開發(fā)一變頻器,整流后直流工作電壓可從40V到400V;
不運(yùn)行電機(jī)(不開通IGBT模塊),變頻器上的通訊模塊工作正常
當(dāng)直流電壓高于100V并運(yùn)行電機(jī)時(shí),通訊模塊明顯受到干擾
當(dāng)電壓高于150V并運(yùn)行電機(jī),通訊模塊無(wú)法工作
我覺得是du/dt引起的上述干擾,打算在每個(gè)IGBT的集電極和發(fā)射極間并聯(lián)一個(gè)小的電容.
大家有什么更好的主意,謝謝幫忙.
希望不是重復(fù)發(fā)帖---如何消除IGBT產(chǎn)生的干擾
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