常見的IENNA整流拓撲 主要有Vienna_I 型拓撲和Vienna_II 型拓撲
兩種拓撲都能實現(xiàn)AC轉DC的整流，從元器件上看Vienna_I 型用了18個二極管跟3個MOS管，Vienna_II 型用了六個二極管跟6個MOS管，硬件成本上Vienna_II可能會有優(yōu)勢；同時分立元器件比較少，故障的概率相對比較??；控制上兩種拓撲的控制方式上是一模一樣的，沒有任何差異；
（PSIM仿真）VIENNA整流常見拓撲解析
全部回復(24)
正序查看
倒序查看
控制上，兩種拓撲沒有任何差異，下面主要以Vienna_II 型作為仿真分析對象：
常用的主要有簡單的電流滯環(huán)控制以及 DQ正交控制兩種控制方式；（還有其他控制方式，這里不做分析）
電流滯環(huán)控制：為了使控制最簡單明了，這里沒有加入輸出正負半BUS平衡控制策略（有興趣深究的可以在進一步增加）；從環(huán)路控制上看，直接控制的是輸出電壓，輸出電壓進行PI控制后，乘以該相電壓的歸一化系數(shù)，然后在與該相電流做差，得到的結果送到驅動計算，即可得到最簡單的電流滯環(huán)控制；
仿真波形如下：
電流滯環(huán)控制在充電樁電源模塊上應用廣泛，主要也是由于電源模塊的特殊應用，前級Vienna只是作為整流用，并不需要其他復雜功能；電流滯環(huán)控制并不需要對市電進行鎖相，只需對輸入電流和市電電壓采樣和BUS母線電壓采樣，就可進行PI控制，計算控制量非常的少，算法簡單，所以普遍應用；當然也有其控制缺點，從控制的角度看，電流并沒有構成嚴格閉環(huán)控制，在突加載過程，有可能導致電流失控導致開關管失效，不過像電源模塊后級還有一級DC/DC變換，并不會對前級整流造成直接的沖擊；
2
回復
@Richie_Li
控制上，兩種拓撲沒有任何差異，下面主要以Vienna_II型作為仿真分析對象：常用的主要有簡單的電流滯環(huán)控制以及 DQ正交控制兩種控制方式；（還有其他控制方式，這里不做分析） 電流滯環(huán)控制：為了使控制最簡單明了，這里沒有加入輸出正負半BUS平衡控制策略（有興趣深究的可以在進一步增加）；從環(huán)路控制上看，直接控制的是輸出電壓，輸出電壓進行PI控制后，乘以該相電壓的歸一化系數(shù)，然后在與該相電流做差，得到的結果送到驅動計算，即可得到最簡單的電流滯環(huán)控制；[圖片][圖片]仿真波形如下：[圖片] 電流滯環(huán)控制在充電樁電源模塊上應用廣泛，主要也是由于電源模塊的特殊應用，前級Vienna只是作為整流用，并不需要其他復雜功能；電流滯環(huán)控制并不需要對市電進行鎖相，只需對輸入電流和市電電壓采樣和BUS母線電壓采樣，就可進行PI控制，計算控制量非常的少，算法簡單，所以普遍應用；當然也有其控制缺點，從控制的角度看，電流并沒有構成嚴格閉環(huán)控制，在突加載過程，有可能導致電流失控導致開關管失效，不過像電源模塊后級還有一級DC/DC變換，并不會對前級整流造成直接的沖擊；
DQ正交控制：相對于電流滯環(huán)控制要復雜得多，從控制架構可以看出來，需要對市電電壓和輸入電流進行DQ變換，然后進行鎖相，數(shù)學運算相對比較復雜，對控制芯片要求高，同時控制架構采用外環(huán)電壓環(huán)內(nèi)環(huán)電流環(huán)的雙閉環(huán)架構，控制響應相對比較快；同時可以對輸入電流相位進行控制，實現(xiàn)無功調(diào)節(jié)；
仿真波形如下：
0
回復
@Richie_Li
DQ正交控制：相對于電流滯環(huán)控制要復雜得多，從控制架構可以看出來，需要對市電電壓和輸入電流進行DQ變換，然后進行鎖相，數(shù)學運算相對比較復雜，對控制芯片要求高，同時控制架構采用外環(huán)電壓環(huán)內(nèi)環(huán)電流環(huán)的雙閉環(huán)架構，控制響應相對比較快；同時可以對輸入電流相位進行控制，實現(xiàn)無功調(diào)節(jié)；[圖片][圖片]仿真波形如下：[圖片][圖片]
樓主 現(xiàn)在目前市面上就220V市電轉低壓DC這塊有沒有什么性價比高的PLL集成芯片。剛剛入門想自己做個玩一玩。
0
回復
