在電路設(shè)計(jì)中高壓輸入母線通過(guò)電容C1和C7進(jìn)行濾波。線路檢測(cè)（L引腳）通過(guò)電阻R1、R2和R3監(jiān)測(cè)輸入母線電壓。當(dāng)L引腳電壓超過(guò)UV+閾值時(shí)，HiperLCS2-HB芯片U1將啟動(dòng)軟啟動(dòng)。電容C32為L(zhǎng)引腳提供局部去耦，二極管D5將L引腳電壓鉗位在5V——這些器件在高功率設(shè)計(jì)中能增強(qiáng)L引腳電路的抗噪性，建議盡量靠近L引腳布局。

輸出過(guò)壓檢測(cè)通過(guò)變壓器T1的初級(jí)偏置繞組（引腳8和9）實(shí)現(xiàn)，經(jīng)由穩(wěn)壓管VR2和電阻R11采樣，再通過(guò)電阻R5和晶體管Q1耦合至PP引腳。當(dāng)輸出過(guò)壓時(shí)，VR2導(dǎo)通，電流將通過(guò)Q1從PP引腳對(duì)地泄放。電阻R5用于設(shè)定PP引腳的初級(jí)頻率范圍及故障響應(yīng)。

電容C2和C8分別對(duì)5VL與BPL引腳進(jìn)行去耦，其參考地分別為GP和GD。功率地回路RTN連接至S引腳（SOURCE）、初級(jí)偏置繞組及偏置電容。需特別注意將小信號(hào)地（GP）與系統(tǒng)功率地（RTN）隔離——RTN功率地為系統(tǒng)噪聲提供低阻抗路徑，使次級(jí)耦合的噪聲電流可安全導(dǎo)入RTN/大容量電容地，而不干擾小信號(hào)地（GP引腳）。

二極管D3對(duì)初級(jí)偏置繞組電壓整流，電容C12為RTN地提供去耦。電容C8為BPL引腳提供高頻局部去耦。啟動(dòng)階段（開(kāi)關(guān)動(dòng)作前），BPL引腳通過(guò)電阻R8向電容C8和C9充電，該電阻用于限制BPL引腳輸出電流。電容C9儲(chǔ)存能量以維持啟動(dòng)過(guò)程（直至初級(jí)偏置繞組通過(guò)開(kāi)關(guān)動(dòng)作獲能），同時(shí)通過(guò)二極管D1和電阻R7為HiperLCS2-HB的高端偏置提供啟動(dòng)能量。建議C9容量至少為高端偏置電容C5和C6總?cè)萘康?倍。

在偏置繞組激活前的啟動(dòng)階段，二極管D2作為阻斷二極管，防止BPL引腳的充電電流分流至電容C12。正常工作時(shí)，偏置電流從偏置繞組流向電容C12。BPL引腳內(nèi)置分流穩(wěn)壓器以限制電壓，電阻R34在BPL鉗位激活時(shí)限制分流電流，從而控制BPL功耗。需特別注意穩(wěn)態(tài)偏置繞組電壓：若超過(guò)BPL鉗位閾值，將導(dǎo)致BPL電路額外功耗并可能引發(fā)HiperLCS-2芯片熱關(guān)斷。需注意偏置繞組電壓在空載至滿載時(shí)可能存在25%波動(dòng)，建議設(shè)計(jì)時(shí)確保空載狀態(tài)下偏置電壓至少維持15V。當(dāng)BPL引腳電壓超過(guò)21V時(shí)，分流穩(wěn)壓器將啟動(dòng)。

在低端功率MOSFET導(dǎo)通期間，高端自舉電路通過(guò)二極管D1和電阻R7對(duì)電容C5和C6充電。啟動(dòng)初期前幾個(gè)開(kāi)關(guān)周期，C5和C6通常無(wú)電荷，此時(shí)需依靠R7限流。電阻R6和電容C3為BPH引腳提供額外低頻濾波，高端5VH引腳通過(guò)電容C4去耦。需注意所有高端去耦均連接至HB引腳。

諧振槽電感由變壓器集成諧振電感LR與勵(lì)磁電感LM串聯(lián)構(gòu)成，呈現(xiàn)于HB引腳與C10之間。Y電容C13對(duì)初級(jí)和次級(jí)地間進(jìn)行去耦，以降低初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)噪聲對(duì)次級(jí)控制器的共模干擾。