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PD快充MOS,替代氮化鎵MOS器件,成本底,方案效率91%
PD快充MOS,替代氮化鎵MOS器件,成本底,方案效率91%
1、超結(jié)MOS,低內(nèi)阻,頻率可達400KZ,
2、PDNF,8*8封裝,體積小
3、完全可以達到PD快流要求,
全部回復(fù)(2)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
diwuxingyue
LV.4
2
2020-03-27 09:03
發(fā)個DEMO資料看看。diwuxingyue@126.com
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歐陽2019
LV.2
3
2020-04-10 11:41
@diwuxingyue
發(fā)個DEMO資料看看。diwuxingyue@126.com
加我微信:18819519524。PI方案,納微方案,超結(jié)MOS我們都在做呢
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