場(chǎng)效應(yīng)管和快恢復(fù)二極管迅速升溫求助

LV.7

2009-06-11 15:11

能傳圖上來(lái)看嗎?

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LV.9

2009-06-11 15:20

變壓器設(shè)計(jì)有問題吧,加大磁隙試一下.

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LV.4

2009-06-11 15:42

@banma2001

能傳圖上來(lái)看嗎?

文件如圖所示
1221011244706124.doc

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LV.4

2009-06-11 15:43

@songlsx

變壓器設(shè)計(jì)有問題吧,加大磁隙試一下.

我已經(jīng)上傳的電路圖,沒有用到變壓器

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LV.4

2009-06-11 15:44

電感用過3mH,10mH,還是沒有解決問題.

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jingdiankj

LV.4

2009-06-11 16:12

@linami

電感用過3mH,10mH,還是沒有解決問題.

專業(yè)電源元器件配套服務(wù)商
PC817  EL817  TL431  IN4148  FR107
MOS管:(仙童英飛凌原裝正品)
FQPF5N60C FQPF8N60C FQPF10N60C FQPF12N60C
SPA11N60C3 SPP17N80C3 SPP20N60C3 SPW47N60C3
橋堆:(SEP臺(tái)灣江虹)
MB6S DB107 KBP206 KBP307 KBL406 GBJ2510 KBPC3510
肖特基二極管:(光寶、安森美)
SR3200 SR5200 MBR10200CT MBR20200CT
MBR10100CT MBR20100CT MBR30100PT MBR60100PT
快恢復(fù)二極管:(飛利浦仙童安森美)
BYQ28E-200 BYQ30E-200 BYV32E-200
MUR460 MUR860G MUR1060CT MUR1640CT MUR3060PT
晶典科技 Mob:18925268405  QQ:530130510劉R
深圳市福田振興路95號(hào) 庫(kù)存查詢: www.china-jingdian.com

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LV.9

2009-06-11 20:37

@linami

我已經(jīng)上傳的電路圖,沒有用到變壓器

我怎么看不到上面有圖呢,只是空白頁(yè).

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LV.7

2009-06-11 21:18

看你電路結(jié)構(gòu)應(yīng)該是BUCK降壓型,頻率應(yīng)該在80K左右,我不清楚你驅(qū)動(dòng)功率是多大,但是,不過輸入電流峰值應(yīng)該不會(huì)超過1A,雖然4N60的RDS只有2.5Ω,但是Qg很高,超過15nC,在超過60K的頻率下,MOSFET損耗很厲害,所以發(fā)熱嚴(yán)重,1N60雖然RDS有11Ω,但是Qg很小,只有5nC,開關(guān)損耗會(huì)小很多,建議你試試,2N60也可以,Qg有9nC,Rds 3.5Ω.如果不想換MOSFET那就把頻率降到45K左右吧.

很多人使用MOSFET都只關(guān)心Rds,其實(shí)對(duì)于高頻,Qg是個(gè)很重要的參數(shù),Qg越大高頻損耗越大
快恢復(fù)管發(fā)熱也是因?yàn)镸OSFET損耗太大,開關(guān)波形畸變的原因,先把MOSFET換了再說.160的恢復(fù)時(shí)間足夠了

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LV.4

2009-06-18 16:01

@banma2001

看你電路結(jié)構(gòu)應(yīng)該是BUCK降壓型,頻率應(yīng)該在80K左右,我不清楚你驅(qū)動(dòng)功率是多大,但是,不過輸入電流峰值應(yīng)該不會(huì)超過1A,雖然4N60的RDS只有2.5Ω,但是Qg很高,超過15nC,在超過60K的頻率下,MOSFET損耗很厲害,所以發(fā)熱嚴(yán)重,1N60雖然RDS有11Ω,但是Qg很小,只有5nC,開關(guān)損耗會(huì)小很多,建議你試試,2N60也可以,Qg有9nC,Rds3.5Ω.如果不想換MOSFET那就把頻率降到45K左右吧.很多人使用MOSFET都只關(guān)心Rds,其實(shí)對(duì)于高頻,Qg是個(gè)很重要的參數(shù),Qg越大高頻損耗越大快恢復(fù)管發(fā)熱也是因?yàn)镸OSFET損耗太大,開關(guān)波形畸變的原因,先把MOSFET換了再說.160的恢復(fù)時(shí)間足夠了

