實際的電路中，MOS功率管存在結電容，線路存在寄生電感，并不是理想的開關。
下圖是實際的不同驅動電阻下的驅動波形。
可以看出，RG外部驅動電阻越小，由事件(I)引起的VGS下降就越大。此外，由于開關速度非?？?，因此事件(III)在(a)中很突出；但由于RG為0Ω，因此幾乎沒有觀察到事件(II)的波形。另一方面，在(b)中，事件(II)和RG引起的VGS升程明顯。
從該結果可以清楚地看出，要想降低引起LS導通時HS誤啟動的(II)的VGS升程，就需要減小HS關斷時的外置柵極電阻RG。然而，多數情況下，HS和LS的RG是相同的，因此，當減小RG時，LS的dVDS/dt將增加，HS的ICGD會增加。結果會導致HS浪涌升高。
解決上述矛盾有一種方法是，使導通時和關斷時的RG分離，并且僅減小關斷時的RG，常規(guī)方法是使用二極管的方法。
使用這種方法，在導通狀態(tài)下工作的電阻只有RG_ON，而在關斷狀態(tài)下，二極管導通并成為RG_ON和RG_OFF的并聯電阻。因此，相對于導通時的電阻值，關斷時的電阻值變小。
