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關(guān)于共模抑制比的計(jì)算和測(cè)量

現(xiàn)在很多應(yīng)用于高壓場(chǎng)合的電源都在要求對(duì)共模抑制比的測(cè)量和要求,曾經(jīng)看過(guò)一篇文章說(shuō)測(cè)量dv:dt,也就是測(cè)量上升時(shí)間,然后面將時(shí)間與電壓對(duì)乘1000,這樣就是此產(chǎn)品的dv/dt耐量,可惜這個(gè)文章現(xiàn)在找不到了.
不知大家是否有關(guān)于這方面的文獻(xiàn)和資料.
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2008-11-17 12:49
怎么沒(méi)人回呀!期待中!!!
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hlp330
LV.9
3
2008-11-18 15:04
@tony2008666
怎么沒(méi)人回呀!期待中!!!
我也一直找這樣的文章,可惜沒(méi)有啊
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2008-12-15 14:50
呵呵,最近終于找到一點(diǎn)資料了.看來(lái)平時(shí)積累一定要仔細(xì)一點(diǎn)嘍!
需要了解的朋友可多關(guān)注一下MOSFET的介紹.
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gd93
LV.2
5
2008-12-15 16:30
@tony2008666
呵呵,最近終于找到一點(diǎn)資料了.看來(lái)平時(shí)積累一定要仔細(xì)一點(diǎn)嘍!需要了解的朋友可多關(guān)注一下MOSFET的介紹.
樓主發(fā)上來(lái)大家學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)啊
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