謝謝大師的解答.現(xiàn)在還有一個(gè)問題,我把頻率降到58K,同時(shí)MOS管也換成了2N60,結(jié)果負(fù)載只有微弱地向征性的一點(diǎn)光,請(qǐng)問又是什么問題呢?我的上標(biāo)輸出是400毫安30V.

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LV.9

2009-06-18 16:26

@linami

我看了圖紙,你那個(gè)LED是從電源直接下來(lái)的,MOS管的功耗與LED不發(fā)生關(guān)系,還不如把LED接到MOS管的源極.

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LV.4

2009-06-18 16:52

@songlsx

我看了圖紙,你那個(gè)LED是從電源直接下來(lái)的,MOS管的功耗與LED不發(fā)生關(guān)系,還不如把LED接到MOS管的源極.

樓上的意思是不用光耦嗎?

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LV.9

2009-06-18 20:34

@linami

樓上的意思是不用光耦嗎?

這種IC本身就有恒流,不必用光耦了,另外LED要從電感串接過來(lái),再到MOS管的漏極,這樣電路就形成了,續(xù)流二極管要選正向電阻在440以下的,內(nèi)阻高的時(shí)間恢復(fù)也長(zhǎng),不好用的.

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LV.4

2009-06-19 09:26

@songlsx

不用光耦的電路之前也試過,同樣出現(xiàn)了溫度高的問題,不知論壇里面有沒有成功的案例,MOS管的溫度會(huì)在多少?

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LV.4

2009-06-19 09:39

@banma2001

看你電路結(jié)構(gòu)應(yīng)該是BUCK降壓型,頻率應(yīng)該在80K左右,我不清楚你驅(qū)動(dòng)功率是多大,但是,不過輸入電流峰值應(yīng)該不會(huì)超過1A,雖然4N60的RDS只有2.5Ω,但是Qg很高,超過15nC,在超過60K的頻率下,MOSFET損耗很厲害,所以發(fā)熱嚴(yán)重,1N60雖然RDS有11Ω,但是Qg很小,只有5nC,開關(guān)損耗會(huì)小很多,建議你試試,2N60也可以,Qg有9nC,Rds3.5Ω.如果不想換MOSFET那就把頻率降到45K左右吧.很多人使用MOSFET都只關(guān)心Rds,其實(shí)對(duì)于高頻,Qg是個(gè)很重要的參數(shù),Qg越大高頻損耗越大快恢復(fù)管發(fā)熱也是因?yàn)镸OSFET損耗太大,開關(guān)波形畸變的原因,先把MOSFET換了再說.160的恢復(fù)時(shí)間足夠了

請(qǐng)問RDS和QG,哪個(gè)對(duì)熱量及損耗的影響更大呢?

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LV.9

2009-06-19 10:17

@linami

不用光耦的電路之前也試過,同樣出現(xiàn)了溫度高的問題,不知論壇里面有沒有成功的案例,MOS管的溫度會(huì)在多少?

你的電路是接錯(cuò)了,LED沒有經(jīng)過MOS管,是直接從電源上取的,所以MOS管是空載,肯定會(huì)發(fā)熱的,時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)燒壞的,正常情況下MOS管的溫度很低,不會(huì)超過40度.

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LV.7

2009-06-19 11:13

@linami

請(qǐng)問RDS和QG,哪個(gè)對(duì)熱量及損耗的影響更大呢?

