū)動IC:

點(diǎn)晶:DM163、DM412、DM413

五、AC-DC芯片及模組

芯瑞:SMD802 直接替代HV9910B,可供PCB板

泉芯:QX5241用于MR16燈杯LED驅(qū)動,可供PCB板

士蘭:SD42509 ,SD42511 ,SD42522 ,SD42524,SA7527

六、在通用的邏輯器件和存貯器件方面,我公司也可提供專業(yè)配套服務(wù),如:

PHILIPS 74系列:74HC595,74HC245,74HC138,74HC04,74HC00,74HC164,74HC165

場效應(yīng)管:APM4953、MT4953等.

七、公司有最新的恒流,MOS管器件的資料,歡迎來電來函索取,本公司可開含17%增值稅稅票.



聯(lián)系人:林生    手機(jī):13798572907    QQ:598639

傳  真:0755  82883354  郵編:518000

回復(fù)

kingder521

LV.2

2009-06-30 14:10

不知道會不會炸
但是最好加一個限流電阻

回復(fù)

shiyu-c

LV.2

2009-07-01 09:33

@kingder521

不知道會不會炸但是最好加一個限流電阻

哦,我去試下!
再麻煩問下,一般限流要限多少?我看好多電路是加了個穩(wěn)壓管和電阻,穩(wěn)壓管是必要的嗎?

回復(fù)

banma2001

LV.7

2009-07-01 09:51

@shiyu-c

哦,我去試下!再麻煩問下,一般限流要限多少?我看好多電路是加了個穩(wěn)壓管和電阻,穩(wěn)壓管是必要的嗎?

用你的(最小輸入電壓Vmin-IC的工作電壓Vdd)/IC最大工作電流Idd,看IC手冊就能算出來,我覺得穩(wěn)壓管意義不大除非引腳耐壓低于輸入電壓.

回復(fù)

shiyu-c

LV.2

2009-07-01 11:02

@banma2001

用你的(最小輸入電壓Vmin-IC的工作電壓Vdd)/IC最大工作電流Idd,看IC手冊就能算出來,我覺得穩(wěn)壓管意義不大除非引腳耐壓低于輸入電壓.

謝謝回復(fù)

回復(fù)

shiyu-c

LV.2

2009-07-07 16:17

@shiyu-c

謝謝回復(fù)

唉,又炸了,2次都是炸的橋堆和SM802,哪為大哥幫忙看下問題在哪啊?
附件是電路圖和SMD802的資料! 2841291246954620.pdf 2841291246954634.pdf

回復(fù)

kingder521

LV.2

2009-07-07 16:46

@shiyu-c

唉,又炸了,2次都是炸的橋堆和SM802,哪為大哥幫忙看下問題在哪啊?附件是電路圖和SMD802的資料!2841291246954620.pdf2841291246954634.pdf

VIN不是說接限流電阻么?怎么沒接?
還有驅(qū)動MOS間的電阻用150K是不是太大了點(diǎn)

回復(fù)

banma2001

LV.7

2009-07-07 16:50

@shiyu-c

唉,又炸了,2次都是炸的橋堆和SM802,哪為大哥幫忙看下問題在哪啊?附件是電路圖和SMD802的資料!2841291246954620.pdf2841291246954634.pdf

你Vin腳沒接限流電阻嗎?另外頻率好象有點(diǎn)高啊,MOS不燙嗎?

回復(fù)

shiyu-c

LV.2

2009-07-08 10:47

@kingder521

VIN不是說接限流電阻么?怎么沒接?還有驅(qū)動MOS間的電阻用150K是不是太大了點(diǎn)

問了原廠的FAE,他說VIN的限流不是一定要接的,迷糊了!

回復(fù)

shiyu-c

LV.2

2009-07-08 10:48

@banma2001

你Vin腳沒接限流電阻嗎?另外頻率好象有點(diǎn)高啊,MOS不燙嗎?

頻率是有點(diǎn)高,不過還沒來得及看燙不燙呢,就炸了!

回復(fù)

banma2001

LV.7

2009-07-08 11:55

@shiyu-c

問了原廠的FAE,他說VIN的限流不是一定要接的,迷糊了!

你聽他扯,VDD上接的電容為4.7UF,充電完成時儲存的電荷Q=C*V=4.7*7.5=35.25*10^-6,單位是庫侖.
充電電時間為T=R*C*ln[(U-U0)/(U-Ut)],U為電源電壓,220V時約300V,U0為電容起始電壓0V,UT為充電完成后電壓7.5v,C為電容容量4.7uF,R為充電回路等效電阻,這樣算下來,T=R*4.7*10^-6*ln[(300-0)/(300-7.5)]≈0.12*R,單位是微秒,假設(shè)充電回路等效電阻等于10K(也許實(shí)際等效電阻比這還小),那充電時間T=12毫秒.
充電平均電流為I=Q/T=29.375mA,這12毫秒時間在IC上產(chǎn)生的平均功耗P=(U-UT)*I=8.592W,一顆SO8封裝的IC,這么短時間內(nèi)承受高達(dá)8.59W的功耗,你自己說要不要加限流.

回復(fù)

shiyu-c

LV.2

2009-07-08 13:26

@banma2001

你聽他扯,VDD上接的電容為4.7UF,充電完成時儲存的電荷Q=C*V=4.7*7.5=35.25*10^-6,單位是庫侖.充電電時間為T=R*C*ln[(U-U0)/(U-Ut)],U為電源電壓,220V時約300V,U0為電容起始電壓0V,UT為充電完成后電壓7.5v,C為電容容量4.7uF,R為充電回路等效電阻,這樣算下來,T=R*4.7*10^-6*ln[(300-0)/(300-7.5)]≈0.12*R,單位是微秒,假設(shè)充電回路等效電阻等于10K(也許實(shí)際等效電阻比這還小),那充電時間T=12毫秒.充電平均電流為I=Q/T=29.375mA,這12毫秒時間在IC上產(chǎn)生的平均功耗P=(U-UT)*I=8.592W,一顆SO8封裝的IC,這么短時間內(nèi)承受高達(dá)8.59W的功耗,你自己說要不要加限流.

謝謝您的回復(fù),我去修改下,恩!

回復(fù)

banma2001

LV.7

2009-07-08 14:04

@shiyu-c

謝謝您的回復(fù),我去修改下,恩!

這種高壓非隔離降壓方案我07年做過,用的HV9910,而且當(dāng)時還利用VDD給外部一IC供電,當(dāng)時也是老是炸IC,橋堆和MOS也順帶炸了,而當(dāng)時FAE不能解決問題,后來自己用示波器檢測的時候發(fā)現(xiàn)的.這個方案我08年下半年就停用了,因?yàn)榧y波電流太大影響發(fā)光效率.

回復(fù)