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PD快充MOS，替代氮化鎵MOS器件，成本底，方案效率91%

1、超結(jié)MOS，低內(nèi)阻，頻率可達400KZ，

2、PDNF，8*8封裝，體積小

3、完全可以達到PD快流要求，

360軟件小助手截圖20200324125958

全部回復(fù)(2)
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2020-03-27 09:03
發(fā)個DEMO資料看看。diwuxingyue@126.com
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2020-04-10 11:41
@diwuxingyue
發(fā)個DEMO資料看看。diwuxingyue@126.com
加我微信：18819519524。PI方案，納微方案，超結(jié)MOS我們都在做呢
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