
電容的作用
像是軟啟動或者芯片復(fù)位電路,110V上電,C初始充電電流大,使得兩個三極管正偏導(dǎo)通,光耦發(fā)射端被短路,光耦得不到觸發(fā)電流,IO端低電平無輸出,
當(dāng)C充電到接近飽和程度,充電電流下降,三極管轉(zhuǎn)入負(fù)偏截止,光耦發(fā)射端有電流通過,IO端高電平輸出。
C和周邊電阻以及兩只NPN三極管形成延時電路,延時開,通過光耦隔離輸出,具體延時時間常數(shù),由C的容量和周邊電阻的阻值決定。這個電路典型特點是IO輸出高電平比110V上電晚,符合軟啟動電路和芯片復(fù)位電路基本特征。
上圖示我?guī)湍惝嫵龅臅r序圖, 你看一下你的 KeyPoint 為何, 因為我也不知道你這作啥用
圖示, 當(dāng)+110V電壓加入後,
1). R3開始對C1充電, A 點電壓最高為+110V*R4 / (R4+R3)
2). 當(dāng)B 點的C1開始充電達到(Q1_Vbe+Q2_Vbe) 則達靈頓電路即啟動, 而為何使用達靈頓, 應(yīng)該是要讓Q1瞬間飽和, 不要有線性區(qū)
3). 當(dāng)Q1飽和後, C 點飽和電壓為(Q1_Vset+Q2_Vbe) , 所以會有電流從R8流過, 電流 I = +110V-(Q1_Vset+Q2_Vbe) / R8
4). B 點電壓被箝位在(Q1_Vbe+Q2_Vbe), 但 A 點電壓還在上升, 因此還有電流往 B 點流 , Q1 , Q2 會保持導(dǎo)通, 直到 A 點電壓不再上升 即
+110V*R4 / (R4+R3) = VC1 + (Q1_Vbe+Q2_Vbe)
C1則變成斷路, 當(dāng) B 點不再提供電流, Q1, Q2 隨即截止
5). 當(dāng)Q1,Q2 截止後, I = 0
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這唯一變化為電流, 如果+110V Source 端有電流偵測, 那只要再Source 端監(jiān)測, 則可以確保負(fù)載是接上的....可能吧..我猜.......