IR2110是浮地驅(qū)動芯片,高端驅(qū)動利用浮地電容中的電荷驅(qū)動,只能驅(qū)動電壓驅(qū)動功率管,如MOSFET或IGBT.
看了你的電路圖,初步有兩處感覺有問題:1.浮地電容太大,影響快速開關(guān),至于浮地電容的選取見所附文章.1113371287.pdf
2.高端驅(qū)動利用的是浮地電容中的電荷,選取電容時(shí)要使用漏電流小的瓷片電容,盡量保證高端驅(qū)動時(shí)有足夠的驅(qū)動電壓.而你在每個(gè)高端MOSFET的柵極和源極之間10K的電阻將迅速將電容中的電荷放光,使得柵極驅(qū)動電壓下降.在柵極驅(qū)動電壓下降的過程中,MOSFET進(jìn)入放大區(qū),管壓降迅速增加,將MOSFET燒毀.至于浮地驅(qū)動芯片的正確使用見:
至于燒單片機(jī),是因?yàn)槟銢]有將強(qiáng)電部分和控制部分隔離,燒毀MOS管的同時(shí),高壓信號串入控制板,除非功率部分不出故障,否則燒壞單片機(jī)是不可避免的.1113371828.pdf1113371845.pdf1113371863.pdf

我看你的回帖,你說的浮地(自舉)電容問題,我是試了不同的電容值后才選擇的,低了高側(cè)沒有波形,你說的高端MOSFET的柵極和源機(jī)的10k電阻能將電容的電荷放光,我沒有看懂,自舉電容是接在ir2110的VB和VS之間,HO是它的輸出,你給我的資料我看了,我的qq是153728673,能在qq上向你請教嗎

主要問題倒不是浮地電容,10K的電阻才是燒片子的關(guān)鍵,在上管開通時(shí),電容中的電荷要維持在整個(gè)上管開通期間柵源電壓大于8.5V,你仔細(xì)看看你柵源之間的10K電阻,行成了一個(gè)通道,直接把電荷給放掉了.
另外你看看我傳上來的關(guān)于浮地電容的選取的文章,浮地電容一般取0.22微法到0.47微法比較合適(取決于開關(guān)速度),這是我過去計(jì)算的結(jié)果,而且使用正常.當(dāng)然,用示波器看高端的驅(qū)動信號是基本看不到的.
今天我沒空,你還有疑問直接回帖子,我晚上或明天給你回復(fù).

ir2110 驅(qū)動PWM 是要加輔助電源的,不加會燒管的.

請教您
為何使用FQA24N50 24A/500V 的MOSFET管來驅(qū)動2KW的電動機(jī)

建議換功率大一點(diǎn)的MOS管試試!

兄弟,你可以考慮選擇帶有體二極管的 IGBT, 估計(jì) Mos 管的功耗不夠,另外要帶體二極管,因?yàn)榭梢苑聪蜥尫?

另外你的動力地核信號地一定要一點(diǎn)接,不能多點(diǎn)混接,注意板子上的地.你在哪里啊?

在什么地方?加什么輔助電源?我就用一路15V電源驅(qū)動三相開關(guān)磁阻電機(jī),能正常工作.

你在每個(gè)MOSFET的柵源極之間反向并聯(lián)的18V穩(wěn)壓二極管是很不錯的,可以避免尖峰電壓脈沖擊穿柵源極.但是與之并聯(lián)10K的電阻將驅(qū)動電荷給放掉了(結(jié)合IR2110的內(nèi)部原理圖分析,你能看出來),而且在此過程中使得MOS管進(jìn)入放大區(qū)導(dǎo)致過熱燒毀.你將這個(gè)電阻去掉試試.另外有人建議你采用IGBT,這個(gè)建議很不錯,推薦使用IRF的600V產(chǎn)品.具體型號你自己上該公司網(wǎng)站查,耐壓和電流余量放大些.另外在2110的VCC和COM之間靠近2110處再接一個(gè)4.7微法的獨(dú)石電容.如果你的驅(qū)動信號是TTL電平,請將VDD接5V電源,以保證驅(qū)動信號兼容TTL電平.

謝謝大家,今天上午老板找我有點(diǎn)事,沒有上網(wǎng),我的mos管用的是32安500v的

Sami兄:你說的地的問題,我也在考慮,你能具體說說嗎,

謝謝你,關(guān)于pcb布局問題,應(yīng)該注意什么,我的一個(gè)朋友說pcb布局不好也會影響,

另外一個(gè)問題是,mos管的緩沖電路設(shè)計(jì),我用rc和rcd做的,但是在電阻上的功耗很大,我用10w的電阻很燙手(用2kw的電爐做模擬負(fù)載)

驅(qū)動芯片這一塊的地應(yīng)該屬于信號地,輸入電源的地應(yīng)該屬于動力地,這些地要盡量大一點(diǎn),然后在某一個(gè)位置接在一起,不要多點(diǎn)接.這樣可以避免地上有浮的電位,我的拙見,兄弟在哪里做電機(jī)啊,我是 做 Fairchild 的產(chǎn)品的.

電爐是電阻性負(fù)載,可以不需要關(guān)斷緩沖,不能很好地模擬電機(jī)繞組,另外你的緩沖電容多大?RCD緩沖電路的電阻和電容的選取要適當(dāng),電容太小起不到緩沖作用,太大又增大了管子開通時(shí)的附加電流也使得電阻發(fā)熱嚴(yán)重.你找相關(guān)資料重新計(jì)算一下,一般的電力電子書里面都有.

關(guān)于PCB布局,要將強(qiáng)電和弱電分開,最好進(jìn)行隔離,不能隔離的話,就如第9貼所說,一點(diǎn)接地,且地線要盡量寬.

我在成都做電機(jī)控制,Samic兄,你在那里賣FAIRCHILD的產(chǎn)品

我的RCD電容值是0.02uf,是調(diào)試時(shí)看波形取的值,電阻是51歐

我現(xiàn)在使用的是2SK1522,50a500v的mos管

電容具體取值要根據(jù)負(fù)載電流和管子關(guān)斷時(shí)間計(jì)算,不能看波形來取.你找相關(guān)資料看看.

**此帖已被管理員刪除**

你在電路中有幾致命問題:
1)PWM千萬別用廉價(jià)MCU軟件產(chǎn)生.上電過程和死機(jī)狀態(tài)你根本無法確定.
2)D3/D4/D6/D7該成10BQ040,1N4148在這簡直是添亂.
3)Q2的D到Q5的S和Q3的D到Q6的S接CBB18/630V/224的電容----千萬不可改變.
4)建議換掉仙童的FET,主要是該公司的元件分散性太差,做單管的電源還湊合,做其它的太難用.建議用IRGB20N60PD
5)去掉RCD吸收
6)每半橋的兩FET間要近.
7)濾波電容必須靠FET安裝,間距必須小于5CM.
8)注意散熱.

謝謝各位仁兄了,我現(xiàn)在把我改了的原理圖在傳上來1113530259.pdf

我記下了你的電話,謝先生

去掉RCD吸收會增加MOSFET關(guān)斷時(shí)的電壓沖擊和關(guān)斷損耗,很不安全

I服了YOU了,10K電阻還沒去掉,電路能用才怪呢.為避免上下管直通,建議使用帶死區(qū)保護(hù)的IR2130或IR2136,一片可以頂三片2110.

我畫了一個(gè)圖,標(biāo)明高端驅(qū)動電荷是怎么跑掉的.自己看吧1113564418.pdf

謝謝你,我看懂了,