國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊及單管在充電樁電源模塊中的應用.pdf

目前主流車企均在布局高壓快充車型，預計2026年800伏以上高壓車型銷量將過半，但我國適配高壓快充的高壓充電樁數(shù)量不足。為此，主流車企和充電運營商正加快研發(fā)推出大功率快充樁，亟需更耐高壓、耐高溫、更小型化的新型功率器件，以滿足充電設備對效率和安全的更高要求。

作為第三代半導體材料，碳化硅具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異特性。與傳統(tǒng)硅材料比較，碳化硅器件能有效滿足充電樁設備耐高壓、耐高溫、更小型化新型器件的需求，幫助實現(xiàn)新能源汽車快速充電的目標。此外，碳化硅還能提高單位功率密度，減小模塊體積并簡化電路設計，對降低充電樁成本起到重要作用。