這是對稱半橋諧振,占空比相等

因為剛剛開始接觸,對有些概念有點模糊.對如上圖和諧振腔一端位于兩個MOS中間,另一端位于兩個電解電容中間的這兩種半橋,叫法上有什么區(qū)別?還有各自有什么優(yōu)缺點呢?

對稱半橋與不對稱半橋是指兩個占空比是否對,各自的優(yōu)缺點本人水平有限,還是讓高手來說

用6599控制的話肯定是對稱,如果不考慮死區(qū)時間,占空比D1=D2=0.5

大家有沒有用過duty不是相等的呢?就是說不是變頻的,而是定頻的用于半橋的,但是duty可以打不同的.請高手幫忙推薦一款IC.

這兩種結構本質是一樣的,多一個電容可以減少流過每個高壓電容的RMS值,還可以減少電容上的通態(tài)損耗.

這是常見於音頻功放的「單端推挽」半橋結杓,如果是諧振,也該是「負載諧振」吧?

不知道別亂說.
接兩個電容的方式叫電容分壓方式,必須另外再加一個諧振電容.分壓電容不是諧振電容,對諧振頻率沒有影響,是為了解決高壓應用場合下的電容耐壓問題而派生出的電路.

LLC或SRC是可以用兩個小容量CBB串聯(lián)后并在大電解兩端作為諧振電容的

貽笑大方!

haibin是對的,做過了才有發(fā)言權啊,不要誤導人家了,luan3703

單端推挽的供電是脈動輸出的,半橋架構的兩個電容交替充放,電源不單輸出穩(wěn)定,且可利用電容兼作高頻旁路,使EMI外泄減少.

理論上,, 半橋架構 應該是可使電源輸出 比單端推挽模式平穩(wěn)得多的,, 這用中學學科基本理論已可解釋.

你說的不管是接一個電容還是兩個電容,如果都是用6599控制的話多半會是對稱半橋的,對稱半橋TON1=TON2,不對稱半橋TON1=T-TON2,只是由控制方試來決定的!兩個電容應該是可以提高較輕載時的整機效率!

不對稱半橋的方案很多,現(xiàn)在聽說ST推出了專門的AHB的控制芯片,好像是L6591.

首先L6599做的是LLC架構(漏電感,主電感及諧振電容)是對稱半橋,因為兩個MOS開關的占空比忽略死區(qū)都約0.5,電路的控制方式是PFM控制方式,重載的時候頻率低,輕載的時候頻率高,而不對稱半橋是ZVS方式,兩個MOS開關的占空比一個為D,則另一個為1-D,電路的控制方式是PWM控制方式,兩種架構各有其優(yōu)缺點,LLC架構控制IC價格稍貴,電路副邊同步整流不容易,由于是變頻控制可能會對其他電路造成干擾,但它掉電維持時間長,副邊的整流管需求耐壓低,不需后面儲能電感,效率高MOS開關和整流管的散熱片都可以做的很小,而不對稱半橋由于其占空比是互補的所以變壓器原邊可能會出現(xiàn)偏磁,由于兩個占空比不一樣所以需要一個小的儲能電感,掉電維持時間短,副邊的整流管是硬開關而且需求耐壓高,所以副邊整流管損耗大效率低,電路需要箝位元件,但由于它是PWM控制方式,所以副邊很容易用MOSFET做同步整流,電路的實現(xiàn)可以用UC38XX擴展為兩路驅動即可,當然也可以用ST的L6591

高手解答,就是不一樣,頂
  但如今半橋應用很少,一般用橋式多,

不同意樓上說的.現(xiàn)在我見過很多200W-1000W多半用半橋

那全橋諧振ZVS中LC應該怎么選擇呢,就以串聯(lián)諧振考慮
除了諧振[頻率還應該考慮什么嗎

“全橋諧振”和“全橋準方波”還是不同的,起碼調制方法不一樣

因為可以通過移相、輔助開關管等方法實現(xiàn)所有MOS準方波軟開通,全橋一般不用完全諧振

半橋用完全諧振比較多,尤其是MOS實現(xiàn)ZVS或IGBT實現(xiàn)ZCS

在看全橋電路中涉及到了開關管的ZVS
就是請問LC的條件有什么限制呢
除了一般所說的諧振頻率,那特征阻抗怎么確定(以滿載為考慮對象)

像6599做成普通半橋方式行嗎(不用LLC方式做)?雙電容方式!

我用過全橋諧振,不知道半橋怎么用?

那又何必呢?優(yōu)點反應不出來,倒變得有點利用了缺點了

hehe

...

你好!請問你一下,半橋諧振電路為PFM控制,那為什么輕載時頻率高,而重載時工作頻率又降低了呢?能否給個詳細的解釋?謝謝!

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