@renchj
朋友,我有點(diǎn)看法:我認(rèn)為:D2、Q3和R4構(gòu)成了一個加速關(guān)斷電路.在mosfet開通時D2提供給Q3的基極一個偏置電壓,保證Q3有一個不大的偏置電流,在mosfet關(guān)斷時R4的存在使得mosfet加速關(guān)斷.個人看法供朋友參考!
剛才做個實(shí)驗(yàn),D2在通過0.4A電流時壓降才0.45V,那個PNP三極管EB結(jié)電壓0.65V(空載測量).
由于三極管是貼片的,二極管也沒型號(估計(jì)是鍺管),現(xiàn)在板子沒辦法加電,但是從用意看,應(yīng)該是加速M(fèi)OS管結(jié)電容釋放,但是有無法理解.
望大家多多獻(xiàn)策!