年初準備測試下理想二極管替代傳統(tǒng)肖特基二極管做為直流輸出防反電路的方案，正好趕上得捷和電源網(wǎng)活動，進行了相關物料的采購。
下圖是在得捷官網(wǎng)上采購的物料：
電路原理如下圖所示：
方案采用LM74700QDBVTQ1芯片和低導通電阻的MOSFET,準備測試的直流電壓為24V和48V，選擇了IAUT150N10S5N0351的型號。主要參數(shù)如下圖所示：
相比肖特基二極管，采用理想二極管的方案，能夠有效降低功率損耗。10A電流，流過MOSFET產(chǎn)生的管壓降只有35mV遠小于肖特基二極管的管壓降，測試了MOSFET的殼溫，10A工作10min左右溫升不超過10℃。如果測試更大電流建議功率管外加散熱器，能夠降低節(jié)溫，否則管子上的功耗較大時導通電阻會有較大的升高，導通壓降也會隨之變大。
得捷下單后，大概兩周左右收到元器件。
PCB制板如下圖所示：
制板后實物焊接如下圖所示：
另有測試視頻上傳附件，有興趣的可以查看交流，歡迎討論。