降壓電路,你可以看MOS的漏極上的波形,RDS帶來(lái)的損耗主要是P=RDS*IRMS^2*占空比D,因?yàn)镸OS截止時(shí),RDS不會(huì)帶來(lái)?yè)p耗.假設(shè)RDS是10Ω,平均電流IRMS就是LED電流0.35A,220V輸入,50V輸出,占空比也就23%不到.RDS帶來(lái)的損耗10*0.35^2*0.23=0.28W.
開關(guān)損耗的算法我知道的有2種,一種是P=總電荷Qg*門極電壓Vg*頻率Fs*系數(shù)K(記不得有沒有這么個(gè)系數(shù)了);一種P=反向傳輸電容C*門極電壓Vg*頻率Fs/處于臨界導(dǎo)通時(shí)的門極電流I.
高頻開關(guān)下通常是剛上電時(shí)開關(guān)損耗太大,導(dǎo)致MOS結(jié)溫迅速上升,RDS也隨溫度上升而變大,有時(shí)因?yàn)檎伎毡忍?導(dǎo)致溫升到一定程度RDS的導(dǎo)通損耗超過了開關(guān)損耗.

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LV.4

2009-06-19 11:18

@songlsx

謝謝!只是如果是這樣的話,我的LED上三百多毫安的電流是哪里來(lái)的呢?

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LV.7

2009-06-19 11:37

@songlsx

電路沒錯(cuò),接光藕的作用是為了LED電流更平滑

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LV.9

2009-06-19 11:54

@banma2001

電路沒錯(cuò),接光藕的作用是為了LED電流更平滑

那么大的光耦,通過300MA的電流,不是飽合了吧,旁邊并聯(lián)的1.5K的電阻,控制相位對(duì)嗎.

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LV.7

2009-06-19 12:02

@songlsx

那么大的光耦,通過300MA的電流,不是飽合了吧,旁邊并聯(lián)的1.5K的電阻,控制相位對(duì)嗎.

哪有1.5K電阻?你看哪去了?

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LV.7

2009-06-19 12:03

@songlsx

那么大的光耦,通過300MA的電流,不是飽合了吧,旁邊并聯(lián)的1.5K的電阻,控制相位對(duì)嗎.

http://www.sddz-ic.com/upload/200892295073540755938A.pdf
他的電路參考的是這個(gè)

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LV.4

2009-06-19 13:12

@banma2001

http://www.sddz-ic.com/upload/200892295073540755938A.pdf他的電路參考的是這個(gè)

是的,就是這個(gè)電路

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mamsung

LV.6

2009-06-19 15:54

@banma2001

降壓電路,你可以看MOS的漏極上的波形,RDS帶來(lái)的損耗主要是P=RDS*IRMS^2*占空比D,因?yàn)镸OS截止時(shí),RDS不會(huì)帶來(lái)?yè)p耗.假設(shè)RDS是10Ω,平均電流IRMS就是LED電流0.35A,220V輸入,50V輸出,占空比也就23%不到.RDS帶來(lái)的損耗10*0.35^2*0.23=0.28W.開關(guān)損耗的算法我知道的有2種,一種是P=總電荷Qg*門極電壓Vg*頻率Fs*系數(shù)K(記不得有沒有這么個(gè)系數(shù)了);一種P=反向傳輸電容C*門極電壓Vg*頻率Fs/處于臨界導(dǎo)通時(shí)的門極電流I.高頻開關(guān)下通常是剛上電時(shí)開關(guān)損耗太大,導(dǎo)致MOS結(jié)溫迅速上升,RDS也隨溫度上升而變大,有時(shí)因?yàn)檎伎毡忍?導(dǎo)致溫升到一定程度RDS的導(dǎo)通損耗超過了開關(guān)損耗.

試試我們的COOLMOS:SPP04N60C3&SPD04N60C3,RDS(ON)只有其它MOS的一半大,更好地降低整機(jī)損耗.

如果您對(duì)我們的MOS感興趣,請(qǐng)直接聯(lián)系我:15013851891 吳生
深圳市銘城光華科技有限公司
http:www.mamsung.com

518961245397984.pdf

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LV.7

2009-06-19 16:04

@mamsung

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Qg大成馬了

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