PI產(chǎn)品內(nèi)部集成了高壓MOSFET，適合不同的電源開發(fā)案例，其中包括725V硅開關(guān)、1700V碳化硅（SiC）開關(guān)及其他衍生的750V、900V產(chǎn)品，現(xiàn)在又增加了1250V耐壓的最新成員INN3629。因此成為唯獨(dú)一家全面覆蓋MOS管到不同耐壓的GaN和SiC的公司。
為了進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率和可靠性，又全新開發(fā)了一款單管氮化鎵電源IC，innoswitch3系列的inn3629芯片內(nèi)部耐壓達(dá)到了 1250V，旨在滿足工業(yè)用電的更高需求和期望。PI基于自行研發(fā)的氮化鎵技術(shù)——PowiGaN，總共開發(fā)了5個(gè)系列的芯片產(chǎn)品，包括InnoSwitch3-CP、EP、Pro、MX和LYTSwitch-6。憑借高集成、高效率、高可靠性等特點(diǎn)。
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力。氮化鎵的較寬能隙（約3.4eV）使得它在可見光區(qū)域具有較高的透明度，這對(duì)于LED和激光器等光電子器件至關(guān)重要。寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，被稱為第三代半導(dǎo)體材料。
PI的Inn3629芯片耐壓高，具有很多優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
1250V耐壓的Inn3629芯片比耐壓650V的inn3167效率高出1%，意味著工作溫度降低20%，損耗也是傳統(tǒng)硅芯片的一半。
PowiGaN功率變換的效率可以達(dá)到93%，不僅能使工作溫度大幅降低，有助于實(shí)現(xiàn)高緊湊度的反激式電源設(shè)計(jì)。在高達(dá)85W輸出功率的情況下，也無(wú)需金屬散熱片。
