這個(gè)電阻的作用是減小磁芯的消磁電流，保護(hù)二極管，廠家肯定是做過(guò)試驗(yàn)的，按廠家意見做吧

你可以看一下Vds的波形，MOS管關(guān)斷后有一個(gè)振蕩，有這個(gè)電阻時(shí)，這個(gè)振蕩不會(huì)掉得太低，

沒(méi)有這個(gè)電阻時(shí)，這個(gè)振蕩就會(huì)掉下來(lái)，嚴(yán)重的會(huì)掉到0V，

幫你在理論上解釋一下，mos或者二極管在關(guān)斷時(shí)候會(huì)有震蕩，就是由電感和電容引起，加了這個(gè)電阻就把震蕩系統(tǒng)的阻尼比變大，也就是品質(zhì)因數(shù)Q下降，讓震蕩減小或者無(wú)震蕩，阻尼比大于0.7就沒(méi)有震蕩，電阻要還是不要要看電路震蕩情況，嚴(yán)重就需要，不嚴(yán)重可以暫時(shí)不用

應(yīng)該不成立

市面上專門適用于這個(gè)位置的特殊二極管，效果比現(xiàn)有的二極管要好很多。另外，不同工藝的二極管影響也很大?？梢远嘣囋?。

此處要小心謹(jǐn)慎處理，目前小功率PSR方案，例如10幾W的充電器，這種低PF值的方案，大都建議串一個(gè)阻尼電阻，并且要求串在一此的吸收二極管用慢恢復(fù)的如M7或1N4007，這樣做的好處可使得開關(guān)管的尖峰電壓下降，波形漂亮，過(guò)輻射好一些之外，對(duì)輸出電壓的穩(wěn)定性也有好處，因?yàn)閺S家的建議如此，故我也做了對(duì)比實(shí)驗(yàn)，不串電阻的，有的電源滿載時(shí)輸出電壓跳動(dòng)，如4.75~5.15之間跳動(dòng)，有的空載電壓上升如慢慢從5.1V升到5.5V，有的老化時(shí)間長(zhǎng)了時(shí)輸出電壓下降如從5V掉到4.7V，反正問(wèn)題防不勝防，故還是加上為妙，一了百了省心；