專注于第三代半導體碳化硅（SiC）MOS芯片設(shè)計、功率模塊的生產(chǎn)制造及其基于SiC器件在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)方案。公司于2017年技術(shù)準備，芯片測試、驗證、公司成立，18-19年量產(chǎn)1200V和3300V碳化硅單管并出口歐美，2021年與吉利汽車、中科院簽署三方合作研發(fā)協(xié)議（基于SiC技術(shù)的動力總成），2022年碳化硅單管批量交貨國內(nèi)多家車企。

公司擁有全自主知識產(chǎn)權(quán)，已申請30項專利技術(shù)，采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)30余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品，并建立起車規(guī)級的SiC MOS模塊工廠，可為客戶提供整套應(yīng)用解決方案。

ASC5N1700MT3是1700V SiC MOSFET，此款SiC MOSFET最高耐壓值為1700V，內(nèi)阻是750mohm,ASC5N1700MT3采用TO247-3封裝。門級電壓（動態(tài)）為－8V~18V、門級電壓（靜態(tài)）為－3V~12V，功耗為60W，額定電流為5A，工作溫度為－55攝氏度～155攝氏度,，能在較寬的溫度區(qū)間內(nèi)工作，可滿足更多的工作場景。

該SiC MOSFET多用于太陽能逆變器、電動汽車電池充電器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、工業(yè)開關(guān)電源等領(lǐng)域。1700V SiC MOSFET適合輔助電源設(shè)計，更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級的工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計要求。

更快的開關(guān)速度，極小的開關(guān)損耗大幅降低了系統(tǒng)損耗，使得變換器高效化，同時可以通過高頻化讓電路中的磁性單元體積更小，重量更輕。極小的損耗加上更優(yōu)異的熱傳導系數(shù)。進一步地簡化了輔助電源的結(jié)構(gòu)，減少了元器件和驅(qū)動設(shè)計的復雜度，從而大幅降低了輔助開關(guān)電源系統(tǒng)成本。

ASC100N1700是一款1700V的SiC MOSFET，額定電流為100A，可在大功率設(shè)備上使用。門級電壓為－10V~25V，功耗為420W，可在－55攝氏度到155攝氏度的溫度環(huán)境下工作，ASC100N1700MT3采用TO-247-3封裝，ASC100N1700MT4采用TO247-4封裝，此款SiC MOSFET最高耐壓值為1700V可應(yīng)用于太陽能逆變器、電動汽車車載充電器、充電樁、軌道交通、工業(yè)電源等高壓工作設(shè)備。