對(duì)EMI有一定的效果，尤其是輻射。不過在反激電源上，不到萬(wàn)不得已不要去加這玩意，

對(duì)效率影響很大，而且常規(guī)這個(gè)料用CBB是比較好的，如果改用瓷片類的電容，很容易

出現(xiàn)概率性不良！

測(cè)試傳導(dǎo)輻射不過 ，加這玩意就過了，就要加，或者改變壓器等等，MOS你用的品牌不同也會(huì)有影響，

有些好的MOS就不用加，差的就要加。這個(gè)位置可以預(yù)留器件，能過就不加，過不了就加。傳導(dǎo)輻射

需要調(diào)試才知道的。

沒有幾個(gè)開關(guān)電源加這個(gè)電容的，

影響效率，

加這個(gè)無非就是在30M~50M的地方有改善，

但是30M~50M能改的地方多的狠

在電容上串電容，減少對(duì)效率的影響嗎？（沒有杠的意思，不懂就問）

請(qǐng)教一下大神，并聯(lián)這個(gè)電容后出現(xiàn)概率性不良具體是什么原因，因?yàn)槟壳坝龅搅诉@個(gè)問題，批量中出現(xiàn)一些這個(gè)電容損壞的現(xiàn)象

插件瓷片電容，MLCC要用最好的材質(zhì)，實(shí)際應(yīng)用過程中，即使是最好的材質(zhì)也有概率問題不良，具體原因不太清楚，可能是批量的不一致性吧！

很多MOS管D.S極多有這個(gè)電容器，我們公司常用102/221，可以抑制EMI!

我不知道你做多大功率，正常不會(huì)用這么大，我正常也就用PF級(jí)別的 10P 22P 

大佬，還在嗎

吸收電容，只是這樣直接并聯(lián)的很少，影響效率,容量越大能耗越大，而且這個(gè)電容靠性要求也很高。能夠抑制DS反向尖峰減少DS擊穿，也能提高EMI,一般是電阻電容串聯(lián)成RC吸收電路，并且多數(shù)吸收電路是并聯(lián)在初級(jí)線圈，較少并聯(lián)在DS。