IGBT過流保護問題
我現(xiàn)在采用檢測IGBT Vce的方法做過流保護,IGBT采用的CE之間并一組串聯(lián)的RC來吸收保護.開機上高壓之前發(fā)現(xiàn)驅(qū)動就處于關閉狀態(tài),測量IGBT CE之間就有15V,說明就是檢測到VCE太高而保護.我使IGBT驅(qū)動及檢測C的線都懸空,發(fā)現(xiàn)驅(qū)這C和E點的電壓15V.而這時候測量IGBT上CE見無壓降,所以懇請高手指點,是不是因為我的吸收電路不適合這種檢測Vce的過流保護措施,如何改進?
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@zhouboak
IGBT驅(qū)動保護技術問題請找我QQ:373981398 周工IGBT/MOSFET技術交流2 群號69171506
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@jsxyp898
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@huang1983
聽說現(xiàn)在841沒得買了??
QQ:373981398
IGBT驅(qū)動技術咨詢專線13002920185 029-82628008老周
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