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PD快充MOS,替代氮化鎵MOS器件,成本底,方案效率91%

1、超結(jié)MOS,低內(nèi)阻,頻率可達400KZ,

2、PDNF,8*8封裝,體積小

3、完全可以達到PD快流要求,

360軟件小助手截圖20200324125958

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2020-03-27 09:03
發(fā)個DEMO資料看看。diwuxingyue@126.com
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2020-04-10 11:41
@diwuxingyue
發(fā)個DEMO資料看看。diwuxingyue@126.com
加我微信:18819519524。PI方案,納微方案,超結(jié)MOS我們都在做呢
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